高电压技术名词解释题

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1、绝缘配合:综合考虑系统中可能出现的各种过电压、保护装置特性及设备的绝缘特性,确定设备的绝缘水平及其使用,从而使设备绝缘故障率或停电事故率降低到经济上和运行上可以接受的水平.吸收比:指被试品加压60秒时的绝缘电阻与加压15秒时的绝缘电阻之比.雷击跳闸率:指每100KM线路每年由雷击引起的跳闸次数。雷暴日:指某地区一年四季中有雷电放电的天数,一天中只要听到一次及以上雷声就是一个雷暴日。伏秒特性:对某一冲击电压波形,间隙的击穿电压和击穿时间的关系称为伏秒特性.气体击穿:气体由绝缘状态变为导电状态的现象称为击穿.耐雷水平:雷击时线路绝缘不发生闪络的最大雷电流幅值。自恢复绝缘:发生击穿后,一旦去掉外加电

2、压,能恢复其绝缘性能的绝缘.输电线路耐雷水平:雷击时线路绝缘不发生闪络的最大雷电流幅值.进线段保护:进线段保护就是在接近变电所12km的一段线路上架设避雷线谐振过电压:当系统进行操作或发生故障时,某一回路自振频率与电源频率相等时,将发生谐振现象,导致系统中某些部分(或设备)上出现的过电压。电气距离:避雷器与各个电气设备之间不可避免地要沿连接线分开一定的距离。绝缘配合:就是综合考虑电气设备在系统中可能承受的各种作用电压,合理地确定设备必要的绝缘水平,达到在经济上和安全运行上总体效益最高的目的。自持放电:不需要靠外界电力因数的作用,由放电过程本身就可以不断地供给引起后继电子崩的二次电子。雷电日和雷

3、电小时:雷电日是该地区1年中有雷电的天数.雷电小时是该地区1年中有雷电的小时数。击杆率.雷击杆塔次数与雷击线路总次数之比。50%冲击放电电压U50%:放电概率为50时的冲击放电电压避雷线的保护角指避雷线和外侧导线的连线与避雷线的垂线之间的夹角,用来表示避雷线对导线的保护程度。保护角愈小,避雷线就愈可靠地保护导线免遭雷击.接地电阻接地装置对地电位u与通过接地极流入地中电流i的比值称为接地电阻。电介质的极化:电介质在电场作用下产生的束缚电荷的弹性位移和偶极子的转向位移现象.电子位移极化:当外加电场后,电场力将使荷正电的原子核向电场方向位移,荷负电的电子云中心向电场反方向位移,但原子核对电子云的引力

4、又使两者倾向于重合,当这两种作用力达到平衡时,感应电矩也达稳定,这个过程称为电子位移极化。离子位移极化:在由离子结合成的介质内,外电场的作用除了促使各个离子内部产生电子位移极化外,还产生正、负离子相对位移而形成的极化.转向极化:当有外电场时,每个分子的固有偶极矩就有转向电场方向的趋势,顺电场方向作定向排列。但是由于受分子热运动的干扰,这种转向定向的排列,只能达到某种程度,而不能完全.随场强和温度的不同,这种转向排列在不同的程度上达到平衡,对外呈现出宏观电矩,这就是极性分子的转向极化.空间电荷极化:在电场的作用下,带点质点在电介质中移动时,可能被晶体捕捉,或在两层介质的界面上堆积,造成电荷在介质

5、空间中新的分布,从而产生电矩。电子崩:外界电离因子在阴极附近产生一个初始电子如果空间的电场强度足够大,该电子在向阳极运动时就会引起碰撞电离,产生出一个新电子,初始电子和新电子继续向阳极运动,又会引起新的碰撞电离,产生出更多的电子。依次类推,电子数将按几何级数不断增多,像雪崩似的发展,这种急剧增大的空间电流被称为电子崩。巴申定律:在均匀的电场中,击穿电压Ub与气体的相对密度8、极间距离S的积有函数关系,只要8与S的乘积不变,Ub也就不变。介质的损耗:在电场的作用下,电介质由于电导引起的损耗和有损极化(如偶极子极化、夹层极化等)引起的损耗。介质损耗角8:为功率因数角。的余角,其正切tgS又可称为介

6、质损耗因数,常用百分数(%)来表示。介质损耗因数(tgS):是表征绝缘在交变电压作用下比损耗大小的特征参数,它与绝缘体的形状和尺寸无关,它是绝缘性能的基本指标之一.吸收曲线:在直流电压作用下,流过绝缘的总电流随时间而变化的曲线,称为吸收曲线。辉光放电:放电光辉充满整个电极空间,电流密度在1-5A/cm2之间,整个间隙呈绝缘状态。电晕放电:高场强电极附近出现发光的薄层,伴随着咝咝的声音和臭氧的气味,整个间隙呈绝缘状态。刷状放电:由电晕电极伸出的明亮而细的断续的放电通道,电流增大,间隙仍未被击穿。火花放电:贯通两电极的明亮而细的断续的放电通道,火花放电间歇地击穿间隙。电弧放电:持续贯通放电通道,间

7、隙被完全击穿。气隙沿面放电:沿着气体与固体(或液体)介质的分界面上发展的放电现象.闪络:沿面放电发展到贯穿两极,使整个气隙沿面击穿。气隙击穿时间:静态击穿电压U0长时间作用在间隙上能使间隙击穿的最低电压。击穿时间tb从开始加压的瞬时起到气隙完全击穿为止总的时间称为击穿时间。50冲击击穿电压(U50%)指某气隙被击穿的概率为50%的冲击电压峰值.冲击系数3U50%与静态击穿电压Us之比称为冲击系数3.均匀和稍不均匀电场下冲击击穿电压的分散性很小,冲击系数31。极不均匀电场中由于放电时延较长,冲击系数3均大于1。小桥理论(热击穿):液体中所含的杂质在电场力的作用下沿电力线排列形成杂质“小桥”。由于

8、组成此“小桥的纤维及水分等的电导较大,使泄漏电流增大,发热增加,最终造成液体的击穿.绝缘电阻-电介质在加压无穷长时间测得的电阻称为绝缘电阻。吸收比K绝缘体在加电压60s与15s时分别所测得的绝缘电阻值的比值,称为吸收比。极化指数P绝缘体在加电压后10min和1min分别所测得的绝缘电阻值的比值。雷电流:雷击于接地阻抗为零的物体时流经接地体的电流。国际规定接地体阻抗小于30QO雷暴日:一年中有雷电流活动的日数。凡是有雷电活动的一天,不管雷电次数多少都记为1。雷暴小时:一年中有雷电的小时数。一个小时中有听到雷声就为一个雷暴小时.地面落雷密度:每一雷暴日每平方千米地面遭受雷击的次数,以丫表示。耐雷水

9、平:雷击线路时绝缘不发生闪络的最大雷电流的幅值,以kA为单位。雷击跳闸率:每100km线路每年由雷击引起的跳闸次数称为“雷击跳闸串”,这是衡量线路防雷性能的综合指标。电晕:伴随着游离而存在的复合和反激励,发出大量的光辐射,使在黑暗中可以看到在该电极附近空间发出蓝色的晕光。极性效应:无论是长气隙还是短气隙,击穿的发展过程都随着电压极性的不同而有所不同,即存在极性效应。湿闪电压:洁净的瓷表面被雨水淋湿时的沿面放电,相应的电压称为湿闪电压。污闪电压:绝缘子表面有湿污层时的闪络电压称为污闪电压等值附盐密度(简称“等值盐密”)来表征绝缘子表面的污秽度,它指的是每平方厘米表面所沉积的等效氯化钠(NaCl)

10、毫克数。爬电比距入指外绝缘“相-地”之间的爬电距离(cm)与系统最高工作(线)电压(kv,有效值)之比.电击穿:类似于气体电介质那样,由于电场的作用使电介质中的某些带电质点积聚的数量和移动的速度达到一定程度时,使电介质失去了绝缘的性能,形成导电通道,这样的击穿称为电击穿热击穿:在电场的作用下,由于电介质损耗和泄漏等原因而使固体电介质内发出的热量大于散失的热量,使介质温度不断上升,最终造成介质本身的破坏,转化成导电通道,这样的击穿称为热击穿。老化电气设备的绝缘在长期运行过程中会发生一系列物理变化(如固体介质软化或熔解低分子化合物及增塑剂的挥发)和化学变化(如氧化、电解、电离、生成新物质),致使其

11、电气、机械及其他性能逐渐劣化。电老化:电介质在电场的长时间作用下,会逐渐发生某些物理化学变电老化:电介质在电场的长时间作用下,会逐渐发生某些物理化学变化(例如电解、电离、氧化等),形成新的物质,逐渐使介质的物理、化学性能发生不可逆的劣化,最终寻致被击穿,这个过程称为电老化。局部放电:指在一定外施电压作用下,电气设备内部绝缘弱点处发生的局部重复击穿和熄灭现象。“容升”现象:容性负荷电流经变压器的漏抗产生压升,使变压器高压侧的输出电压比按空载变比所预期的值还高,即所谓“容升”现象.变压器的入口电容:t=0瞬间,绕组相当于一电容链,此电容链可等值为一集中电容,称为变压器的入口电容。耐雷水平:雷击线路

12、时绝缘不发生闪络的最大雷电流的幅值,以kA为单位.雷击跳闸率:每100km线路每年由雷击引起的跳闸次数称为“雷击跳闸串”,这是衡量线路防雷性能的综合指标。介电常数基本概念:介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场,原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即为介电常数.平均自由程:是指两次碰撞之间一个分子平均所走的距离.激励:在常态下,电子受外界因素影响由低能量级轨道上跃迁到高能量级轨道的现象电离:产生带电离子的物理过程, 但在电场力的驱动下,仍迁移率:带电离子虽然不可避免地要与气体分子不断地发生碰撞将沿着电场方向漂移,其速度u与场强E其比例系数k=u/E。扩散:在热运动的过程中,粒子会从浓度较

13、大的区域运动到浓度较小的区域,从而使每种粒子的浓度分布均匀化。逸出功:电子从金属表面逸出需要一定的能量附着:当电子与气体分子碰撞时,可能会发生电子与中性分子相结合而形成负离子的情况.易于产生负离子的气体称为电负性气体.气体放电:将气体中流通电流的各种形式称作气体放电。击穿与闪络:当气体间隙上的电压达到一定数值时,电流突然剧增,使气体失去绝缘性能.气体由绝缘状态突变为良导电状态的过程,称为击穿。当击穿过程发生在气体与液体或气体与固体的交界面上时,称为沿面闪络.正流注:电子崩先从阴极到阳极,在阳极附近形成正、负带电质点构成的等离子体,然后再从阳极贯穿阴极,整个间隙击穿。负流注:电子崩尚未贯穿间隙即形成流注,流注再贯穿气隙.操作过电压:电力系统存在电感和电容,在操作过程或发生事故时会引起振荡过程,造成很高的过电压.相对电气强度:在压力和距离相同的条件下,气体的电气强度和空气的电气强度之比。局部放电:发生在电极之间,但并未贯通的放电。这种放电可以在导体附近发生,也可以不在导体附近发生。

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