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1、泓域咨询/芜湖记录媒体靶材项目实施方案芜湖记录媒体靶材项目实施方案xx有限责任公司报告说明随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展，铜导线工艺的应用量在逐步增大，因此，铜和钽靶材的需求将有望持续增长。在晶圆制程选择上，从全球晶圆厂产能建设情况来看，12寸晶圆厂是目前主流建设方向。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展，铜导线由于具有更低的电迁移效应，及更低的电阻，有降低功耗、提高运算速度等作用，应用量在逐步增大。据SEMI数据显示，如今12英寸晶圆约占64%，8英寸晶圆占比达26%，其他尺寸晶圆占比10%。12英寸晶圆已经成为市场的主流。但传统的铝靶由于在可靠性和抗干扰性等方面的性能依然较为突出，也仍然
2、具有巨大的市场空间。如汽车电子领域的芯片大量使用铝钛材料的110nm以上工艺以确保可靠性。因此，芯片制程工艺的进步并不意味着原有制程工艺及其材料被淘汰，因可靠性、抗干扰性、低成本等优势，110nm以上技术节点的芯片产品也具有巨大的市场空间。根据谨慎财务估算，项目总投资15463.28万元，其中：建设投资11456.67万元，占项目总投资的74.09%；建设期利息290.95万元，占项目总投资的1.88%；流动资金3715.66万元，占项目总投资的24.03%。项目正常运营每年营业收入31800.00万元，综合总成本费用24201.59万元，净利润5566.69万元，财务内部收益率28.18%，
3、财务净现值7499.15万元，全部投资回收期5.37年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本期项目技术上可行、经济上合理，投资方向正确，资本结构合理，技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 市场预测10一、 HDD转向数据中心存储获新生，磁记录靶材目前仍保持高速增长10二、 应用趋势：下游技术革新，溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展12第二章 项目承办单位基本情况16一、 公
4、司基本信息16二、 公司简介16三、 公司竞争优势17四、 公司主要财务数据18公司合并资产负债表主要数据18公司合并利润表主要数据19五、 核心人员介绍19六、 经营宗旨20七、 公司发展规划21第三章 项目背景分析23一、 趋势难逆，传统光磁记录媒体正转向半导体存储23二、 国产替代+技术革新，高端靶材需求强劲24三、 提升科技创新能力26四、 发挥有效投资引领支撑作用29五、 项目实施的必要性30第四章 项目绪论31一、 项目名称及建设性质31二、 项目承办单位31三、 项目定位及建设理由32四、 报告编制说明34五、 项目建设选址36六、 项目生产规模36七、 建筑物建设规模36八、
5、环境影响36九、 项目总投资及资金构成37十、 资金筹措方案37十一、 项目预期经济效益规划目标37十二、 项目建设进度规划38主要经济指标一览表38第五章 建筑物技术方案41一、 项目工程设计总体要求41二、 建设方案42三、 建筑工程建设指标43建筑工程投资一览表44第六章 建设方案与产品规划46一、 建设规模及主要建设内容46二、 产品规划方案及生产纲领46产品规划方案一览表47第七章 项目选址可行性分析48一、 项目选址原则48二、 建设区基本情况48三、 提升产业链供应链现代化水平50四、 构建全要素市场化配置体制机制52五、 项目选址综合评价53第八章 运营模式55一、 公司经营宗
6、旨55二、 公司的目标、主要职责55三、 各部门职责及权限56四、 财务会计制度59第九章 SWOT分析67一、 优势分析（S）67二、 劣势分析（W）68三、 机会分析（O）69四、 威胁分析（T）69第十章 发展规划分析77一、 公司发展规划77二、 保障措施78第十一章 工艺技术分析81一、 企业技术研发分析81二、 项目技术工艺分析84三、 质量管理85四、 设备选型方案86主要设备购置一览表87第十二章 进度计划89一、 项目进度安排89项目实施进度计划一览表89二、 项目实施保障措施90第十三章 组织架构分析91一、 人力资源配置91劳动定员一览表91二、 员工技能培训91第十四章
7、 劳动安全生产93一、 编制依据93二、 防范措施96三、 预期效果评价101第十五章 项目投资计划102一、 投资估算的依据和说明102二、 建设投资估算103建设投资估算表105三、 建设期利息105建设期利息估算表105四、 流动资金107流动资金估算表107五、 总投资108总投资及构成一览表108六、 资金筹措与投资计划109项目投资计划与资金筹措一览表110第十六章 项目经济效益评价111一、 经济评价财务测算111营业收入、税金及附加和增值税估算表111综合总成本费用估算表112固定资产折旧费估算表113无形资产和其他资产摊销估算表114利润及利润分配表116二、 项目盈利能力分
8、析116项目投资现金流量表118三、 偿债能力分析119借款还本付息计划表120第十七章 招标及投资方案122一、 项目招标依据122二、 项目招标范围122三、 招标要求122四、 招标组织方式123五、 招标信息发布123第十八章 总结分析124第十九章 补充表格126主要经济指标一览表126建设投资估算表127建设期利息估算表128固定资产投资估算表129流动资金估算表130总投资及构成一览表131项目投资计划与资金筹措一览表132营业收入、税金及附加和增值税估算表133综合总成本费用估算表133固定资产折旧费估算表134无形资产和其他资产摊销估算表135利润及利润分配表136项目投资现
9、金流量表137借款还本付息计划表138建筑工程投资一览表139项目实施进度计划一览表140主要设备购置一览表141能耗分析一览表141第一章 市场预测一、 HDD转向数据中心存储获新生，磁记录靶材目前仍保持高速增长数据存储可分为光存储、磁存储与半导体存储，目前全球数据存储依然以磁记录为主，SSD短期仍然难以替代。数据存储可分为光存储、磁存储与半导体存储，近年来半导体存储发展迅速，预计光磁记录媒体市场会受到一定侵蚀。但从数据存储量来看，目前磁记录仍然占据主导记录，SSD短期仍然难以替代。传统的磁存储设备机械硬盘（HDD）由于其储存容量大、储存时间长且相对于SSD更加安全稳定的优点使得其在冷数据存
10、储（占全部数据的80%）中方面优势较大，目前数据中心存储也依然以机械硬盘为主.伴随着全球数据量的快速增长，机械硬盘出货容量也保持快速增长。2020年全球机械硬盘出货容量已超1ZB。光存储技术是用激光照射介质，通过激光与介质的相互作用使介质发生物理、化学变化，将信息存储下来的技术，主要包括CD、VCD、DVD、BD蓝光等技术。整体上来看CD等技术占存储比例较低。磁记录靶材则多以溅射法制作，常用材料为钴（3N）/镍/铁合金/铬/碲、硒（4N）/稀土-迁移金属（3N）等，主要包括铬靶、镍靶、钴靶。由于光记录媒体出货容量占比较小，因此本文仅考虑磁记录情况，按记录媒体的机械形状和驱动方式的不同，磁记录可
11、分为磁鼓、磁带（录音机、录像机、数据记录）、磁盘（硬盘、软盘）、磁卡等，其中，高密度硬盘领域的磁性薄膜几乎都是以溅射法制作的，这些磁记录薄膜材料有很高的记录密度。因此也要求溅射靶材具有高纯度、低气体含量、细晶微结构、均匀的金相、高磁穿透和使用率、优异的电性与机械特性等特点。磁记录靶材常用材料为钴（3N）/镍/铁合金/铬/碲、硒（4N）/稀土-迁移金属（3N）等，主要包括铬靶、镍靶、钴靶。我国磁记录靶材市场也依然以海外供应为主，中国生产磁记录靶材企业数量和产能也非常有限。全球机械键盘产量主要集中在东芝、西部数据、希捷三家企业，中国机械键盘产量较小，因此我国磁记录靶材市场也依然以海外供应为主。受益
12、于数据存储需求快速增长，全球磁记录媒体靶材依然维持较高增速，预估2025年全球记录媒体靶材金额约为101亿美元，2020-2025年年均复合增速约为10.6%。2013-2016年单位机械硬盘容量所需靶材金额约为0.049、0.048、0.053、0.056亿美元/EB，整体上相对稳定，因此假设2017-2020年该金额与2016年相同，可计算出2020年的全球记录媒体靶材金额约为61亿美元，2013-2020年年均复合增速约为15.6%。若假设单位机械硬盘容量所需靶材金额继续维持不变，参考全球HDD出货量情况，预估2025年的全球记录媒体靶材金额约为101亿美元，20-25年年均复合增速约为
13、10.6%。预估2020年我国记录媒体溅射靶材市场规模为到97亿元（折合14亿美元），2013-2020年年均复合增速约为8.9%。由于机械硬盘国产化水平极低，因此预计我国机械硬盘靶材市场也增长较为缓慢，参考2013-2016年记录媒体靶材同比情况，假设假设2017-2020年增速仍然维持在9%左右。预估2020年我国记录媒体溅射靶材市场规模已达到97亿元（折合14亿美元），我国记录媒体靶材市场规模较小，主要系我国机械硬盘国产化水平极低，以及记录媒体研发重心主要在半导体存储SSD，对传统的机械硬盘形成了一定替代。二、 应用趋势：下游技术革新，溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展芯片制程工
14、艺已经从130nm提升至7nm，晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变,，对溅射靶材性能要求大幅提升。溅射靶材的技术发展趋势与下游应用领域的技术革新息息相关，随着应用市场在薄膜产品或元件上的技术进步，溅射靶材也需要随之变化，随着半导体技术的不断发展，集成电路中的晶体管和线宽的尺寸越来越小。芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm，与之对应的晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变，此外台积电、三星等企业也正在加速推进更高端的芯片制程工艺研发与生产。为了满足现代芯片高精度、小尺寸的需求，对电极和连接器件的布线金属薄膜的性能要求越来越高，这就对溅射靶材的性能提出了更高的要求。推动溅射靶材逐步向大
15、尺寸、多品种、高纯度化发展。1、趋势1：大尺寸大尺寸是靶材的重要发展方向，但随尺寸增加，靶材在晶粒晶向控制难度呈指数级增加，对技术要求就越高。晶圆尺寸越大，可利用效率越高。.12英寸晶圆拥有较大的晶方使用面积，得以达到效率最佳化，相对于8英寸晶圆而言，12英寸的可使用面积超过两倍。大尺寸晶圆要求靶材也朝着大尺寸方向发展。2、趋势2：多品种半导体芯片行业常用的金属溅射靶材主要种类包括：铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材，以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材，其中铝与铜为两大主流导线工艺。目前芯片生产所使用的主流工艺中同时存在铝和铜两种导线工艺，一般来说110nm晶圆技术节点以上使用铝导线，110nm晶圆技术节点以下使用铜导线。钛靶和铝靶通常配合
