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1、LED行业基本面分析目录，总结1.1行业演进LED照明技术的发展路径可以从两个维度来拆解： 1,色彩丰富，从60年代的红色，到70 年代的黄、绿色，直至90年代的蓝、白色；2,发光效率提升，从60年代0.1 lm/w，到 80年代的10 lm/w，直至当前的100 lm/w。LED的应用范围随着其色彩丰富、发光效率提升，逐步从60年代的指示灯市场，发展到90年代的手机背光市场，直至当前的显示屏、中型尺寸LCD背光等市场，未来还可能向大尺寸背光、通用照明、车头灯等市场渗透，市场容量可能从几百亿美元，跃升为上千亿美元， 前景看好。1.2产业链分解LED产业链大致分为制造和应用两个环节。制造环节又可
2、细分为：上游的单晶片衬底制作、MOCV制造；中游的外延晶片生长、芯片、电极制作、切割和测试分选；下游的产品封装。应用领域又可大致分为三部分：照明应用、显示屏、背光源应用。1.3竞争力分析1.3.1行业壁垒环节衬底制作设备制造外延片、芯片封装组件技术难度因蓝宝石衬底 片要求表面光 洁度在纳米级 以上，研磨尤其 困难国际上只有德、 美、英、日等非 常有限的企业 可以商业化生外延片提高外 量子效率、降低 结温、有效散 热；芯片成品率传统封装技术成 熟，多芯片封装 技术难度大，关 键是散热问题专利壁垒极高，日亚拥有 蓝宝石衬底专 利, Cree 有 SiC 衬底专利极高，行业最领先的日本企业对技术严格
3、封 锁核心专利由日亚、丰田合成、Lumileds、Cree、Osram等控制较低，大功率LED有一疋专利壁垒生产特点技术驱动技术驱动技术 资本 工-艺劳力 规模 工乙技术集中度寡头垄断寡头垄断咼端咼（五大）中低端低集中度很低主要壁垒专利壁垒、技术壁垒技术壁垒、专利壁垒MOCV台数、工艺成熟水平、专利授权关键在于资本实力和管理的精细化，大功率 LED制造有技术壁垒进入门槛极咼极咼偏咼低1.3.2议价能力环节衬底制作设备制造外延片、芯片封装组件对下游议价能力强，衬底材料 必然会影响整 个产业，是各 个技术环节的 关键强，MOCV的供货能力是限制LED芯片公司产 能扩张的瓶颈中咼端拥有较 强议价能力
4、；低 端产能旺盛，议 价能力不足弱，除了有技术含量的大功率、多芯片封装供需寡头垄断，供需稳定以销定产，下游需求旺盛GaN基芯片产能 扩大较快。低档 产品供大于求， 高档产品则价 高难求属于劳动密集行业，市场供给充分1.3.3 同业竞争 全球LED产业主要分布在日本、台湾、欧美、韩国和大陆等国家与地区日本约占38%勺份额，是全球LED产业最大生产国，保持高亮度蓝光和白光LED的专利 技术优势，在高亮度LED市场居于领导地位。美国及欧洲地区掌握上游外延及芯片核心技术，产业垂直整合最为完整，以高端应用 产品市场为主，在大尺寸LCD背光源、白光照明及汽车应用等高端市场占有优势。台湾由封装起步，逐步向上
5、游外延及芯片领域拓展。台湾以低价策略逐渐威胁到日本的领导地位，基本占据了中低端LED市场，目前产值位列全球第二，市场占有率约24%中国，封装仍是 LED 产业中最大的产业链环节，但芯片比重持续提高。近几年芯片产能扩大较快，在全球LED芯片市场中的占有率逐年提升，从 2003年不足10%曾长到将近 20%。韩国LED芯片前几年才组建，在新兴市场发展迅速，目前掌握LED的技术达到世界先进水平。台湾、大陆、韩国等公司受专利牵制很大，其中尤以台湾最为突出。目前核心专利由日亚、 丰田合成、 Lumileds 、Cree、Osram 等控制，他们采取横向（同时进入多个国家）和纵向 （不断完善设计，进行后续
6、申请）扩展方式，在全世界范围内布置了严密的专利网。日亚 是技术转让、授权、诉讼的主要发起人。新兴厂商的应对办法是，提高自身研发实力，研 发出独特的专利技术，获得老牌企业的相互授权。1.3.4 替代威胁从理论上讲， LED 是目前最先进的照明技术。相比于传统照明技术，它最大的优点是：能 耗低、寿命长、体积小、安全环保。但受困于技术和产业化瓶颈，LED在价格、发光效率、光衰、散热性、一致性等方面与传统照明技术仍存在一定距离，尤其在大功率照明领域仍 缺乏竞争优势。但传统照明行业属于劳动力密集型行业，而LED却属于新兴半导体行业，发展的基本特征就是：技术升级快，价格下降快，规模增长快。相信随着LED产
7、业链的完善，在未来的5年内，LED的初置成本与技术性能将接近或比传统照明技术更有优势。1.4 领导企业日亚：全球GaN蓝光LED和白光LED技术的领导者，与 Cree在GaN芯片专利上有交叉授权，持有台湾光磊科技（OpTo Tech）的股权。丰田合成：与日亚一样同为 GaN蓝光LED的先驱，与Tridonic Atco 合资生产高亮度白光LEDCree：以生产SiC基蓝光LED芯片闻名，主要客户是 Agile nt、Sumitomo和OSRA，与 日亚在GaN芯片专利上有交叉授权。Lumileds :在大功率LED封装技术上领先，飞利浦电子业务的一部分，因此有掌握整 个产业链的可能性欧司朗：拥
8、有白光LED专利荧光粉的技术，专利授权给了亿光。Seoul半导体：前几年才组建，目前掌握 LED的技术达到世界先进水平；GaN基蓝、绿 光LED，目前技术指标较高晶元光电：合并后的新晶电在 GaN基蓝、绿光外延、芯片和四元系 AlGalnp的外延、 芯片，月产能分别为世界第一详细情况见下表环节衬底制作设备制造外延片、芯片封装组件领先企业Nichia、Cree德国AIXTRON 美国VEEC(92%Nichia、Cree、Lumileds 、 OOsram 丰田合成、晶电Nichia、Citize n、Osram、Agile nt、光宝、亿光大陆公司晶能光电（拥无厦门三安、上约600家，佛有Si
9、衬底专利）海蓝宝、大连路美、上海蓝光、士兰微山国星、宁波 爱米达、厦门 华联、深圳超 亮台湾无无外延片：晶 电、华上、璨 圆；芯片：光 磊、鼎元宝光、亿光、宏齐、佰鸿1.5下游需求1.5.1产值预测国内应用照明显示背光目前产值2009年为262亿2009年为145亿2009年为125亿成熟产品景观照明、交通信号灯、汽车内饰灯信号指示器、显示屏小尺寸背光源近期看点车内用照明与车尾灯大型广告牌10寸以下的LED背光中期看点室外照明（路灯）NB背光源长期看点车头灯与室内一般照明TV背光源潜在产值上千亿几百亿几百亿1.5.2重点需求国内应用市场规模现状前景汽车车灯一辆汽车需要200多颗LED（内部10
10、0颗、外部200 颗）除LED前照灯以外，均 已商品化，汽车前照灯 处在研发过程中短期看，车内照明可望 先成为主要的应用市 场；长期看，LED被广泛 运用于车外照明领域通用照明照明灯市场规模254亿美元，是LED巨大未来市场行业标准未建立、企业 规模小、LED发光效率未 达标预计LED在 2010年前还不能进入通用照明市 场，大量取代白炽灯和 荧光灯将分别在2012年和2020年显示屏2008年全国产值为 85亿元我国LED显示屏丿商已 经具有了很强的实力， 占据了国内市场的大部 分份额看好LED广告牌产品NB背光LED应用在NB的颗数提高到40颗到50颗2009年是LED作为笔记本电脑背光源
11、起飞的开始，第一季的渗透率达到13%渗透率进一步提高到50%TV背光LED监视器逾200颗市场、电视动辄上千颗，索尼、三星、LG海信、Philips 相继推出 LED2012年大尺寸液晶面板采LED背光源面板出货2009年LED电视的市场规模预计为100万台，占平板电视市场消费总量的5%背光源量将超过冷阴极灯管，到了 2015年将成长到1.85亿片（渗透率72%1.6发展趋势需求大幅增长：未来可望进入车用高功率照明、路灯、通用照明、中大尺寸背光源中，产值潜力大价格下滑：未来随着产业化深入，LED的价格也会大幅下滑性能完善：LED的发光效率、光衰、散热、一致性等问题取得进一步改善专利壁垒下降：白
12、色、蓝色 LED的基础专利在2010年上半年到期。OSRA为主的欧美企业对技术转让呈现积极态度，可能逼迫 NICHIA也将加快对外授权的速度。兼并加剧：传统照明巨头通过收购进入 LED市场、同业通过收购兼并来扩张、芯片或 外延片厂通过垂直整合保证芯片的一致性，提高工作效率1.7投资建议上游材料制作、MOCV设备制造行业技术壁垒高，专利门槛高，议价能力强，属于寡头垄断，受益下游旺盛的需求，拥有很强的竞争能力中游外延片芯片制造行业有一定工艺难度，受技术专利保护，对下游议价能力较强。但行业同业竞争越发激烈，台湾、韩国、中国企业快速发展，对老牌厂商形成较大冲击，产能释放较快，可能会出现短暂的供大于求。
13、需要关注的指标有：已投产的MOCVD数量、芯片价格、专利权问题。更看好高功率 LED芯片制造行业下游封装行业属于劳动密集型行业，技术成熟、门槛低、集中度低、竞争激烈，更看好有一定技术壁垒、一致性高、热控制好的封装企业，行业概况2.1技术发展概述LED是发光二极管(Light Emitting Diode )的简称，属于一种化合物半导体元件结构主要由PN结芯片、电极和光学系统组成发光机理利用注入PN结的少数载流子与多数载流子复合，从而发出可见光把电能转化为光能，光学构造体将发出的光几无损失的集合起来，经狭小 的结构投射出来LED的颜色是根据它使用的半导体成份造成，目前有红、黄、蓝、绿及白 光等分
14、类按发光管发光颜色分红色、橙色、绿色、蓝色有色透明、无色透明、有色散射、无色散射按发光出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管按发光强度角分布图分高指向性、标准型、散射型按发光二极管的结构分全环氧包封、金属底座环氧封装、陶瓷底座环氧封装、玻璃封装等按发光强度和工作电流分普通亮度、超咼亮度、咼亮度发光二极官60年代初在砷化傢基体上使用磷化物发明了第一个可见的红光LED驱动电流在20mA只能发出红色的光，而且发光效率只有0.1lm/w此时LED主要用GaAs GaP二元素半导体材料70年代中引入元素Ln和N,使LED产生绿光、黄光、橙光LED照明的发光效率提高到了 1 lm/w80年代初引入砷化傢、磷化铝，第一代高亮度的 LED诞生技术发展先是红色，其光效达到10 lm/w，然后是黄色、绿色此时主要用GaAsPE元素半导体材料90年代初出现四兀化合物材料InGaALP （磷化铝傢铟）制成了可用于户外显示的超高亮度红、橙、黄光LED1993 年
