《三门峡半导体材料项目招商引资方案》由会员分享，可在线阅读，更多相关《三门峡半导体材料项目招商引资方案（138页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、泓域咨询/三门峡半导体材料项目招商引资方案目录第一章 市场预测7一、 封装材料7二、 半导体材料行业规模9三、 靶材11第二章 项目绪论13一、 项目概述13二、 项目提出的理由15三、 项目总投资及资金构成15四、 资金筹措方案15五、 项目预期经济效益规划目标16六、 项目建设进度规划16七、 环境影响16八、 报告编制依据和原则16九、 研究范围18十、 研究结论19十一、 主要经济指标一览表19主要经济指标一览表19第三章 项目背景分析21一、 硅片21二、 半导体材料26三、 进一步激发推动转型创新发展的动能29四、 打造国内大循环、国内国际双循环的重要支点31五、 项目实施的必要性
2、33第四章 项目承办单位基本情况35一、 公司基本信息35二、 公司简介35三、 公司竞争优势36四、 公司主要财务数据38公司合并资产负债表主要数据38公司合并利润表主要数据38五、 核心人员介绍39六、 经营宗旨40七、 公司发展规划41第五章 选址方案47一、 项目选址原则47二、 建设区基本情况47三、 建成郑洛西高质量发展合作带重要支撑区50四、 项目选址综合评价53第六章 产品规划方案54一、 建设规模及主要建设内容54二、 产品规划方案及生产纲领54产品规划方案一览表54第七章 发展规划56一、 公司发展规划56二、 保障措施62第八章 SWOT分析64一、 优势分析（S）64二
3、、 劣势分析（W）66三、 机会分析（O）66四、 威胁分析（T）67第九章 运营模式75一、 公司经营宗旨75二、 公司的目标、主要职责75三、 各部门职责及权限76四、 财务会计制度79第十章 项目环境保护83一、 环境保护综述83二、 建设期大气环境影响分析83三、 建设期水环境影响分析83四、 建设期固体废弃物环境影响分析84五、 建设期声环境影响分析84六、 环境影响综合评价85第十一章 节能说明86一、 项目节能概述86二、 能源消费种类和数量分析87能耗分析一览表87三、 项目节能措施88四、 节能综合评价89第十二章 进度规划方案91一、 项目进度安排91项目实施进度计划一览表
4、91二、 项目实施保障措施92第十三章 原辅材料分析93一、 项目建设期原辅材料供应情况93二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理93第十四章 投资计划95一、 投资估算的依据和说明95二、 建设投资估算96建设投资估算表100三、 建设期利息100建设期利息估算表100固定资产投资估算表101四、 流动资金102流动资金估算表103五、 项目总投资104总投资及构成一览表104六、 资金筹措与投资计划105项目投资计划与资金筹措一览表105第十五章 项目经济效益分析107一、 经济评价财务测算107营业收入、税金及附加和增值税估算表107综合总成本费用估算表108固定资产折旧费估算表109无
5、形资产和其他资产摊销估算表110利润及利润分配表111二、 项目盈利能力分析112项目投资现金流量表114三、 偿债能力分析115借款还本付息计划表116第十六章 项目招投标方案118一、 项目招标依据118二、 项目招标范围118三、 招标要求119四、 招标组织方式119五、 招标信息发布121第十七章 项目综合评价说明122第十八章 补充表格124主要经济指标一览表124建设投资估算表125建设期利息估算表126固定资产投资估算表127流动资金估算表127总投资及构成一览表128项目投资计划与资金筹措一览表129营业收入、税金及附加和增值税估算表130综合总成本费用估算表131利润及利润
6、分配表132项目投资现金流量表133借款还本付息计划表134本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 市场预测一、 封装材料芯片封装工艺流程包括来料检查、贴膜、磨片、贴片、划片、划片检测、装片、键合、塑封、打标、切筋打弯、品质检验，最终是产品出货。在这一过程中，就需要用到封装基板、引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、粘接材料等封装材料，这些材料是芯片完成封装出货的重要支撑。传统的IC封装采用引线框架作为IC导通线路与支撑IC的载体，连接引脚于导线框架的两旁或四周，如四侧引脚扁平封装（QuadFlatPac
7、kage，简称QFP）、方形扁平无引脚封装（QuadFlatNo-leads，简称QFN）等。随着技术发展，IC的线宽不断缩小，集成度稳步提高，IC封装逐步向着超多引脚、窄节距、超小型化方向发展。20世纪90年代中期，一种以球栅阵列封装（BallGridArray，简称BGA）、芯片尺寸封装（ChipScalePackage，简称CSP）为代表的新型IC高密度封装形式问世，从而产生了一种新的封装载体封装基板。在高阶封装领域，封装基板已取代传统引线框架，成为芯片封装中不可或缺的一部分，不仅为芯片提供支撑、散热和保护作用，同时为芯片与PCB母板之间提供电子连接，起着“承上启下”的作用；甚至可埋入无
8、源、有源器件以实现一定系统功能。封装基板在HDI板的基础上发展而来，是适应电子封装技术快速发展而向高端技术的延伸，作为一种高端的PCB，封装基板具有高密度、高精度、高性能、小型化及薄型化等特点。根据Prismark数据，2021年全球PCB行业产值为804.49亿美元，同比增长23.4%，预计2021-2026年全球PCB行业的复合增长率为4.8%。下游应用中，通讯占比32%，计算机占比24%，消费电子占比15%，汽车电子占比10%，服务器占比10%。从产品结构来看，IC封装基板和HDI板虽然占比不高，分别占比17.6%和14.7%，但却是主要的增长驱动因素。2021年全球IC封装基板行业整体
9、规模达141.98亿美元、同比增长39.4%，已超过柔性板成为印制电路板行业中增速最快的细分子行业。2021年中国IC封装基板（含外资厂商在国内工厂）市场规模为23.17亿美元、同比增长56.4%，仍维持快速增长的发展态势。预计2026年全球IC封装基板、HDI板的市场规模将分别达到214.35/150.12亿美元，2021-2026年的CAGR分别为8.6%/4.9%。预计2026年中国市场IC封装基板（含外资厂商在国内工厂）市场规模将达到40.19亿美元，2021-2026年CAGR为11.6%，高于行业平均水平。封装基板与传统PCB的不同之处在于两大核心壁垒：加工难度高、投资门槛高。从产
10、品层数、厚度、线宽与线距、最小环宽等维度看，封装基板未来发展将逐步精密化与微小化，而且单位尺寸小于150*150mm，是更高端的PCB，其中线宽/线距是产品的核心差异，封装基板的最小线宽/线距范围在10130m，远远小于普通多层硬板PCB的501000m。目前全球封装基板厂商主要分布在日本、韩国和中国台湾，根据Prismark和集微咨询数据，2020年封装基板市场格局较为分散，中国台湾厂商欣兴电子/南亚电路/景硕科技/日月光材料占比分别为15%/9%/9%/4%，产品主要有WB和FC封装基板；日本厂商揖斐电/新光电气/京瓷占比分别为11%/8%/5%，产品主要为FC封装基板；韩国厂商三星电机/
11、信泰电子/大德电子占比分别为10%/7%/5%，产品主要为FC封装基板。二、 半导体材料行业规模根据SEMI数据，2006-2021年全球半导体材料市场规模呈现波动并整体向上的态势，在2017年后，受益于消费电子、5G、汽车电子、IoT等需求拉动，行业规模呈上升趋势，2021年创历史新高，达到643亿美元，预计2022年将达到698亿美元，同比增长8.6%，预计2023年将超过700亿美元。分类型看，半导体材料主要分为晶圆制造材料和封装材料，根据SEMI数据，2006-2021年，晶圆制造材料市场规模稳步提升，从217亿美元提升至404亿美元，占比从58.3%提升至62.8%；封装材料市场规模
12、先升后降，从2006年的155.4亿美元提升至2011年的236.2亿美元高点之后，到2020年下降至204亿美元，2021年又上升至239亿美元，占比37.2%。预计2022年晶圆制造材料市场规模将达到451亿美元，同比增长11.5%，封装材料将达到248亿美元，同比增长3.9%。分国家/地区看，日本整体稳中略降，2021年为88.1亿美元，占比13.7%；北美维持基本稳定，2021年为60.4亿美元，占比9.4%；欧洲先降后升，2021年为44.1亿美元，占比6.9%；韩国整体呈上升趋势，2021年为105.7亿美元，占比16.4%；中国台湾亦呈上升趋势，2021年为147.1亿美元，占比
13、22.9%，为全球半导体材料市场规模最高的地区；中国大陆增速最快，从2006年至2021年增长超过4倍，2021年为119.3亿美元，占比18.6%。2021年中国半导体材料市场规模266.4亿美元，占比41.4%，为全球半导体材料市场规模最高的国家。在中美贸易战背景下，半导体国产替代已经成为产业共识，半导体材料作为晶圆制造及封装工艺的关键上游环节，国产厂商有望充分受益于中国晶圆厂扩产以及自主可控的红利，景气度持续提升。三、 靶材PVD技术是制备薄膜材料的主要技术之一，指在真空条件下采用物理方法，将某种物质表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基板材料表
14、面沉积具有某种特殊功能的薄膜材料的技术。PVD技术已成为目前主流镀膜方法，主要包括溅射镀膜和真空蒸发镀膜。用于制备薄膜材料的物质，统称为PVD镀膜材料。溅射镀膜是指利用离子源产生的离子，在真空中经过加速聚集，而形成高速度的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基板材料表面的技术。被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜材料的原材料，称为溅射靶材。溅射靶材主要由靶坯、背板（或背管）等部分构成，靶坯是高速离子束流轰击的目标材料，属于溅射靶材的核心部分。溅射镀膜工艺可重复性好、膜厚可控制，可在大面积基板材料上获得厚度均匀的薄膜，所制备的薄膜具有纯度高、致密性好
15、、与基板材料的结合力强等优点，已成为制备薄膜材料的主要技术之一，各种类型的溅射薄膜材料已得到广泛的应用，溅射靶材是目前市场应用量最大的PVD镀膜材料。真空蒸发镀膜是指在真空条件下，利用膜材加热装置（称为蒸发源）的热能，通过加热蒸发某种物质使其沉积在基板材料表面的一种沉积技术。被蒸发的物质是用真空蒸发镀膜法沉积薄膜材料的原材料，称之为蒸镀材料。真空蒸发镀膜技术具有简单便利、操作方便、成膜速度快等特点，主要应用于小尺寸基板材料的镀膜。以金属靶材为例，高纯溅射靶材产业链上游为金属提纯，包括原材料和生产设备，其中高纯金属原材料生产成本可占到靶材生产成本的大约80%，国外厂商包括斯塔克、住友化学、霍尼韦尔、大阪钛业等，中国厂商包括东方钽业、宁波创润、紫金矿业等；生产设备包括靶材冷轧系统、等离子喷涂设备、热处理炉等30多种。中游为高纯溅射靶材制备，国外厂商主要有日矿金
