PIEPIE1.何谓PIIE? PIIE的主主要工作作是什幺幺?答：Prroceess Inteegraatioon EEngiineeer(工工艺整合合工程师师), 主要工工作是整整合各部部门的资资源, 对工艺艺持续进进行改善善, 确保保产品的的良率（yield）稳定良好2.200mmm，3000mm Waffer 代表何何意义??答：8吋吋硅片((waffer))直径为为 2000mmm , 直径为为 3000mmm硅片即即12吋.3.目前中芯芯国际现现有的三三个工厂厂采用多多少mmm的硅片片(waaferr)工艺艺？未来来北京的的Fabb4(四四厂)采用多多少mm的waffer工工艺？答：当前前1~33厂为2000mmm(8英英寸)的waffer,, 工艺艺水平已已达0..13uum工艺艺未来来北京厂厂工艺wwafeer将使使用3000mmm(122英寸)4.我们为何何需要3300mmm?答：waaferr siize 变大，单单一waaferr 上的的芯片数数(chhip))变多，单单位成本本降低 2000→3000 面积积增加22.255倍,芯片数数目约增增加2..5倍5.所谓的00.133 umm 的工工艺能力力(teechnnoloogy))代表的的是什幺幺意义？？答：是指指工厂的的工艺能能力可以以达到00.133 umm的栅极极线宽。
当当栅极的的线宽做做的越小小时，整整个器件件就可以以变的越越小，工工作速度度也越快快6.从0.335umm->00.255um-->0..18uum->>0.115umm->00.133um 的tecchnoologgy改变变又代表表的是什什幺意义义？答：栅极极线的宽宽（该尺尺寸的大大小代表表半导体体工艺水水平的高高低）做做的越小小时，工工艺的难难度便相相对提高高从00.355um -> 0.225umm ->> 0..18uum -> 0.115umm ->> 0..13uum 代代表着每每一个阶阶段工艺艺能力的的提升7.一般的硅硅片(wwafeer)基基材(ssubsstraate))可区分分为N,,P两种种类型（type）,何谓 N, P-type wafer?答：N--typpe wwafeer 是是指掺杂杂 neegattivee元素(55价电荷荷元素，例例如：PP、As))的硅片片, PP-tyype 的waffer 是指掺掺杂 pposiitivve 元元素(33价电荷荷元素,, 例如如：B、In))的硅片片8.工厂中硅硅片（wwafeer）的的制造过过程可分分哪几个个工艺过过程(mmoduule))？答：主要要有四个个部分：：DIFFF（扩扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。
其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好9.一般硅片片的制造造常以几几P几M 及光光罩层数数(maask layyer))来代表表硅片工工艺的时时间长短短，请问问几P几M及光罩罩层数((massk llayeer)代代表什幺幺意义？？答：几PP几M代表硅硅片的制制造有几几层的PPolyy(多晶晶硅)和几层层的meetall(金属属导线)).一般般0.115umm 的逻逻辑产品品为1PP6M(( 1层的的Polly和6层的meetall)而而光罩层数数（maask layyer）代代表硅片片的制造造必需经经过几次次的PHHOTOO（光刻刻）.10.Wafeer下线线的第一一道步骤骤是形成成staart oxiide 和zerro llayeer? 其中sttartt oxxidee 的目目的是为为何？答：①不不希望有有机成分分的光刻刻胶直接接碰触SSi 表表面。
②在laaserr刻号过过程中,,亦可避避免被产产生的粉粉尘污染染11.为何需要要zerro llayeer? 答：芯片片的工艺艺由许多多不同层层次堆栈栈而成的的, 各层层次之间间以zeero layyer当当做对准准的基准准12.Laseer mmarkk是什幺幺用途?? Waaferr IDD 又代代表什幺幺意义??答：Laaserr maark 是用来来刻waaferr IDD, WWafeer IID 就就如同硅硅片的身身份证一一样,一个IDD代表一一片硅片片的身份份13.一般硅片片的制造造(waaferr prroceess))过程包包含哪些些主要部部分？答：①前前段（ffronntennd）-元器件件(deevicce)的的制造过过程②后段（bbackkendd）-金属导导线的连连接及护护层（ppasssivaatioon）14.前段（ffronntennd）的的工艺大大致可区区分为那那些部份份?答：①SSTI的的形成((定义AAA区域及及器件间间的隔离离)②阱区离离子注入入（weell impplannt）用用以调整整电性③栅极((polly ggatee)的形形成④源/漏漏极（ssourrce//draain）的的形成⑤硅化物物(saaliccidee)的形形成15.STI 是什幺幺的缩写写? 为何何需要SSTI??答：STTI: Shaalloow TTrennch Isoolattionn(浅沟沟道隔离离)，STII可以当当做两个个组件（device）间的阻隔, 避免两个组件间的短路.16.AA 是是哪两个个字的缩缩写? 简单说说明 AAA 的的用途??答：Acctivve AAreaa, 即即有源区区，是用用来建立立晶体管管主体的的位置所所在，在在其上形形成源、漏漏和栅极极。
两个个AA区之之间便是是以STTI来做做隔离的的17.在STII的刻蚀蚀工艺过过程中，要要注意哪哪些工艺艺参数？？答：①SSTI etcch（刻刻蚀）的的角度；；②STII ettch 的深度度；③STII ettch 后的CDD尺寸大大小控制制CD conntrool,CCD=ccritticaal ddimeensiion))18.在STII 的形形成步骤骤中有一一道liinerr oxxidee（线形形氧化层层）, linner oxiide 的特性性功能为为何？答：Liinerr oxxidee 为11000C,, 1220 mmin 高温炉炉管形成成的氧化化层，其其功能为为：①修补进进STII ettch 造成的的基材损损伤；②将STTI eetchh 造成成的ettch 尖角给给于圆化化( ccornner rouundiing))圆化角度尺寸大小要注意SiN 的remain 及HDP oxide 的loss这里的SAC oxide 是在 SiN remove 及 pad oxide remove 后，再重新长过的 oxide19.一般的阱阱区离子子注入调调整电性性可分为为那三道道步骤?? 功能能为何？？答：阱区区离子注注入调整整是利用用离子注注入的方方法在硅硅片上形形成所需需要的组组件电子子特性，一一般包含含下面几几道步骤骤：①Welll IImpllantt ：形形成N,,P 阱阱区；②Chaanneel IImpllantt：防止止源/漏极间间的漏电电；③Vt Impplannt：调调整Vtt（阈值值电压）。
20.一般的离离子注入入层次（Implant layer）工艺制造可分为那几道步骤?答：一般般包含下下面几道道步骤：：①光刻((Phooto))及图形形的形成成；②离子注注入调整整；③离子注注入完后后的assh ((plaasmaa(等离离子体))清洗)④光刻胶胶去除（PR strip）21.Polyy（多晶晶硅）栅栅极形成成的步骤骤大致可可分为那那些?答：①GGatee oxxidee(栅极极氧化层层)的沉积积；②Polly ffilmm的沉积积及SiiON((在光刻刻中作为为抗反射射层的物物质)的沉积积）；③Polly 图图形的形形成(PPhotto)；；④Polly及SiOON的Etcch；⑤Etcch完后后的assh( plaasmaa(等离离子体))清洗)及光刻刻胶去除除（PRR sttripp）；⑥Polly的Re--oxiidattionn（二次次氧化）22.Polyy（多晶晶硅）栅栅极的刻刻蚀(eetchh)要注注意哪些些地方？？答：①PPolyy 的CD((尺寸大大小控制制；②避免GGatee oxxie 被蚀刻刻掉，造造成基材材（suubsttratte）受受损.23.何谓 GGatee oxxidee(栅极氧氧化层))?答：用来来当器件件的介电电层，利利用不同同厚度的的 gaate oxiide ,可调调节栅极极电压对对不同器器件进行行开关24.源/漏极极(soourcce/ddraiin)的的形成步步骤可分分为那些些?答：①LLDD的的离子注注入（IImpllantt）；②Spaacerr的形成成；③N+//P+IIMP高高浓度源源/漏极(SS/D))注入及及快速热热处理((RTAA：Rappid Theermaal Annneall)。
25.LDD是是什幺的的缩写?? 用途途为何??答：LDDD: Lighhtlyy Dopped Draiin. LDDD是使用用较低浓浓度的源源/漏极, 以防止止组件产产生热载载子效应应的一项项工艺26.何谓 HHot carrrieer eeffeect (热载载流子效效应)??答：线寛小于于0.55um以以下时,, 因为为源/漏极间间的高浓浓度所产产生的高高电场,,导致载载流子在在移动时时被加速速产生热热载子效效应, 此热载载子效应应会对ggatee oxxidee造成破破坏, 造成组组件损伤伤27.何谓Sppaceer? Spaacerr蚀刻时时要注意意哪些地地方？答：在栅栅极(PPolyy)的两两旁用ddiellecttricc（介电电质）形形成的侧侧壁，主主要由OOx/SSiN//Ox组组成蚀蚀刻sppaceer 时时要注意意其CDD大小，pproffilee(剖面面轮廓))，及reemaiin ooxidde(残残留氧化化层的厚厚度)28.Spaccer的的主要功功能?答：①使使高浓度度的源//漏极与与栅极间间产生一一段LDDD区域域;②作为CConttactt Ettch时时栅极的的保护层层。
29.为何在离离子注入入后, 需要热热处理(( Thhermmal Annneall)的工工艺?答：①为为恢复经经离子注注入后造造成的芯芯片表面面损伤;;②使注入入离子扩扩散至适适当的深深度;③使注入入离子移移动到适适当的晶晶格位置置30.SAB是是什幺的的缩写?? 目的的为何？？答：SAAB：Saliicidde bblocck, 用于保保护硅片片表面，在在RPOO (RResiist Prootecct OOxidde。