一种硫酸钙晶须弥散增强的高导热氮化铝

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19)中华人民共和国国家知识产权局(12 )发明专利申请(10)申请公布号CN105367110A(43)申请公布日2016.03.02(21)申请号 CN201510706731.2(22)申请日 2015.10.27(71)申请人 合肥龙多电子科技有限公司地址231600 安徽省合肥市肥东县新城开发区(72)发明人 王丹丹;王乐平;夏运明;涂聚友(74)专利代理机构 安徽合肥华信知识产权代理有限公司代理人 余成俊(51)Int.CIC04B35/81;C04B35/582;权利要求说明书 说明书 幅图(54)发明名称一种硫酸钙晶须弥散增强的高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及 其制备方法(57)摘要本发明公开了一种硫酸钙晶须弥散增强的 高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料,该材 料将氮化铝和碳化硅粉体混合使用,具备高的导 热和环保性,以季铵盐离子液体、无水乙醇等制 备的复合溶剂较之传统的有机溶剂表面张力更 低,对粉体的浸润性更佳,可有效的改善物料间

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