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1、LED 术语】发光效率（ luminous efficacy）评测光源效率的指标，用光源发出的光通量 （Im）与向光源输入的电力 （W）之比表示。单位为 lm/W。最近，白色LED的发光效率超过了 100lm/W。作为有望继白炽灯和荧光灯之后成为新一代光源的白色 LED ，其发光效率能否达到与直管型荧光灯的综合效率相同的100Im/W 备受关注。 发光效率只表示光源的效率， 与将光源安装到照明器具上后器具的整体效率 （综合 效率）是不同的概念。发光效率是将外部量子效率用视觉灵敏度 （人眼对光的灵敏度） 来表示的数值。 外部量 子效率是发射到 LED 芯片和封装外的光子个数相对于流经 LED 的
2、电子个数 （电流） 所占的 比例。 组合使用蓝色 LED 芯片和荧光体的白色 LED 的外部量子效率， 是相对于内部量子效 率（在 LED 芯片发光层内发生的光子个数占流经 LED 芯片的电子个数（电流）的比例） 、 芯片的光取出效率 （将所发的光取出到 LED 芯片之外的比例） 、荧光体的转换效率 （芯片发 出的光照到荧光体上转换为不同波长的比例）以及封装的光取出效率（由LED 和荧光体发射到封装外的光线比例）的乘积决定。在发光层产生的光子的一部分或在 LED 芯片内被吸收，或在 LED 芯片内不停地反射， 出不了 LED 芯片。因此，外部量子效率比内部量子效率要低。发光效率为100lm/W
3、 的白色LED ，其输入电力只有 32作为光能输出到了外部。剩余的 68转变为热能。今后 3 年将提高 100lm/W发光效率在 2003 年之前一直以每年数 lm/W 的速度缓慢提高。在提高发光效率时，最 初未改变荧光体和封装，而是致力于改进芯片技术。具体而言，进行了诸如改善蓝色LED芯片所使用的 GaN 类半导体结晶的 MOCVD 结晶成长技术等。从2004年开始，发光效率以每年1020Im/W的速度提高。由此，从2004年的50Im/W 到2008年的100Im/W , 4年间提高了 50Im/W。这种速度的实现，借助了将原来聚集于成膜 技术的芯片技术改进扩展至了整个 LED 制造工艺那样的重大调整。另外，除了改进芯片技 术外，还开始对荧光体进行改善。输入电力100%i I!半导体内部阻抗与接触阻抗14% ;! FL
