《单晶硅片制作工艺流程》由会员分享，可在线阅读，更多相关《单晶硅片制作工艺流程（3页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、单晶硅电磁片生产工艺流程 1 、硅片切割，材料准备： 工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制 的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅 片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为1015cm，厚度约 200350um,电阻率约1 Q .cm的p型（掺硼）。 2、去除损伤层： 硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷,这就会产生两个问 题,首先表面的质量较差,另外这些表面缺陷会在电池制造过 程中导致碎片增多。因此要将切割损伤层去除,一般采用碱或 酸腐蚀,腐蚀的厚度约 10um。3、制绒： 制绒,就是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀,使其凸凹不平,变得粗糙,形成漫反射,
2、减少直射到硅片 表面的太阳能的损失。对于单晶硅来说一般米用NaOH加醇的 方法腐蚀,利用单晶硅的各向异性腐蚀,在表面形成无数的金 字塔结构,碱液的温度约80 度,浓度约12%,腐蚀时间约15 分钟。对于多晶来说,一般采用酸法腐蚀。4、扩散制结： 扩散的目的在于形成 PN 结。普遍采用磷做 n 型掺杂。由于 固态扩散需要很高的温度，因此在扩散前硅片表面的洁净非常 重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面 的碱残留和金属杂质。5、边缘刻蚀、清洗： 扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层。周边扩散 层使电池的上下电极形成短路环，必须将它除去。周边上存在 任何微小的局部短路都会使电池
3、并联电阻下降，以至成为废品。 目前，工业化生产用等离子干法腐蚀，在辉光放电条件下通过 氟和氧交替对硅作用，去除含有扩散层的周边。扩散后清洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃。6、沉积减反射层： 沉积减反射层的目的在于减少表面反射，增加折射率。广泛使用PECVD淀积SiN，由于PECVD淀积SiN时，不光是生长SiN 作为减反射膜,同时生成了大量的原子氢 ,这些氢原子能对多晶 硅片具有表面钝化和体钝化的双重作用，可用于大批量生产。7、丝网印刷上下电极： 电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步骤，它 不仅决定了发射区的结构，而且也决定了电池的串联电阻和电池表面被金属覆盖的面积。，最早采用真空蒸镀或化学电镀技术，而现在普遍采用丝网印刷法，即通过特殊的印刷机和模版 将银浆铝浆（银铝浆）印刷在太阳电池的正背面，以形成正负 电极引线。 8 、共烧形成金属接触： 晶体硅太阳电池要通过三次印刷金属浆料，传统工艺要用二 次烧结才能形成良好的带有金属电极欧姆接触，共烧工艺只需 一次烧结，同时形成上下电极的欧姆接触。在太阳电池丝网印 刷电极制作中，通常采用链式烧结炉进行快速烧结。 9 、电池片测试： 完成的电池片经过测试分档进行归类。
