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1、系统辨识实验内容与要求实验题目：三温区空间晶体生长炉温度系统建模实验对象： 三温区空间晶体生长炉单晶体是现代电子设备制造技术的一个必不可少的部分，它应用广泛，如二极管、三极管等半导体器 件都需要用到单晶体。 组分均匀 ( compositional uniformity )、结晶完整 ( crystallographic perfection ) 的高质量晶体材料是保证电子设备性能重要因素。目前，单晶体制备主要靠晶体生长技术完成。其主要过程是：首先在坩埚等加热器皿中对籽晶进行加 热，使其由固相转变为液相或气相，再降低器皿中温度，使液相或气相的籽晶材料冷却结晶，就可得到最 终的单晶体。 这个过程
2、中， 为保证晶体的组分均匀和结晶完整， 必须使晶体内部各晶格的受力均匀。 因此， 为减小重力对晶体生长的影响，研究者提出在空间微重力环境下进行晶体生长的方案。我们研究的空间晶 体生长炉就是该方案中的晶体加热设备。我们研究的空间晶体生长炉采用熔体 Bridgman 生长方式，其结构如图 1 所示。炉身由三部分构成： 外筒、炉管以及炉管外部的隔热层。炉管由多个加热单元组成，每个加热单元组成一个温区。加热单元由 导热性能良好的陶瓷材料制成， 两个加热单元之间有隔热单元隔开。 加热单元的外测均匀缠绕加热电阻丝， 内侧中间部位安装有测温热电偶。炉管外部的隔热层由防辐射绝热材料制成。微重力环境下，晶体内部
3、各晶格之间的热应力是影响晶体生长质量的关键因素，而热应力是由炉内温 场决定的。因此，必须对晶体炉内各温区的温度进行控制，以构造一个具有一定的梯度的、满足晶体生长 需要的温场。工作时，将装有籽晶的安瓿管按一定的速度插入晶体炉炉膛内，通过控制流过各温区加热电 阻丝的电流控制炉内温场，通过热电偶在线获取各温区的实时温度值，进行闭环控制， 。其中，流过电阻 丝的电流通过 PW(脉宽调制)方式进行控制。另外，由于晶体炉工作温度的变化范围比较大，传感器热 电偶难以在全量程范围内保持很高的线性度，因此，使用的热电偶的电压读数与实际温度值间需要进行查 表变换。本实验内容是运用系统辨识的方法建立晶体炉中某个温区
4、的动力学模型，辨识数据已给出，见 SI_Data.xls 文件。图1三温区空间晶体生长炉的结构图实验步骤：a）试验设计输入信号采用方波信号对系统进行激励，如下图所示N%(-N+5%-N-5%N%Ts （/4s）首先选择系统的工作点，然后控制系统的输入使系统到达工作点并处于稳态，记录此时的输入脉宽为N%然后按上图所示的脉宽变化方法来激励系统，每次都要等系统过渡过程结束进入稳态后再改变脉宽。b）数据预处理（实测原始数据见文件SI_Data.xls ，第一列为系统的输出值，单位毫伏（ MV ,第二列为系统的输入值，单位百分比（%，采样周期为1秒）通常，通过辨识实验收集的数据是不能直接用于辨识算法中的
5、，这些数据中可能存在以下几种缺陷：噪声野点需要进行的数据预处理方法：野点剔除数据归一化 低通滤波c）模型阶次 / 结构选择：参数模型以及非参数模型，阶次以及纯时延的选择d）参数估计：最好不要用 matlab 提供的函数 , 自己根据教材中相应算法的描述来写辨识代码，但可 以用 Matlab 提供的函数来粗略估计系统的参数e）模型校验在校验过程中，最好使用在模型估计中没有用到的数据序列实验内容：要求使用的辨识算法：批量最小二乘估计算法递推最小二乘估计算法 渐消记忆递推最小二乘估计算法 增广最小二乘法渐消记忆递推增广最小二乘估计算法 广义最小二乘法（ 选做 ） 相关辨识法 （ 选做 ）报告要求：1. 选择的系统模型类2. 辨识的原理，方法和公式3. 辨识的源程序4. 辨识结果5. 辨识结果和实际系统输出的偏差曲线6. 详细分析和比较所获得的参数辨识结果，说明所用参数辨识方法的优缺点
