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1、这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三 类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为 X7R；能用级（III）的介质材料Y5V。X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55C到+125C时其容量 变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变 化，大约每10年变化1%A C,表现为10年变化了约5%。X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可 以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比
2、较大。COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次递减 的，不同材质的频率特性也是不同的。NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于 填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容 量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选 用不同的电容器。一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由 铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的 电容器之一。在温度从-55C到+125C时容量变化为030ppm/C，
3、电容量随频 率的变化小于土0.3A C。NPO电容的漂移或滞后小于土0.05%,NPO（COG）多层片式陶瓷电容器，它只是一种电容COG （Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。这种安装方式可以大大减小 LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机, PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD 的主要连接方式。相对大于土 2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的 变化小于土0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的 特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
4、下表给出了 NPO电容 器可选取的容量范围。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。二X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55C到+125C时其容量 变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变 化，大约每10年变化1%A C,表现为10年变化了约5%。X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可 以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表 给出了 X7R电容器可选取的容量范围。三Z5U电容器Z5
5、U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范 围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电 容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工 作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电 阻(ESR )低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路 的应用中。下表给出了 Z5U电容器的取值范围。Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围+10C - +85C温度特性 +22%56%介质损耗最大4%四Y5V电容器Y5V电容器是一种
6、有一定温度限制的通用电容器，在-30C到85C范围内其容量 变化可达+22%到-82%。Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7F电容器。Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围-30C - +85C温度特性 +22%82%介质损耗最大5%五，NPO(COG)多层片式陶瓷电容器，它只是一种电容。COG (Chip On Glass)即芯片被直接邦定在玻璃上。这种安装方式可以大大减小 LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机, PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD 的主要连接方式。X7R与X5R材质的
7、温度系数不同。X5R材质所能做出来的电容容值会更高一些， 与X7R同样容值电压的电容相比，X5R的价格也要便宜一些。NPO (C0G)具有温 度补偿特性，精度能做到5%,但是不能做到太高的容值。X是最低温度-55度7是最高承受温度125度R是使用温度内容值变化的范围 +-15%同理X5R只是最高温度为85度X7R和X5R是EIA的代码，表示不同的温度特性，温度变化率相同，都是 15%,只是X7R上限工作温度是125度，X5R上限是85度，从材料上 来说，比较接近，都是BT作为主烧块的陶瓷材料，X5R的K值大点，可以做 更大的容量，一般大容量的MLCC都是X5R，不能用X7R做.电容参数X5R,
8、 X7R, Y5V，COG等代表什么意思呢这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的 值也对应着一定的电容容量的范围。具体来说，就是：X7R常用于容量为3300pF0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合， 电介质常数比较大，当温度从0C变化为70C时，电容容量的变化为15%；Y5P与Y5V常用于容量为150pF2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化， 电容容量变化范围为10%或者+22%/-82%。对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。例如，X5R的意思就 是该电容的正常工作温度为-55C+85C,对应的电容容量变化为15%。表4-1
9、电容的温度与容量误差编码低温高温容量变化X: -55 C4+65 CA1.0%Y: -30 C5+85 CB1.5%Z: +10 C6+105 CC2.2%7+125 CD3.3%8+150 CE4.7%9+200 CF7.5%P10%R15%S22%T+22% -33%U+22% -56%V+22% -82%在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的X5R，X7R，Y5V，COG 等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文献， 现在翻译出来奉献给大家。这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的 值也对应着一定的电容容量的范围。具体
10、来说，就是：X7R常用于容量为3300pF0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合， 电介质常数比较大，当温度从0C变化为70C时，电容容量的变化为15%； Y5P与Y5V常用于容量为150pF2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化， 电容容量变化范围为10%或者+22%/-82%。对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。例如，X5R的意思就 是该电容的正常工作温度为-55C+85C,对应的电容容量变化为15%。 表4-1电容的温度与容量误差编码下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用 以及 采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
11、不同的公司对于上述不同性能的电 容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司 的产品请参照该公司的产品手册。NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的 填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不 同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器 时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由 铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的 电容器之一。在温度从-55C到+125C时容量变化为030p
12、pm/C，电容量随频 率的变化小于土0.3A C。NPO电容的漂移或滞后小于土0.05%,相对大于土 2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命 的变化小于土0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化 的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了 NPO 电容器可选取的容量范围。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。 二X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55C到+125C时其容量 变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。X7R电容器的容量在不同的电压和频率
13、条件下是不同的，它也随时间的变化而变 化，大约每10年变化1%A C,表现为10年变化了约5%。X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可 以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表 给出了 X7R电容器可选取的容量范围。三Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范 围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电 容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工 作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积
14、、等效串联电感（ESL）和等效串联电 阻（ESR ）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路 的应用中。下表给出了 Z5U电容器的取值范围。Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围+10C - +85C温度特性 +22%56%介质损耗最大4%四Y5V电容器Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30C到85C范围内其容量 变化可达+22%到-82%。Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7F电容器。Y5V电容器的取值范围如下表所示Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围-30C - +85C温度特性+22%-82%介质损耗最大5%贴片电容器
15、命名方法可到AVX网站上找到。NP0,X7R及Y5V电容的特性及主要用途NPO的特性及主要用途属1类陶瓷介质，电气性能稳定，基本上不随时间、温度、电压变化，适用于高 可靠、高稳定的高额、特高频场合。特性：电容范围 1pFO.luF (l0.2V rms 1MHz)环境温度：-55C+125C组别：CG温度特性：030ppm/C损耗角正切值：15x10-4绝缘电阻：21OGQ抗电强度：2.5倍额定电压5秒 浪涌电流：W50毫安X7R的特性及主要用途属2类陶瓷介质，电气性能较稳定，随时间、温度、电压的变化，其特性变化不 明显，适用于要求较高的耦合、旁路、源波电路以及10兆周以下的频率场合。 特性：电容范围 300p F 3.3uF (1.00.2V rms 1KHz)环境温度：-55C+125C组别：2X1温度特性：15%损耗角正切值：100Vol ts: 2.5% max50V olts: 2.5% max25Vol ts: 3.0% max16V olts: 3.
