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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(21) 申请号 CN200410082454. 4(22) 申请日 2004. 09. 22(71) 申请人国际商业机器公司地址美国纽约州(72) 发明人古川俊治；马克C 黑基；戴维V霍勒克；查尔斯W科伯格第三;彼得H米切尔(74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所代理人陶风波(51) Int.CI权利要求说明书说明书幅图(54)发明名称环绕栅极场效应晶体管(57)摘要形成具有环绕、垂直对准、双栅电极 的场效应晶体管。以具有埋入硅岛的绝缘硅 (SOI)结构开始，通过在SOI结构内产生空 腔，垂直参考边缘被限定并且在能够可靠进 行的两个回刻蚀步骤期间被使用。第一回刻 蚀以第一距离除去随后在其上方使用栅极导 体材料的氧化层的一部分。第二回刻蚀以第 二距离除去所述栅极导体材料的一部分。第 一和第二距离之间的差限定了最终器件的栅 极K度。在剥离氧化层之后，露出在所有四 个侧表面上环绕所述埋入硅岛的垂直栅电
