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1、电子器件的封装缺陷和失效电子器件是一个非常复杂的系统，其封装过程的缺陷和失效也 是非常复杂的。因此，研究封装缺陷和失效需要对封装过程有 一个系统性的了解，这样才能从多个角度去分析缺陷产生的原 因。髀脚-?|.-:*-!;逆-1b引谣婀蛔CTFS片站席甲 那气JLJ/7肯奶里封装缺陷与失效的研究方法论 封装的失效机理可以分为两类：过应力和磨损。过应力失效往往是瞬时的、灾难性的；磨损失效是长期的累积损 坏，往往首先表示为性能退化，接着才是器件失效。失效的负 载类型乂可以分为机械、热、电气、辐射和化学负载等。影响封装缺陷和失效的因素是多种多样的，材料成分和属性、 封装设计、环境条件和工艺参数等都会有
2、所影响。确定影响因 素是预防封装缺陷和失效的基本前提。影响因素可以通过试验或者模拟仿真的方法来确定，一般多采 用物理模型法和数值参数法。对于更复杂的缺陷和失效机理， 常常采用试差法确定关键的影响因素，但是这个方法需要较长 的试验时间和设备修正，效率低、花费高。在分析失效机理的过程中，采用鱼骨图（因果图）展示影响因素 是行业通用的方法。鱼骨图可以说明复杂的原因及影响因素和 封装缺陷之间的关系，也可以区分多种原因并将其分门别类。生产应用中，有一类鱼骨图被称为6Ms:从机器、方法、材 料、量度、人力和自然力等六个维度分析影响因素。这一张图所示的是展示塑封芯片分层原因的鱼骨图，从设计、 工艺、环境和材
3、料四个方面进行了分析。通过鱼骨图，清晰地 展现了所有的影响因素，为失效分析奠定了良好基础。引发失效的负载类型 如上一节所述，封装的负载类型可以分为机械、热、电气、辐 射和化学负载。1.失效机理的分类 机械载荷：包括物理冲击、振动、填充颗粒在硅芯片上施加的 应力（如收缩应力）和惯性力（如宇宙飞船的巨大加速度）等。材料 对这些载荷的响应可能表现为弹性形变、塑性形变、翘曲、脆 性或柔性断裂、界面分层、疲劳裂缝产生和扩展、蠕变以及蠕热载荷：包括芯片黏结剂固化时的高温、引线键合前的预加 热、成型工艺、后固化、邻近元器件的再加工、浸焊、气相焊 接和回流焊接等等。外部热载荷会使材料因热膨胀而发生尺寸 变化，
4、同时也会改变蠕变速率等物理属性。如发生热膨胀系数 失配（CTE失配）进而引发局部应力，并最终导致封装结构失效。 过大的热载荷甚至可能会导致器件内易燃材料发生燃烧。电载荷：包括突然的电冲击、电压不稳或电流传输时突然的振 荡（如接地不良）而引起的电流波动、静电放电、过电应力等。这 些外部电载荷可能导致介质击穿、电压表面击穿、电能的热损 耗或电迁移。也可能增加电解腐蚀、树枝状结晶生长，引起漏 电流、热致退化等。化学载荷：包括化学使用环境导致的腐蚀、氧化和离子表面枝 晶生长。由于湿气能通过塑封料渗透，因此在潮湿环境下湿气 是影响塑封器件的主要问题。被塑封料吸收的湿气能将塑封料中的催化剂残留萃取出来，形
5、 成副产物进入芯片粘接的金属底座、半导体材料和各种界面， 诱发导致器件性能退化甚至失效。例如，组装后残留在器件上的助焊剂会通过塑封料迁移到芯片 表面。在高频电路中，介质属性的细微变化（如吸潮后的介电常 数、耗散因子等的变化）都非常关键。在高电压转换器等器件 中，封装体击穿电压的变化非常关键。此外，一些环氧聚酰胺和聚氨酯如若长期暴露在高温高湿环境 中也会引起降解（有时也称为“逆转”）。通常采用加速试验来鉴定 塑封料是否易发生该种失效。需要注意的是，当施加不同类型载荷的时候，各种失效机理可 能同时在塑封器件上产生交互作用。例如，热载荷会使封装体结构内相邻材料间发生热膨胀系数失 配，从而引起机械失效
6、。其他的交互作用，包括应力辅助腐 蚀、应力腐蚀裂纹、场致金属迁移、钝化层和电解质层裂缝、 湿热导致的封装体开裂以及温度导致的化学反应加速等等。在 这些情况下，失效机理的综合影响并不一定等于个体影响的总 和。封装缺陷的分类 封装缺陷主要包括引线变形、底座偏移、翘曲、芯片破裂、分 层、空洞、不均匀封装、毛边、外来颗粒和不完全固化等。1.引线变形 引线变形通常指塑封料流动过程中引起的引线位移或者变形， 通常采用引线最大横向位移X与引线长度L之间的比值x/L来 表示。引线弯曲可能会导致电器短路（特别是在高密度I/O器件 封装中）。有时，弯曲产生的应力会导致键合点开裂或键合强度 下降。影响引线键合的因素
7、包括封装设计、引线布局、引线材料与尺 寸、模塑料属性、引线键合工艺和封装工艺等。影响引线弯曲 的引线参数包括引线直径、引线长度、引线断裂载荷和引线密 度等等。2.底座偏移底座偏移指的是支撑芯片的载体（芯片底座）出现变形和偏移。塑封前塑封中模塑型腔芯片固体片芯片底座 引脚底座锦移如图所示为塑封料导致的底座偏移，此时，上下层模塑腔体内 不均匀的塑封料流动会导致底座偏移。影响底座偏移的因素包括塑封料的流动性、引线框架的组装设 计以及塑封料和引线框架的材料属性。薄型小尺寸封装（TSOP） 和薄型方形扁平封装(TQFP)等封装器件由于引线框架较薄，容 易发生底座偏移和引脚变形。3.翘曲 翘曲是指封装器件
8、在平面外的弯曲和变形。因塑封工艺而引起 的翘曲会导致如分层和芯片开裂等一系列的可靠性问题。翘曲 也会导致一系列的制造问题，如在塑封球栅阵列(PBGA)器件 中，翘曲会导致焊料球共面性差，使器件在组装到印刷电路板 的回流焊过程中发生贴装问题。同内凹也)外凸坦合模式图&1】翘曲模式(a)塑封腺件阵列8)单个四眼翘曲模式包括内凹、外凸和组合模式三种导致翘曲的原因主要包括CTE失配和固化/压缩收缩。后者一开 始并没有受到太多的关注，深入研究发现，模塑料的化学收缩 在IC器件的翘曲中也扮演着重要角色，尤其是在芯片上下两侧 厚度不同的封装器件上。在固化和后固化的过程中，塑封料在 高固化温度下将发生化学收缩
9、，被称为“热化学收缩”。通过提 高玻璃化转变温度和降低Tg附近的热膨胀系数变化，可以减小 固化过程中发生的化学收缩。囹5. 14 固耳七利1冷抑过程中塑圭寸料的1本初I收编3知导致翘曲的因素还包括诸如塑封料成分、模塑料湿气、封装的 几何结构等等。通过对塑封材料和成分、工艺参数、封装结构 和封装前环境的把控，可以将封装翘曲降低到最小。在某些情 况下，可以通过封装电子组件的背面来进行翘曲的补偿。例 如，大陶瓷电路板或多层板的外部连接位于同一侧，对他们进 行背面封装可以减小翘曲。4.芯片破裂 封装工艺中产生的应力会导致芯片破裂。封装工艺通常会加重 前道组装工艺中形成的微裂缝。晶圆或芯片减薄、背面研磨
10、以 及芯片粘结都是可能导致芯片裂缝萌生的步骤。破裂的、机械失效的芯片不一定会发生电气失效。芯片破裂是 否会导致器件的瞬间电气失效还取决于裂缝的生长路径。例 如，若裂缝出现在芯片的背面，可能不会影响到任何敏感结 构。因为硅晶圆比较薄且脆，晶圆级封装更容易发生芯片破裂。因 此，必须严格控制转移成型工艺中的夹持压力和成型转换压力 等工艺参数，以防止芯片破裂。3D堆叠封装中因叠层工艺而容 易出现芯片破裂。在3D封装中影响芯片破裂的设计因素包括芯 片叠层结构、基板厚度、模塑体积和模套厚度等。5.分层分层或粘结不牢指的是在塑封料和其相邻材料界面之间的分 离。分层位置可能发生在塑封微电子器件中的任何区域；同
11、时也 可能发生在封装工艺、后封装制造阶段或者器件使用阶段。封装工艺导致的不良粘接界面是引起分层的主要因素。界面空 洞、封装时的表面污染和固化不完全都会导致粘接不良。其他 影响因素还包括固化和冷却时收缩应力与翘曲。在冷却过程 中，塑封料和相邻材料之间的CTE不匹配也会导致热-机械应 力，从而导致分层。引为非零类型HI分层 EMC/引技框架）歼氧模塑舛 （EN1C）十H卧姓洲/硅片芯片底座心片黏结刑堑型叫分层片底座）斐型分层美型n分层任M顷芯片（芯用粘接界面）芯片谜台毋/*键合线可以根据界面类型对分层进行分类6.空洞 封装工艺中，气泡嵌入环氧材料中形成了空洞，空洞可以发生 在封装工艺过程中的任意阶
12、段，包括转移成型、填充、灌封和 塑封料至于空气环境下的印刷。通过最小化空气量，如排空或 者抽真空，可以减少空洞。有报道采用的真空压力范围为 1300Torr（ 一个大气压为 760Torr）。填模仿真分析认为，是底部熔体前沿与芯片接触，导致了流动 性受到阻碍。部分熔体前沿向上流动并通过芯片外围的大开口 区域填充半模顶部。新形成的熔体前沿和吸附的熔体前沿进入 半模顶部区域，从而形成起泡。7. 不均匀封装非均匀的塑封体厚度会导致翘曲和分层。传统的封装技术，诸 如转移成型、压力成型和灌注封装技术等，不易产生厚度不均 匀的封装缺陷。晶圆级封装因其工艺特点，而特别容易导致不 均匀的塑封厚度。为了确保获得
13、均匀的塑封层厚度，应固定晶圆载体使其倾斜度 最小以便于刮刀安装。此外，需要进行刮刀位置控制以确保刮 刀压力稳定，从而得到均匀的塑封层厚度。在硬化前，当填充粒子在塑封料中的局部区域聚集并形成不均 匀分布时，会导致不同质或不均匀的材料组成。塑封料的不充 分混合将会导致封装灌封过程中不同质现象的发生。8. 毛边毛边是指在塑封成型工艺中通过分型线并沉积在器件引脚上的 模塑料。夹持压力不足是产生毛边的主要原因。如果引脚上的模料残留 没有及时清除，将导致组装阶段产生各种问题。例如，在下一 个封装阶段中键合或者黏附不充分。树脂泄漏是较稀疏的毛边 形式。9. 外来颗粒在封装工艺中，封装材料若暴露在污染的环境、
14、设备或者材料 中，外来粒子就会在封装中扩散并聚集在封装内的金属部位上 （如IC芯片和引线键合点），从而导致腐蚀和其他的后续可靠性 问题。10. 不完全固化固化时间不足或者固化温度偏低都会导致不完全固化。另外， 在两种封装料的灌注中，混合比例的轻微偏移都将导致不完全 固化。为了最大化实现封装材料的特性，必须确保封装材料完 全固化。在很多封装方法中，允许采用后固化的方法确保封装 材料的完全固化。而且要注意保证封装料比例的精确配比。封装失效的分类在封装组装阶段或者器件使用阶段，都会发生封装失效。特别 是当封装微电子器件组装到印刷电路板上时更容易发生，该阶 段器件需要承受高的回流温度，会导致塑封料界面
15、分层或者破 裂。1.分层如上一节所述，分层是指塑封材料在粘接界面处与相邻的材料 分离。可能导致分层的外部载荷和应力包括水汽、湿气、温度 以及它们的共同作用。在组装阶段常常发生的一类分层被称为水汽诱导(或蒸汽诱导)分 层，其失效机理主要是相对高温下的水汽压力。在封装器件被组装到印刷电路板上的时候，为使焊料融化温度 需要达到220C甚至更高，这远高于模塑料的玻璃化转变温度 (约 110200 C)。在回流高温下，塑封料与金属界面之间存在的水汽蒸发形成水 蒸气，产生的蒸汽压与材料间热失配、吸湿膨胀引起的应力等 因素共同作用，最终导致界面粘接不牢或分层，甚至导致封装 体的破裂。无铅焊料相比传统铅基焊料，其回流温度更高，更容易发生分 层问题。2.吸湿膨胀系数(CHE)，乂称湿气膨胀系数(CME)湿气扩散到封装界面的失效机理是水汽和湿气引起分层的重要 因素。湿气可通过封装体扩散，或者沿着引线框架和模塑料的界面扩 散。研究发现，当模塑料和引线框架界面之间具有良好粘接 时，湿气主要通过塑封体进入封装内部。但是，当这个粘结界面因封装工艺不良(如键合温度引起的氧 化、应力释放不充分引起的引线框架翘曲或者过度修剪和形式 应力等)而退化时，在封装轮廓上会形成分层和微裂缝，并且湿 气或者水汽将易于沿这一路径扩散。
