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1、第一章半导体二极管一. 半导体的基础知识1. 半导体一-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、锗Ge）。2特性一-光敏、热敏和掺杂特性。3. 本征半导体一一纯净的具有单晶体结构的半导体。4. 两种载流子带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5. 杂质半导体一一在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。*N型半导体：在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*体电阻-通常把杂质半导体
2、自身的电阻称为体电阻。*转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7. PN结* PN结的接触电位差一-硅材料约为0.60.8V,锗材料约为0.20.3V。* PN结的单向导电性一-正偏导通，反偏截止。8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性正向导通，反向截止。*二极管伏安特性一一同PN结。*正向导通压降硅管0.60.7V，锗管0.20.3V。*死区电压硅管0.5V，锗管0.1V。3分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴（正偏），二极管导通（短路）；阳阴若V阳V阴（反偏），二极管截止（开路）。阳阴1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫
3、静态工作点Q。2）等效电路法直流等效电路法*总的解题手段一一将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳阴（正偏），二极管导通（短路）；若V阳宀阴（反偏），二极管截止（开路）。*三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性-一正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1. 类型一-分为NPN和PNP两种。2特点一-基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电
4、流的分配*共发射极电流放大系数（表明三极管是电流控制器件式子1I称为穿透电流。3. 共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管。*输出特性曲线（饱和管压降，用U表示CES放大区-发射结正偏，集电结反偏。截止区一-发射结反偏，集电结反偏。4. 温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高I、I、I以及B均增加。CBOCEOC三. 低频小信号等效模型（简化）h-输出端交流短路时的输入电阻，ie常用r表示；beh-输出端交流短路时的正向电流传输比，fe常用B表示；四. 基本放大电路组成及其原则1. VT、V、R、R、C、C的作用。CCbc122. 组成原则能放大、不失真、能传输。五. 放大电路的
5、图解分析法1.直流通路与静态分析*概念直流电流通的回路。*画法-一电容视为开路。*作用-确定静态工作点*直流负载线-由V=IR+U确定的直线。CCCCCE*电路参数对静态工作点的影响1）改变R:Q点将沿直流负载线上下移动。b2）改变R:Q点在I所在的那条输出特性曲线上移动。cBQ3）改变V：直流负载线平移，Q点发生移动。CC2. 交流通路与动态分析*概念-交流电流流通的回路*画法-电容视为短路，理想直流电压源视为短路。*作用-分析信号被放大的过程。*交流负载线-连接Q点和V点V=U+IR的CCCCCEQCQL直线。3. 静态工作点与非线性失真（1）截止失真*产生原因一-Q点设置过低*失真现象-
6、NPN管削顶，PNP管削底。*消除方法减小Rb,提高Q。（2）饱和失真*产生原因一-Q点设置过高*失真现象-NPN管削底，PNP管削顶。*消除方法一-增大R、减小Rc、增大V。bCC4. 放大器的动态范围（1）Uopp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。（2）范围*当（UU）（VU）时，受截止失真限制，U=2U=2IR。CEQCESCCCEQOPPOMAXCQLU)。CEQCES*当(Uu)V(VU)时，受饱和失真限制，U=2U=2BRc。B2.放大电路的动态分析*放大倍数*输入电阻*输出电阻七. 分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1静态分析2动态分析*电压放大倍数在Re两端并一电解
7、电容Ce后输入电阻在Re两端并一电解电容Ce后*输出电阻八. 共集电极基本放大电路1静态分析2动态分析*电压放大倍数*输入电阻*输出电阻3. 电路特点*电压放大倍数为正，且略小于1,称为射极跟随器，简称射随器。*输入电阻高，输出电阻低。第三章场效应管及其基本放大电路一. 结型场效应管（JFET）1. 结构示意图和电路符号肿MJFET结构泾山躇符号（b）构貶电跣符焙2. 输出特性曲线（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）转移特性曲线U截止电压P二. 绝缘栅型场效应管（MOSFET）分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。结构示意图和电路符号4WBSL!FT2. 特性曲线*N-EMOS的输
8、出特性曲线* N-EMOS的转移特性曲线式中，I是U=2U时所对应的i值。DOGSTD* N-DMOS的输出特性曲线注意：u可正、可零、可负。转移特性曲线上i=0处的值是夹断电压U,此曲线表示式与结型GSDP场效应管一致。三. 场效应管的主要参数1漏极饱和电流IDSS2夹断电压Up3. 开启电压UT4. 直流输入电阻RGS5低频跨导g(表明场效应管是电压控制器件)m四. 场效应管的小信号等效模型E-MOS的跨导g-五. 共源极基本放大电路1. 自偏压式偏置放大电路*静态分析动态分析I=f*Fg加用”匸畫F血若带有Cs,则2. 分压式偏置放大电路*静态分析*动态分析若源极带有Cs,则六. 共漏极
9、基本放大电路*静态分析*动态分析第四章多级放大电路一. 级间耦合方式1. 阻容耦合-各级静态工作点彼此独立；能有效地传输交流信号；体积小，成本低。但不便于集成，低频特性差。2. 变压器耦合-各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。体积大，成本高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。3. 直接耦合一一低频特性好，便于集成。各级静态工作点不独立，互相有影响。存在“零点漂移”现象。*零点漂移当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使U0偏离初始值“零点”而作随机变动。二. 单级放大电路的频率响应1中频段(fLWfWfH)htfc-1IO.I1中ojOC4B中频段混合JT参数等效
10、电路波特图幅频曲线是20lgAusm=常数，相频曲线是e=T80o。2低频段fWfL)3高频段f2fH)4完整的基本共射放大电路的频率特性dBf2U1(|A|完魁的垦冷北射放大电削的频吶H【l线响应三. 分压式稳定工作点电路的频率1下限频率的估算2上限频率的估算四. 多级放大电路的频率响应1. 频响表达式2. 波特图第五章功率放大电路一. 功率放大电路的三种工作状态1. 甲类工作状态导通角为360o,I大，管耗大，效率低。CQ2. 乙类工作状态I心0,导通角为180o,效率高，失真大。CQ3. 甲乙类工作状态导通角为180。360。，效率较高，失真较大。二. 乙类功放电路的指标估算1. 工作状
11、态任意状态：UomUim尽限状态：Uom=V-UCCCES理想状态：UomVCC2.输出功率3. 直流电源提供的平均功率4. 管耗P=0.2Pclmom5. 效率理想时为78.5%三. 甲乙类互补对称功率放大电路1. 问题的提出在两管交替时出现波形失真交越失真（本质上是截止失真）。2. 解决办法甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。动态指标按乙类状态估算。甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL电容C上静态电压为V/2,并且取代了OCL2CC功放中的负电源-V。CC动态指标按乙类状态估算，只是用v/2代替。CC四. 复合管的组成及特点1. 前一个管子c-
12、e极跨接在后一个管子的b-c极间。2. 类型取决于第一只管子的类型。3. B=BB12第六章集成运算放大电路一. 集成运放电路的基本组成1. 输入级米用差放电路，以减小零漂。2中间级多采用共射（或共源）放大电路，以提高放大倍数。3. 输出级多采用互补对称电路以提高带负载能力。4. 偏置电路多采用电流源电路，为各级提供合适的静态电流。二. 长尾差放电路的原理与特点1. 抑制零点漂移的过程一一当Tffi、ii、iuffu、u（fi、i（fi、i（。C1C2ElE2EBE1BE2B1B2C1C2Re对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反馈电阻”。2静态分析1）计算差放电路IC设U心
13、0,BC1=C2wE1则U=0.7V,得E2）计算差放电路UCE双端输出时单端输出时（设VT1集电极接R）L对于VT1：对于VT2：3. 动态分析1）差模电压放大倍数双端输出单端输出时从VT1单端输出：4_u_Fl2-2+(!+/?)(Ap/2)1从VT2单端输出：2) 差模输入电阻3) 差模输出电阻双端输出：单端输出：三. 集成运放的电压传输特性当u在+U与-U之间，运放工作在线性区域：Iimim四. 理想集成运放的参数及分析方法1. 理想集成运放的参数特征*开环电压放大倍数Aodfg；*差模输入电阻Ridfg；*输出电阻RoO；*共模抑制比KCMRfg；2. 理想集成运放的分析方法1)运放工作在线性区：*电路特征一一引入负反馈*电路特点一一“虚短”和“虚断”：“虚短”一-“虚断”-一2)运放工作在非线性区*电路特征一一开环或引入正反馈*电路特点输出电压的两种饱和状态：当uu时，u=+U+-oo
