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1、可移动的原子根据所施电 场的方向移动，并因此设 置数字数据的状态 （“严或F ）当原子越过晶禅的 中心时，充电波形 上就会出现一亍尖煌通过底电极对晶体 施加一定的电场无物理瞪碍，原子状盍 的切换时间小于52读完后，原子恢 复到原来的位置写操作和读操作相同 但是恢复的是新数据什么是铁电存储器？ 相对于其它类型的半导体技术而言,铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可 以分为两类-易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器 SRAM（static random access memory）和动态存储器 DRAM （dynamic random access memovy SR
2、AM 和 DRAM 在掉电的时 候均会失去保存的数据。 RAM 类型的存储器易于使用、性能好,可是它们同样会在掉电的情况下会失去所 保存的数据。非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自 于只读存储器（ROM）技术。正如你所猜想的一样，被称为只读存储器的东西肯定不容易进行写入操作，而 事实上是根本不能写入。所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。这些技术包括 有EPROM （几乎已经废止）、EEPROM和Flash。这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写, 写入时功耗大。铁电存储器能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技术一
3、样,是一种非易失性的存储器。铁电存储器在 这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁-一种非易失性的 RAM。当一个电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动。当原子移动时,它通过一个能 量壁垒，从而引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置存储器。移去电场后，中心原子保持不动，存储 器的状态也得以保存。铁电存储器不需要定时更新,掉电后数据能够继续保存,速度快而且不容易写坏。而不是旧数据铁电存储器技术和标准的CMOS制造工艺相兼容。铁电薄膜被放置于CMOS基层之上,并置于两电极之间, 使用金属互连并钝化后完成铁电制造过程。通过底电极施加电场CMOS基极层(base layers)中
4、心原子根据所施加 的电场方向上/下移动金属互连 顶电极 FZT薄膜- 底电极PZT(压电 陶瓷)晶r 一Ramtron的铁电存储器技术到现在已经相当的成熟。最初的铁电存储器采用两晶体管/两电容器(2T/2C) 的结构,导致元件体积相对过大。最近随着铁电材料和制造工艺的发展,在铁电存储器的每一单元内都不再 需要配置标准电容器。Ramtron新的单晶体管/单电容器结构可以像DRAM 样，使用单电容器为存储器 阵列的每一列提供参考。与现有的2T/2C结构相比，它有效的把内存单元所需要的面积减少一半。新的设 计极大的提高了铁电存储器的效率,降低了铁电存储器产品的生产成本。 Ramtron 同样也通过转向更小的 技术节点来提高铁电存储器各单元的成本效率。最近采用的 0.13 微米的制造工艺相对于前一代0.35/0.5 微米的制造工艺,极大的降低了芯片的功耗,提高了单个晶元的利用率。位线字线板线铁电信号与参考线比较铁电信号与苴互补信号比较_匚铁电电容n 单管单容 FRM单元敦普敦容单元位线真值位线互补二铁电 电容字线所有这些令人振奋发展使铁电存储器在人们日常生活的各个领域广为应用。从办公室复印机、高档服务器到汽车安全气囊和娱乐设施,铁电存储器不断改进性能在世界范围内得到广泛的应用。浮删（爹晶硅）爹斂載于冋电出綢吐移哆晶硅捕菽的哆数我子
