模拟电子技术基础期末复习题

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1、-填空题1在常温下,硅二极管的门槛电压约为V,导通后在较大电流下的正向压降约为V;锗二极管的门槛电压约为V,导通后在较大电流下的正向压降约为 V。3、二极管的最主要特性是。结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层。5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大局部,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为电子技术。6、PN结反向偏置时,PN结的电场。PN具有特性。8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由载流子的运动形成。9、P型半导体的多子为、N型半导体的多子为、本征半导体的载流子为。12、在常温下,硅二极管的开启电压约为V,导通后在较大电流下的正向压降约为V。1

2、5、N型半导体中的多数载流子是,少数载流子是。16、按一个周期一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为、三种根本类型。17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是电容,影响高频信号放大的是电容。18、在NPN三极管组成的根本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的增加,则IBQ,ICQ,UCEQ。19、三极管的三个工作区域是,。集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大电路。20、*放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V, Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是 管材料,型的三极管,该管的集电极是a、b、c中的。21、*两级放大电路

3、中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 dB,总的电压放大倍数为。22、 三极管实现放大作用的外部条件是:。*放大电路中的三极管,测得管脚电压Va = -1V,Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 这是管硅、锗,型,集电极管脚是。23、三种不同耦合方式的放大电路分别为:、和_ _,其中能够放大缓慢变化的信号。24、在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的,而前级的输出电阻可视为后级的。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带。25、*放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12k的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为。26、

4、为了保证三极管工作在放大区,要求:发射结偏置,集电结偏置。对于型三极管,应使VBC。28、在三种不同组态的放大电路中,组态有电压放大作用,组态有电流放大作用,组态有倒相作用;组态带负载能力强,组态向信号源索取的电流小,组态的频率响应好。31、在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察VO和VI的波形,则VO和VI的相位差为;当为共集电极电路时,则VO和VI的相位差为。33、晶体管工作在饱和区时,发射结,集电结;工作在放大区时,集电结,发射结。填写a正偏,b反偏,c零偏41、场效应管属于型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是型器件。42、场效应管是器件,只依靠导电。43、根据场效应

5、管的输出特性,其工作情况可以分为、和截止区四个区域。48、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中,效率最低的电路为,为了消除交越失真常采用电路。49、乙类功放的主要优点是,但出现交越失真,克制交越失真的方法是。51、双电源互补对称功率放大电路OCL中VCC=8v,RL=8,电路的最大输出功率为,此时应选用最大功耗大于功率管。52、差动放大电路中的长尾电阻e或恒流管的作用是引人一个反应。53、*差动放大电路Ad=100、KCMR=60dB,则其AC=。集成电路运算放大器一般由、中间级、输出级、四局部组成。55、差动放大电路能够抑制和。56、电路如图1所示,T1、T2和T3的特性完全一样,则I2 mA

6、,I30.2mA,则R3 k。图158、正反应是指;负反应是指。 59、电流并联负反应能稳定电路的,同时使输入电阻。60、负反应对放大电路性能的改善表达在:提高、减小、抑制、扩展、改变输入电阻和输出电阻。61、为了分别到达以下要求,应引人何种类型的反应:降低电路对信号源索取的电流:。当环境温度变化或换用不同值的三极管时,要求放大电路的静态工作点保持稳定:。稳定输出电流:。62、电压串联负反应能稳定电路的,同时使输入电阻。63、*负反应放大电路的开环放大倍数=100000,反应系数0.01,则闭环放大倍数。64、负反应放大电路产生自激振荡的条件是。65、负反应放大电路的四种根本类型是、。67、理

7、想集成运算放大器的理想化条件是Aud=、Rid=、KCMR=、RO=。71、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是和。74、如果有用信号频率高于1000Hz, 可选用滤波器;如果希望500 Hz以下的有用信号,可选用滤波器。76、有用信号频率高于1000Hz, 可选用滤波器;希望抑制50 Hz的交流电源干扰,可选用滤波器;如果希望只通过500Hz到1kHz的有用信号,可选用滤波器。77、根据工作信号频率围滤波器可以分为:低通滤波器、带通滤波器及。79、通用型集成运算放输入级大多采用电路, 输出级大多采用电路。80、正弦波振荡电路是由、 、选频网络、四个局部组成。81、正弦波振荡电路产生振荡

8、时,幅度平衡条件为,相位平衡条件为。82、信号发生器原理是在电路负反应时= ,例如电路。在正反应时= ,例如振荡电路。83、石英晶体振荡器是的特殊形式,因而振荡频率具有很高的稳定性。86、RC正弦波振荡电路到达稳定平衡状态时有:=、=、=。87、正弦波自激振荡电路振荡的平衡条件是、。88、正弦波振荡电路起振的条件是和。90、为了稳定电路的输出信号,电路应采用反应。为了产生一个正弦波信号,电路应采用反应。91、直流电源是将电网电压的转换成的能量转换电路。93、直流电源一般由以下四局部组成,他们分别为:电源变压器、滤波电路、电路和电路。稳压集成电路W7810输出电压 V。94、将交流电变换成脉动直

9、流电的电路称为整流电路;半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压即变压器副边电压有效值的倍;全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压即变压器副边电压有效值的倍。 98、小功率稳压电源一般由、等四局部构成。100、串联反应式稳压电路由、四局部组成。单项选择题1、半导体二极管加正向电压时,有 A、电流大电阻小 B、电流大电阻大C、电流小电阻小 D、电流小电阻大2、PN结正向偏置时,其电场被 A、削弱 B、增强 C、不变 D、不确定3、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于 A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态4、在本征半导体中

10、掺入构成P型半导体。A、3价元素B、4价元素 C、5价元素 D、6价元素5、 PN结VI特性的表达示为 A、 B、C、 D、6、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带 A、变宽 B、变窄 C、不变 D、与各单级放大电路无关7、*放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12k的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为 A、 10k B、2k C、4k D、3k8、三极管工作于放大状态的条件是 A、发射结正偏,集电结反偏 B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结正偏 D、发射结反偏,集电结反偏10、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源VCC应当 A

11、、短路 B、开路 C、保存不变 D、电流源11、带射极电阻Re的共射放大电路,在并联交流旁路电容Ce后,其电压放大倍数将A、减小 B、增大 C、不变 D、变为零12、有两个放大倍数一样,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有阻的信号源电压进展放大。在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的 A、输入电阻大 B、输入电阻小 C、输出电阻大 D、输出电阻小13、为了使高阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入 A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、共集-共基串联电路14、*NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示,当VCE=6V,其电流放大系数

12、为 图1A、=100 B、=50C、=150 D、=2515、测量放大电路中*三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V,见图2所示则此三极管为 图2A、PNP型锗三极管 B、NPN型锗三极管 C、PNP型硅三极管 D、NPN型硅三极管 16、多级放大电路的级数越多,则其 A、放大倍数越大,而通频带越窄 B、放大倍数越大,而通频带越宽C、放大倍数越小,而通频带越宽 D、放大倍数越小,而通频带越窄17、当放大电路的电压增益为-20dB时,说明它的电压放大倍数为 A、20倍 B、-20倍 C、-10倍 D、0.1倍18、当用外加电压法测试放大器的输出电阻时,要求 A、独立信号源短路,负载开路 B、

13、独立信号源短路,负载短路C、独立信号源开路,负载开路 D、独立信号源开路,负载短路19、场效应管放大电路的输入电阻,主要由决定A、管子类型 B、gm C、偏置电路 D、VGS20、场效应管的工作原理是 A、输入电流控制输出电流 B、输入电流控制输出电压C、输入电压控制输出电压 D、输入电压控制输出电流21、场效应管属于 A、单极性电压控制型器件 B、双极性电压控制型器件C、单极性电流控制型器件 D、双极性电压控制型器件22、如图3所示电路为 图3A、甲类OCL功率放大电路 B、乙类OCL功率放大电路C、甲乙类OCL功率放大电路 D、甲乙类OTL功率放大电路23、与甲类功率放大方式比拟,乙类OCL互补对称功放的主要优点是 A、不用输出变压器 B、不用输出端大电容 C、效率高 D、无交越失真24、与乙类功率放大方式比拟,甲乙类OCL互补对称功放的主要优点是 A、不用输出变压器 B、不用输出端大电容 C、效率高 D、无交越失真2

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