《计算机原理实验二静态随机存储器实验操作步骤》由会员分享，可在线阅读，更多相关《计算机原理实验二静态随机存储器实验操作步骤（7页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、2.1 静态随机存储器实验实验目的掌握静态随机存储器RAM 工作特性及数据的读写方法。实验设备PC 机一台， TD-CMA 实验系统一套。实验原理实验原理图如图2-1-3所示，存储器数据线接至数据总线，数据总线上接有8 个LED灯显示D7 DO的内容。地址线接至地址总线，地址总线上接有8 个LED灯显示A7 A0的内容，地址由地址锁存器（74LS273，位于PC&AR单元）给出。数据开关（位于IN单 元）经一个三态门（74LS245）连至数据总线，分时给出地址和数据。地址寄存器为8位，接入6116的地址A7 A0,6116的高三位地址A10 A8接地，所以其实际容量为256 字节。RD WRI
2、ORIN B图2-1-3存储器实验原理图实验箱中所有单元的时序都连接至时序与操作台单元，CLR 都连接至 CON 单元的 CLR按钮。实验时T3 由时序单元给出，其余信号由CON 单元的二进制开关模拟给出，其中 IOM 应为低（即MEM 操作）， RD 、WR 高有效， MR 和 MW 低有效， LDAR 高有效。实验步骤（1）关闭实验系统电源，按图2-1-4连接实验电路，并检查无误，图中将用户需要连接的信号用圆圈标明。KK2（2）臵为单步档（时将时序与操作台单元的开关KK1、KK3臵为运行档、开关序单元的介绍见附录二）。（3）将 CON 单元的 IOR 开关臵为 1 （使 IN 单元无输出）
3、，打开电源开关，如果听到有 嘀报警声，说明有总线竞争现象，应立即关闭电源，重新检查接线，直到错误排除。时序与操作台单元I 一hi jl j-HD- OXA7XA0数据总线控制总线地址总线TS1=o_o rTS2XA7 XA0XD7 XDOCLKO 30HZ TS3TS4CPU 内总线D7.D0D7.D0D7.D0XMWR XMRDPC&AR 单元IN 单元控制总线LDARIN_BWR RD IOMLDARIORWR RD IOMCON 单元图 2-1-4 实验接线图（4）给存储器的 00H 、01H 、 02H 、03H 、04H 地址单元中分别写入数据11H 、12H 、 13H 、14H
4、、 15H 。由前面的存储器实验原理图（图2-1-3 ）可以看出，由于数据和地址由同一个数据开关给出，因此数据和地址要分时写入，先写地址，具体操作步骤为：先关掉存储器的读写（ WR=0 ， RD=0 ），数据开关输出地址（IOR=0 ），然后打开地址寄存器门控信号（LDAR=1 ），按动 ST 产生 T3 脉冲，即将地址打入到AR（ WR=0 ， RD=0 ）和地址寄存器门控信号（门（ IOR=0 ），然后使存储器处于写状态（数据打入到存储器中。写存储器的流程如图址单元写入 11H 为例）：中。再写数据，具体操作步骤为：先关掉存储 器的读写 LDAR=0 ），数据开关输出要写入的数 据，打开输
5、入三态 WR=1 ， RD=0 ， IOM=0 ），按动 ST 产生 T3 脉冲，即将2-1-5 所示（以向00 地IN 单元置地址（ 00000000 ）WR=0RD=0IOM=0IOR=0LDAR = 0地址打入 AR(00000000)WR=0RD=0IOM=0IOR=0LDAR = 1T3=JI /IN 单元置数据（ 00010001 ）WR=0RD=0IOM=0IOR=0LDAR = 0数据打入 MEM(00010001)WR=1RD=0IOM=0IOR=0LDAR = 0图 2-1-5写存储器流程图（5）依次读出第00 、01 、02 、03 、04 号单元中的内容，观察上述各单元
6、中的内容是否与前面写入的一致。同写操作类似，也要先给出地址，然后进行读，地址的给出和前面一样，而在进行读操作时，应先关闭IN 单元的输出（ IOR=1 ），然后使存储器处于读状态（WR=0 ，RD=1， IOM=0），此时数据总线上的数即为从存储器当前地址中读出的数据内容。读存储器的流程如图2-1-6所示（以从00 地址单元读出11H为例）：IN 单元置地址地址打入 AR关闭 IN 单元输出-(00000000)(00000000)（）WR=0/WR=0WR=0RD=0RD=0RD=0IOM=0IOM=0IOM=0IOR=0IOR=0IOR=1LDAR = 1LDAR = 0LDAR = 0读
7、出 MEM 数据(00010001)RD=1IOM=0IOR=1LDAR = 0图 2-1-6 读存储器流程图如果实验箱和PC 联机操作，则可通过软件中的数据通路图来观测实验结果（软件使用说明请看附录 1），方法是：打开软件，选择联机软件的？【实验】一【存储器实验】？，打开存储器实验的数据通路图，如图2-1-7 所示。进行上面的手动操作，每按动一次ST 按钮，数据通路图会有数据的流动，反映当前存储器所做的操作（即使是对存储器进行读，也应按动一次ST 按钮，数据通路图才会有数据流动），或在软件中选择？【调试】一【单周期】？，其作用相当于将时序单元的状态开关臵为 单步档后按动了一次ST 按钮，数据通路图也会反映当前存储器所做的操作，借助于数据通路图，仔细分析SRAM 的读写过程。XMWF?XMRD图 2-1-7 数据通路图
