《模拟电子技术基础练习五》由会员分享，可在线阅读，更多相关《模拟电子技术基础练习五（10页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、模拟电子技术基础练习五1、比较硅二极管与锗二极管的性能差别，用“大”、“小”在表中填空。比较项目 二极管类型、死区电压 （阈值电压）反向电流相同正向电流 下的正向压降小功率硅管小功率错管2、图中VT为小功率硅晶体管，当&不同，VT可能处于放大、饱和、截止状态，把不同状态b下基射极电压UBE、集射极电压UCE的大致数值范围填入表内。晶体管状态 结电压放大饱和截止UBEUCE+ V CC(+9V)3、图中VT为小功率锗晶体管当R不同时，VT可能处于放大、饱和、截止状态。把不同状态b下基射极电压UBE、集射极电压UCE的大致数值范围填入表内。晶体管状态 结电压放大饱和截止UBEUCE+ V C C(
2、+12V)4、填空：晶体管的共射交流电流放大系数0定义为与之比，共基交流电流放大系数定义为与之比。已知某晶体管的 =0.99，那么该管的0。5、填空:晶体管的共射直流电流放大系数 歹近似为 电流与电流之比，共基直流电流放大系数近似为 电流与电流之比。已知某晶体管的歹=50，那么该管的 。6、填空:双极型晶体管的发射极电流放大系数 0反映了极电流对极电流的控制能力；而单极型场效应管常用参数反映对的控制能力。7、组成图示复合管的VT和VT2的0均不小于10,它们的极限参数如表中所列，作为复合管的 极限参数约等于多少？请填入表中。额定功耗最大集电极电流c e极击穿电压VT1300mW200mA50V
3、VT21.5W1A80V复合管8、组成图示复合管的VT】和VT2的0均不小于10,它们的极限参数列于表中，作为复合管的极 限参数约等于多少？请填入表中。额定功耗最大集电极电流c e极击穿电压VT】500mW300mA50VVT23W2A100V复合管V T19、某放大电路在接有2k负载电阻时，测得输出电压为3V,在输入电压不变的情况下断开负载电阻，输出电压上升到7.5V,说明该放大电路的输出电阻为。10、已知某放大电路的输出电阻为3kQ,在接有4応负载电阻时，测得输出电压为2V。在输入电压不变的条件，断开负载电阻，输出电压将上升到 。11、某放大电路当接接入一个内阻等于零的信号源电压时，测得输
4、出电压为5V,在信号源内阻 增大到1kQ,其它条件不变时，测得输出电压为4V,说明该放大电路的输入电阻为12、用正确的词语填空。射极跟随器在连接组态方面属共极接法，它的电压放大倍数接近，输入电阻很，输出电阻很。13、放大电路的输入信号频率升高到上限截止频率时，放大倍数幅值下降到中频放大倍数的倍，或说下降了dB;放大倍数的相位与中频时相比，附加相移 约为度。14、当阻容耦合放大电路的输入信号频率下降到下限截止频率时，放大倍数的幅值下降到中频放 大倍数的倍，或者说下降了dB；放大倍数的相位与中频时相 比，附加相移约为度。15、已知某放大电路的电压放大倍数的复数表达式为：f1000 j -（式中f的
5、单位为Hz ）10f j105f1 j 1101该放大电路的中频电压增益为dB；2上限截止频率为H Z；3下限截止频率为Hz ；4当输入信号频率为 1MHz 时，电压增益约 为dB ， A 的相位角约为u16、上限截止频率为 1MHz 的两个相同的单级放大电路连接成一个两级放大电路，这个两级放 大电路在信号频率为 1MHz 时，放大倍数的幅值下降到中频放大倍数的 倍，或者说下降了 dB,放大倍数的相位与中频时相比，附加相移约为。17、下限截止频率为10Hz的两个相同的单级放大电路连接成一个两级放大电路，这个两级放大电路在信号频率为10Hz时，放大倍数的幅值下降到中频放大倍数的倍，或者说下降了d
6、B，放大倍数的相位与中频时相比，附加相移约为。18、某放大电路的幅频特性如图所示。该放大电路的中频电压放大倍数|a |约为，um上限截止频率fH约为Hz，下限截止频率f约为Hz。19、某放大电路的幅频特性如图所示。该放大电路的中频电压放大倍数A 约为,um上限截止频率韦约为Hz，下限截止频率f约为Hz。f /Hz20、放大电路如图所示。各晶体管参数相同，当环境温度（T）变化，如温度下降（用T表示）, 在分析该电路抑制温漂，稳定工作电流原理后，用箭头（增大用 表示，减小用 表示）填画下列 各电量后的括号：T( ) I()UB5 ()I5()11叫()UB3=UB4 ()UE3= UE4 ()1(
7、)。21、三种电流源电路如图所示。试比较在一般情况下它们的性能后，填空：1接近理想电流源的电路是；2输出电阻可能最小的电路是；3受温度影响最大的电路是。0(a )R0( b )+VVT2I 0( c )22、比较图示中的三个电路，填空：1不能用作恒流源的电路是;2可用作恒流源，且更接近于基准电流Iref的电路是；3可用作恒流源，且电流I。受温度影响最小的电路是。022RV TVT 2( a )( b )( c )，存在的主23、填空：1集成运算放大器是一种采用耦合方式的多级放大电路，因此低频性能 要问题是 。2通用型集成运算放大器的输入级大多采用放大电路，输出级大多采用电路，偏置 电路采用 电
8、路。3.集成运算放大器的两个输入端分别为输入端和输入端，前者的极性与输出端, 后者的极性与输出端。24、由集成运放A和晶体管VT广VT 2等元器件组成的反馈放大电路如图所示。试分析其中的交 流反馈，填写下列空格：该电路级间交流反馈通路由元件组成，其反馈极性为反馈，其反馈组态为。25、填空：1已知某放大电路在输入信号电压为lmV时，输出电压为IV ;当引入负反馈后达到同样的 输出电压时需外加输入信号电压为10mV，由此可知所加的反馈深度为dB，反馈系数约为dB。2若要求负反馈放大电路的闭环电压增益A为40dB，而且当开环电压增益人口变化10%时uf uA 的变化为 1 % ，则其反馈深度为dB
9、，开环电压增益 Au 应为uf u dB 。26、填空：1已知某负反馈放大电路的反馈深度为20dB，又已知开环时的输出电阻为lk ，若引入的是 电压负反馈，则闭环时环内的输出电阻将变为;若引入的是电流负反馈，则闭环 时环内的输出电阻将变为。2. 已知某负反馈放大电路的反馈深度为20dB，又已知开环时的输入电阻为10k ，若引入的是 串联负反馈，则闭环时环内的输入电阻将变为;若引入的是并联负反馈，则闭环 时环内的输入电阻将变为。27、填空：dA若要求某电流串联负反馈放大电路由开环增益的相对变化量一计10 %下降为闭环增益相AiudA对变化量一if1%,又要求其闭环增益A 9mS，则开环增益A =
10、，此时Aiufiuiuf的反馈系数F =。ui28、如图所示直流稳压电源，填空：1.输出电压 UO1 =.V, UO2 =V ；2电容J的极性为上下,C2的极性为上下。UO2UO129、如图所示直流稳压电源，填空：1.输出电压 UO1 =V, UO2 =V ；2 电容C的极性下,C 2的极性为上下。500 FUO10UO230、如图所示直流稳压电源，已知W7805为三端稳压器，A为理想运放。填空：输出电压UO1 V，UO2=V。V %=V。1232、如图所示直流稳压电源中，已知 = -, W7812为三端稳压器，A可视为理想运放。填空：1. U =V；O12.R=2C1233、图示电路为串联型
11、开关电源示意图。已知：输入直流电压U是直流电压；开关S的开关周I期为T，每个周期中开关的接通时间为T ;电感L上的直流压降可忽略不计。选择填空：填入图K中元器件名称：S、VD、L和C。1 的作用是将输入的直流电压转换成脉冲电压；2.的作用是将脉冲电压滤波成直流电压；3. 的作用是在开关从接通变为断开时，在电感L自感电动势的作用下，使负载Rl继续有电流流过，并防止L可能出现的高自感电动势。34、填空：1. 甲类功率放大电路中，放大管的导通角 =，乙类功率放大电路中，放大管的导通角 ；2. 由于乙类功率放大电路会产生失真，所以要改进电路。常使放大管工作在类状态。35、填空：1. 在输出功率增大时，甲类功率放大电路中，放大管的管耗将；2. 与甲类功率放大电路相比，乙类功率放大电路的效率 ，其最大值为；若乙类功率放大电路的最大输出功率为10W，则其功放管的最大集电极耗散功率Pcm至少应取多少W。36、如图所示OCL电路，已知输入电压u.为正弦波，电容C对交流信号可视为短路，三极管iVT1、VT 2的饱和管压降可忽略不计，电路的交越失真可忽略不计。填空：1.静 态时 ，三 极管的基极 电位 U =V ， 发射 极电位BQU =V，输出端电位U =；EQO2负载电阻R.上可能获得的最大输出功率表达式P =，其数值为L omW 。
