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1、光控可控硅及其应用光控可控硅又称光激可控硅或光控硅晶闸管。其优点是通过主电路与控制电路的光藕合,可以抑制噪音干扰。主电路和控制电路相互隔离,容易满足对高压绝缘的要求。使用光控可控硅元件,不需要控制极触发脉冲变压器,可减小装置的体积与重量,提高可靠性。单个光控可控硅元件输出电流可达安培级,其大小不随光强变化而变化。由于上述特点,光控可控硅作为自动控制元件已广泛用于光继电器、自控、隔离、输人开关、光计数器、红外探测器、光报警器、光触发脉冲发生器、液位控制器等方面。七十年代末,出现了大功率光控可控硅元件,它主要用于大电流脉冲装置和高压直流输电系统。在高压输电系统中,对光控可控硅元件的要求有两点。一是
2、能用小功率光信号触发大功率光控可控硅元件,同时又不损坏可控硅的动态特性二是包括光源、光输送环节,光控可控硅元件在内的整个系统能可靠的运行。光控可控硅的结构与一般的可控硅元件一样。也是由PNPN四层构成。通常小功率光控可控硅元件只有两个极,即阳极和阴极。如果控制极引出,作用和可控硅一样,即在控制极和阴极之间加一定的触发电压,可使光控可控硅开通。当所加电压不够高时,虽不能导通,但可以提高它的光灵敏度。大功率光控大功率光控可控硅元件和大功率可控硅整流元件外形相似.光控可控硅元件的特性和普通可控硅相似,即具有单向导电性,电流只能由阳极流向阴极。在足够强的入射光照下可以导通。在一定光强范围内,光照越强,
3、开通越快。而且,一旦导通,就不再受光强影响,而能自动维持导通状态,直到加于元件的电压降至零或变为反向为止。和普通可控硅不同之处在于触发参数一是触发光功率加有正向电压的光控可控硅元件由阻断状态变为导通状态所需输人光功率,一般为几毫瓦到十几毫瓦二是光谱响应范围。与别的光电器件一样,光控可控硅元件也只对一定波光范围的光敏感,超出此范围,无论多强的光也不能导通它。光控可控硅元件的光谱范围大致在0.55-1.0微米之间,峰值波长约为0.85微米。适用于触发光控可控硅元件的光源有Nd、YAC激光器。GaAs发光二极管和激光二极管。对于小功率的光控可控硅元件,还可以根据具体情况选用具有合适波长的光源,如白炽
4、灯、太阳光等。图1光控可控硅元件的光触发有两种方式。一是直接触发，二是间接触发。图1-a,对于小功率光控可控硅元件可以采用这种触发方式。甚至不用光缆传送光信号,而让光靠近光控可控硅元件进行照射触发，或者把发光二极管或激光上极管与光控可控硅元件组装在一起，组成光祸合开关。图1-b是在高压大功率领域中最早获得应用的间接触发方式。图1-c是另一种简捷触发方式。选用光信号触发小电流的高压光控可控硅元件，然后，再用此小电流去触发普通快速大功率光控可控硅元件的应用较为广泛。在应用中，也存在不宜承受浪涌电压、电流冲击和过载能力等缺点。因此，在实际应用中应加以保护。一般情况下和保护普通可控硅的保护措施相同。小
5、光控可控硅元件是以开关工作的光控自动控制元件。在自动控制系统中得到广泛应用。大功率光控可控硅元件是用光控制的功率型开关元件。下面举几个实际应用的例子。：LC；R1H图2图2是一脉冲发生器电路。当接通EC时，电源通过R1向C充电，当光照射光控可控硅元件LCR时,LCR导通使C通过R2放电形成脉冲。光消失后,LCR又恢复到截止状态。从而R2在两端就形成了尖脉冲输出。图3图3是一双稳态电路。当光照LCR1上使之导通时，便被已充电电容器C两端的电压所强迫截止。此后，电容C即反向充电，待光照射在LCR2使之开通时,LCR1同样会被电容器两端电压所强迫截止,从而形成双稳态。图4图4是一交、直流负载控制电路。图中R、C是阻容吸收元件。用于抑制浪涌。电容器C1用于提高LCR对电压变化的耐受能力。电阻R1则用于提高抗干扰能爪力，以免误触发。R1减小时，抗干扰能力增强。R1通常取10-30千欧。总之，光控可控硅在实际中应用了旷泛。但要注意其应甩条件，并且要有必要的保护措施。
