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1、一、判断题(本题共10分，对则打“”，不对则打“”)1压电传感器的电压灵敏度及电荷灵敏度不受外电路的影响。 ( )2将传感器做成差动式可以提高灵敏度、改善非线性、实现某些补偿。 ( )3压电式传感器在后接电荷放大器时，可基本消除电缆电容的影响，而且可以实现对变化缓慢的被测量的测量。 ( )4只要保证两组相对桥臂阻抗大小之积相等这一条件，就可使直流电桥及交流电桥达到平衡。 ( )5磁电式传感器由于存在运动部分，因此不能用于高频测量。 ( )6测量小应变时，应选用灵敏度高的金属应变片；测量大应变时，应选用灵敏度低的半导体应变片。 ( )7由于霍尔式传感器输出的霍尔电势与控制电流及所处的磁场强度的乘
2、积成正比，因此可用作乘法器。 ( )8压电式传感器的电荷灵敏度与外电路（连接电缆、前置放大器）无关，电压灵敏度则受外电路的影响。 ( )9用差动变压器式电感传感器测量位移时，直接根据其输出就能辨别被测位移的正负极性。 ( )10半导体应变片的灵敏度比金属应变片高，线性和稳定性也比后者好。 ( )11差动螺管式自感传感器与差动变压器式互感传感器的结构相似，都是把被测位移的变化转换成输出电压的变化。 ( )12由于线圈可以做得比较轻巧，因此动圈式磁电传感器可以用来测量变化比较快的被测量，而动铁式磁电传感器则不能。 ( )13压电式传感器的电荷灵敏度只取决于压电材料本身，而电压灵敏度则还与外电路的电
3、气特性有关。 ( )14测量小应变时，应选用金属丝应变片，测量大应变时，应选用半导体应变片。 ( )15测量小应变时，应选用灵敏度高的金属丝应变片，测量大应变时，应选用灵敏度低的半导体应变片。 ( )16作为温度补偿的应变片应和工作应变片作相邻桥臂且分别贴在与被测试件相同的置于同一温度场的材料上。 ( )17交流电桥可测静态应变，也可测动态应变。 ( )18电荷放大器使压电加速度计输出的电荷量得到放大，由此而得电荷放大器的名称。( )19由于存在横向效应，所以用金属丝应变片单独测定横向应变时，其灵敏度比测定纵向应变要低。 ( )20接触式测温是基于热平衡原理进行的，非接触式测温是基于热辐射原理
4、进行的。 ( )21同一材料构成的热电偶，即使两端点温度不等，也不会形成热电势。 ( )22压电式传感器与电压放大器配合使用时，传感器的灵敏度与电缆长度无关。 ( )二、填空1某些传感器常做成差动式使用，其优点是（ ），（ ）和（ ）。2压电式传感器的后面可连接两种测量电路，它们是（ ），（ ）。3金属应变片是基于材料的（ ）效应工作的，半导体应变片是基于材料的（ ）效应工作的，压电传感器是基于材料的（ ）效应工作的。4属于结构型传感器的有（ ）、（ ）等，属于物性型传感器的有（ ）、（ ）等。5出于负载效应的考虑，压电式加速度计的质量应尽可能地（ ）。6光栅传感器具有（ ）作用，它可基本上消
5、除栅线刻划误差的影响。7差动变压器式传感器是将被测位移量的变化转换成线圈（ ）的变化，通常两个次级线圈要求（ ）连接。8用电容式传感器测量液位、薄膜厚度等参数时，其型式属于（ ）。9压电效应分为有：（ ）、（ ）11传感器的作用是（ ），它通常由（ ）元件和（ ）元件两部分组成。12在各种型式的电容传感器中，以（ ）型电容传感器的灵敏度最高。13光电元件是基于半导体材料的（ ）效应工作的。14压电式传感器在后接（ ）放大器时，由于电路存在比较明显的放电效应，因此不能对缓慢变化的被测量进行测量。15将被测量的变化转换成敏感元件结构参数的变化的传感器称为（ ）型传感器，利用敏感元件材料物理性质的某
6、一特点工作的传感器称为（ ）型传感器。三、选择正确的答案填空。（10分）1半导体应变片是基于材料的（ ）工作的。A应变效应 B压阻效应C热电效应 D压电效应2电容传感器中灵敏度最高的是（ ）。A极距变化型 B面积变化型C介质变化型3为提高应变电桥的灵敏度，可采取（ ）。A半桥双臂各串联一片电阻应变片； B半桥双臂各并联一片电阻应变片；C适当提高供桥电源的电压； D增加应变片的电阻值。4（ ）传感器属于根据敏感元件材料本身的物理性质变化而工作的物性型传感器。A电感式 B电容式C磁电式 D压电式5在电容传感器的测量电路中，（ ）可以使输出电压的幅值与传感器极板间隙成正比。A交流电桥 B调频电路C运
7、算式电路6电阻应变片的灵敏度定义为（ ）。A应变片的电阻变化与应变之比； B应变片电阻的相对变化与应变之比；C应变片的电阻变化与形变之比； D应变片电阻的相对变化与形变之比。7可以实现非接触测量的传感器是（ ）。A差动变压器 B压电传感器C变阻器式传感器 D涡流式传感器8下述参量的测量属于间接测量法的是（ ）。A用天平测量物体质量； B用弹簧秤称物体重量；C声级计测声强级； D线圈靶测速。 9磁感应测速传感器中的速度线圈之所以用两个线圈串联而成，其作用主要为（ ）。A提高传感器的灵敏度及改善线性；B提高传感器的灵敏度及改善频响特性；C改善传感器的频响特性及补偿永久磁铁在线圈铁心垂直方向上的微小
8、跳动对感应电动势的影响；D提高传感器的灵敏度及补偿永久磁铁在线圈铁心垂直方向上的微小跳动对感应电动势的影响；10压电式加速度计测量系统的工作频率下限取决于（ ）。A压电测压传感器的力学系统的频率特性；B压电晶体的电路特性；C测量电路的时间常数； D放大器的时间常数。11压电加速度测量系统的工作频率下限取决于（ ）。A加速度力学系统的频率特性；B压电晶体的电路特性； C测量电路的时间常数。12在光作用下，使物体的内部产生定向电动势的现象，称（ ）效应。A内光电； B外光电；C热电； D阻挡层光电13（ ）传感器是根据敏感元件材料本身的物理性质变化而工作的。A差动变压器式； B变间隙电容式；C变阻
9、器式； D电压式14半导体电阻应变片在测量某一构件应变时，其电阻的相对变化主要是由（ ）引起。A半导体电阻率的变化； B半导体几何尺寸的变化；C贴片位置的温度变化； D供桥电源的变化。15压电式加速度计测量系统的工作频率下限取决于（ ）。A加速度计力学系统的频率特性；B压电晶体的电路特性； C测量电路的时间常数。16压电式加速度传感器的阻尼率一般为（ ）。A1； B0.7071；C=0.707； D0.707。17金属丝应变片在测量某一构件的应变时，其电阻的相对变化主要由（ ）引起的。A贴片位置的温度变化； B电阻丝几何尺寸的变化；C电阻材料的电阻率的变化。18压电式传感器最好采用电荷放大器的
10、原因是（ ）。A使放大器的增益增大； B非线性失真小；C可忽略导线电容和分布电容； D频率特性特别好。19半导体应变片在测量某一构件应变时，其电阻相对变化是由（ ）来决定的。A变形； B电阻率的变化；C弹性模量的变化； D泊松比的变化。20（ ）传感器是根据敏感元件材料本身的物理性质变化而工作的。A差动变压器式； B变间隙电容式；C变阻器式； D电压式。21半导体电阻应变片在测量某一构件应变时，其电阻的相对变化主要是由（ ）引起。A半导体电阻率的变化； B半导体几何尺寸的变化；C贴片位置的温度变化； D供桥电源的变化22压电式传感器与一般电压放大器连接使用时，中间要加一级前置放大器，其主要作用是（ ）。A获得高的放大倍数； B实现高阻抗输
