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1、word模拟电子技术习题答案第二章电路如图题2.4.1所示。1利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和 Vo的值；2在室温300K的情况下，利用二极管的小信号模型求vo的变化X围。解1求二极管的电流和电压2求vo的变化X围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l所示，温度 T300 K。当rd1=rd2=rd时，如此的变化X围为，即1.406V1.394V。二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压VAO。设二极管是理想的。解 图a：将D断开，以O点为电位参考点，D的阳极电位为6 V，阴极电位为12 V，故 D处于正向偏置而导通，VAO=6 V。图
2、b：D的阳极电位为15V，阴极电位为12V，D对被反向偏置而截止，VAO12V。图c：对D1有阳极电位为 0V，阴极电位为12 V，故D1导通，此后使D2的阴极电位为 0V，而其阳极为15 V，故D2反偏截止，VAO=0 V。图d：对D1有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2有阳极电位为12 V，阴极电位为6V故D2更易导通，此后使VA6V；D1反偏而截止，故VAO6V。 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止，为什么？解 图a：将D断开，以“地为电位参考点，这时有D被反偏而截止。 图b：将D断开，以“地为参考点，有D被反偏而截止。图c：将D断开，以“地为参考点，有D被正偏而导通
3、。电路如图题2.4.7所示，D1，D2为硅二极管，当 vi 6 sintV时，试用恒压降模型和折线模型Vth0.5 V，rD200分析输出电压 vo的波形。 解 1恒压降等效电路法 当0|Vi|0.7V时，D1、D2均截止，vovi；当vi0.7V时；D1导通，D2截止，vo 0. 7V；当vi0.7V时，D2导通，D1截止，vo07V。vi与vo波形如图解2.4.7a所示。2折线等效电路如图解2.4.7b所示，图中Vth05V，rD200。当0|Vi|05 V时，D1，D 2均截止，vo=vi； vi05V时，D1导通，D2截止。vi0.5 V时，D2导通，D1 截止。因此，当vi05V时有
4、同理，vi0.5V时，可求出类似结果。vi与vo波形如图解247c所示。 二极管电路如图题 248a所示，设输入电压vIt波形如图 b所示，在 0t5ms的时间间隔内，试绘出vot的波形，设二极管是理想的。解 vIt6V时，D截止，vot6V；vIt6V时，D导通 电路如图题2413所示，设二极管是理想的。a画出它的传输特性；b假如输入电压vI =vi=20 sint V，试根据传输特性绘出一周期的输出电压 vo的波形。解 a画传输特性 0vI12 V时，D1，D2均截止，vovI； vI12 V时，D1导通，D2截止 10VvI0时，D1，D2均截止，vovI； vI10 V时，D2导通，D
5、1 截止 传输特性如图解 24 13中 a所示。b当vovI=20 sint V时，vo波形如图解2413b所示。 两只全同的稳压管组成的电路如图题252所示，假设它们的参数V2和正向特性的Vth、rD为。试绘出它的传输特性。解 当| vI |VzVth时，Dzl、DZ2均截止，vovI；| vI |VzVth时，Dzl、DZ2均导通传输特性如图解252所示。第三章3.1.1 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为 VA9 V，VB一6 V，Vc62 V，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c，并说明此BJT是NPN管还是PNP管。解 由于锗BJT的|VBE|0
6、.2V，硅BJT的|VBE|07V，用BJT的电极B的VB一6 V，电极C的Vc62 V，电极A的VA9 V，故电极A是集电极。又根据BJT工作在放大区时，必须保证发射结正偏、集电结反偏的条件可知，电极B是发射极，电极C是基极，且此BJT为PNP管。试分析图题321所示各电路对正弦交流信号有无放大作用。并简述理由。设各电容的容抗可忽略 解 图题32la无放大作用。因Rb=0，一方面使发射结所加电压太高，易烧坏管子；另一方面使输人信号vi被短路。 图题321b有交流放大作用，电路偏置正常，且交流信号能够传输。 图题32lc无交流放大作用，因电容Cbl隔断了基极的直流通路。图题32id无交流放大作
7、用，因电源 Vcc的极性接反。3.3.2 测量某硅BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域。 aVC6 V VB0.7 V VE0 V bVC6 V VB2 V VE1.3 V cVC6 V VB6V VE5.4 V dVC6 V VB4V VE3.6 V 。VC3.6 V VB4 V VE3. 4 V 解a放大区，因发射结正偏，集电结反偏。 b放大区，VBE2l3V07 V，VCB62V4 V，发射结正偏，集电结反偏。 C饱和区。 d截止区。e饱和区。 设输出特性如图题 331所示的 BJT接成图题 33.3所示的电路，具基极端上接VBB32 V与电阻Rb20 k相串联，而 V
8、cc6 V，RC200，求电路中的 IB、IC和 VCE的值，设 VBE07 V。 解 由题331已求得200，故3.3.6 图题336画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性与交、直流负载线，试求：1电源电压VCC，静态电流IB、IC和管压降VCE的值；2电阻Rb、RC的值；3输出电压的最大不失真幅度；4要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？解 1由图336可知，直流负载线与横坐标轴的交点即Vcc值的大小，故Vcc= 6 V。由Q点的位置可知，IB 20A，IC1 mA，VCE3 V。 2由基极回路得： 由集射极回路得 3求输出电压的最大不失真幅度 由交流负载线与输出特性
9、的交点可知，在输人信号的正半周，输出电压vCE从3V到08V，变化X围为2.2V；在输入信号的负半周，输出电压vCE从3V到46V，变化X围为16V。综合起来考虑，输出电压的最大不失真幅度为16V。 4基极正弦电流的最大幅值是20 A。 画出图题3.4.1所示电路的小信号等效电路，设电路中各电容容抗均可忽略，并注意标出电压、电流的正方向。解 图题3.4.1所示各电路的小信号等效电路如图解3.4.1所示。50。1估算Q点；2画出简化 H参数小信号等效电路；3估算 BJT的朝人电阻 rbe；4如输出端接入 4 k的电阻负载，计算与。解1估算Q点2简化的H参数小信号等效电路如图解3.4.2所示。3求
10、rbe41、C2、C3对交流信号可视为短路。1写出静态电流Ic与电压VCE的表达式；2写出电压增益、输人电或Ri和输出电阻Ro的表达式；3假如将电容C3开路，对电路将会产生什么影响？ 解1Ic与VCE的表达式 2、Ri和Ro的表达式 3C3开路后，将使电压增益的大小增加同时Ro也将增加，。 如图题3.5.2所示的偏置电路中，热敏电阻Rt具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用？ 解 图题3.5.2a所示电路能稳定Q点，过程如下：图题3.5.2b所示电路不能稳定Q点，因为 电路如图3.5.4所示，设100，试求：1Q点；2电压增益和；3输入电阻Ri；4输出电阻RO1和RO2、解 1求Q点(2)
11、求rbe与Ri34求RO1和RO2、3.6.3 共基极电路如图题3.6.3所示。射极电路里接入一恒流源，设。试确定电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。解 其中 IE1.01mA。某放大电路中AV的数幅频特性如图题371所示。1试求该电路的中频电压增益，上限频率fH，下限频率fL；2当输人信号的频率 ffL或 ffH时，该电路实际的电压增益是多少分贝？ 解 1由图题371可知，中频电压增益1000，上限频率人fH108HZ，下限频率fL102HZ。 2当ffL或 ffH时，实际的电压增益是57 dB。3.7.3 一放大电路的增益函数为试绘出它的幅频响应的波特图，并求出中频增益、下限频率fL和上限
12、频率fH以与增益下降到1时的频率。 解 对于实际频率而言，可用代人原增益传递函数表达式，得由此式可知，中频增益|AM|10，f10 HZ，fH106HZ。其幅频响应的波特图如图解3.7.3所示。增益下降到 1时的频率为 IHZ与 10 MHZ。一高频BJT，在Ic1.5mA时，测出其低频H参数为：rbe，o50，特征频率100MHz，试求混合型参数。3.7.8 电路如图351所示射极偏置电路，设在它的输人端接一内阻 Rs= 5K的信号源电路参数为：Rb1= 33K，Rb222K。Re39K，Rc47K，RL 51K，Ce 50F与Re并联的电容器Vcc5VIE0.33mA，0120，rce300 K，fT=700 MHZ与。求：1输入电阻Ri;2中频区电压增益|AVM|3上限频率fH。解 1求Ri2求中频电压增益因故3求上限频率fH其中。第四章 一个JFET的转移特性曲线如图题4.1.3所示，试问：（1） 它是N沟道还是P沟道FET？（2） 它的夹断电压VP和饱和漏极电流IDSS各是多少？解 由图题413可见，它是N沟道JFET，其VP4 V，IDSS3 mA。一个MOSFET的转移特性如图题433所示其中漏极电流iD的方向是它的实际方向。试问： 1该管是耗尽型还是增强型？ 2是N沟道还是P沟道FET？3
