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19）中华人民共和国国家知识产权局汐（12 ）发明专利申请（10）申请公布号CN110793662A（43）申请公布日2020.02.14（21）申请号 CN201911052030.6（22）申请日 2019.10.31（71）申请人 深圳第三代半导体研究院地址518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼（72）发明人 张新河;陈施施;温正欣;杨安丽;叶怀宇;张国旗（74）专利代理机构 北京中知法苑知识产权代理有限公司代理人 阎冬（51）Int.CI权利要求说明书 说明书 幅图（54）发明名称一种针对大尺寸碳化硅高温反应装置的温场校准的方法 （57）摘要本发明公开了一种针对大尺寸碳化硅高温 反应装置的温场校准的方法。该方法至少包括： 用于校准高温反应腔的碳化硅衬底；使用蓝膜保 护碳化硅衬底背面，在表面喷洒含一定浓度纳米 二氧化硅的抛光液；静置数分钟后，清洗衬底材 料，将其表面的抛光液洗去，此时抛光液中的纳 米二氧化硅将在碳化硅衬底上结晶并均匀分布； 揭去衬底背面的蓝膜，将此碳化硅衬底放入拟校 准的碳化硅高温反应装置中加热至指定温度；降
