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1、MASK介绍与曝光机原理Mask说明: 将mask上的图形通过曝光（UV光），复制到玻璃基板上，通过显影等方式，形成CF图形。曝光(Exposure)u/光I光Aligner 方式Stepper 方戎FPD 6- *mask样图:口口口0000m口口口 口口口 口口口 口enon口mask规格1. 适用范围本规格书适用于清溢精密光电（深圳）有限公司为湖南普照爱伯乐显示器件有限公司提供的苏打玻璃铬版。2.铬版规格铬版原材料项目规格材质苏打玻璃玻璃外形尺寸* X * mm玻璃基版厚度4.8 0.2 mm铬膜厚度100CK100A反射率10.05%(at436nm)铬膜光学密度3.0 0.3 (at
2、 450nm)尺寸精度项目规格产品区分CF外形尺寸精度 1 mm图形居中精度 1 mm Ai irvi清溢精密光电深圳有限公司QINGYI PRECISIONMASKMAKING SHENZHEN CO.,LTD尺寸精度量测方式项目规格线缝精度测量贵司整版图形中最小的线（缝）宽 整版测量图形中靠四个角的单粒和图形中间位置单粒（共五个单粒），每个单粒选取两根线（缝）测量（共10条），如图一所示若贵司图形中最小线缝超越报价评审的最小线缝范围和线缝精度或贵司要求测量其它位置应事先通知 协商.外形尺寸精度 测量铬版上两长 边之间的距离及两 短边之间的距离 并计算与设计值的偏差，即图一中A、B的测量值与
3、 设计值的偏差清溢精密光电深圳有限公司QINGYI PRECISIONMASKMAKING SHENZHEN CO.,LTD总长精度 测量MASK图形中长边及短边指定标记之间的距离并计 算与设计值的偏差;一般选取靠近图形边缘的四个十字 标记，测量之间的距离。如图二所示Pl、P2、P3、P4四 个标记之间的距离：P1P2图二*普通等级的铬版出货时不测量总长，如贵司需测量,或贵司需指定测量标记，应事先通知协商套合精度*测量MASK图形中长边及短边指定标记之间的距离并计 算与同一套版中其它MASK的偏差；一般选取靠近图形i 缘的四个十字标记，测量之间的距离。如图二中P1、P2- P3、P4四个标记之
4、间的距离：*普通等级的铬版出货时不测量套合，如贵司需测量， 或贵司需指定测量标记，应事先通知协商fSK清溢精密光电深圳有限公司QINGYI PRECISIONMASKMAKING SHENZHEN CO.,LTD3.缺陷规格3-1缺陷区域定义区域定义A图形关键显示区域B区对位标记、引线区等非关键显示图形C填充块、单粒中间、图形旁边等非图形区域D图形区边缘距铬版边缘的区域E产品标识若贵司对缺陷区域定义有差异，需事先通知协商。示意图:清溢精密光电深圳有限公司QINGYI PRECISIONMASKMAKING SHENZHEN CO.,LTD3-2各区域缺陷规格项目规格针孔A 区：W5um （且线
5、宽 1/3）B 区:W10um （且线宽 1/3）C区：目视看不到即可D区：无定义E区：无定义W二（X+Y）/2凹陷（白凸）A 区：W5um （且 线宽 1/3）B 区:W10um （且线宽 1/3）C区：目视看不到即可D区：无定义YE区：无定义W=（X+Y）/2毛朿（黑凸）A 区：W5um （且 线宽 1/3）B 区:W10um （且3.0*3.0*3.0mm，不允许边/崩角整版2个以上不允许修补方法1 .用树脂材料和金属材料修补针孔和凹陷2.黑点毛刺以Laser Repair（激光）来修正 *若贵司对修补方法或修补相关事项有限制 知协商。3、RGB的曝光：Q整列的精度：200 um相对于走
6、片方向的两侧。三、曝光机的介绍：1、基板的进入曝光机的顺序：搬入*整列 * stage 对位。2、BM的对位：台板上有对位mark,与mask的对位标志对正，进行曝光。与半反射的曝 光一样。两个的对位标志：-BM的曝光顺序是：-对位* GAP测量*曝光。MASK台板PIN LI LI LI Ll LI LI LI台板机器先读台板上的标志+,再读m ask上的+对位的顺序：预对位 * gap测定* Auto AlignmentC自动 对位）。Q预对位：精度： 20umQ GAP的测量：有三个小窗口测gap。gap指的是玻璃基板与mask的距离。 gap的测量原理：Q精确对位: 精度土lum. m
7、ask上有小窗口，在玻璃基板上有EM曝光时曝出来的并排的三个“ + + ”，之间的距离是2 + a ,a代表RGB之间的间距。MASK与玻璃的对位示意图如下:利用三角形的重扫描的波形MASK上对位标志 口GAP框对位框GAP框对位框 口GAP框一、MASK 汁RGB MASK児翳：1- irr.rflr为大尬 三-reup wiailn,中冋m屋打拓in ：牛十爭对位腼若在中创星.卜怖的字悬与會孫时位标亩X对位标屋的口*徑由摩光诽蓼凱确定.莹色的IF星厚光.在荃姬上羽咸实胞F字-邸p对世梅亩琏厚光M曲FitetflFliftM柱. 与會战时也麻暮位賈也有VEM对位标志:RGE对位标志：Maks
8、与基台对位标志:Gap标志：Mask测试版设计测试内容此mask设计测试的目的：1. 对曝光机曝光均匀性的测试（包括中间及四周）;2. 测试曝光机极限尺寸的能力及对位精度;3.对工艺参数调整的测试。1、此mask设计以370X470mm、14X 16inch两种主要规格进行设计。2、目的：测量极限边缘的能力。设计：以玻璃尺寸370X470mm、14X16inch两种规格，玻璃边缘向内部每边5排，每排15个，图形为十字错位, 间隔1mm。（见BM及RGB边缘15个错位“十”字）原由：测试距边缘08mm距离对位标记工艺能力，以尽量满足客户图形满布的设计。3、目的：测量 total pitch。设计
9、：（BM）在370X470mm做一圈十字。十字中心距离玻璃边缘10mm。原由：测试曝光后玻璃的尺寸，对工艺参数进行修正，满足顾客的精度要求4、目的：测量 BM、RGB 的线宽。设计：各种式样BM线宽设计在ABLE基础上，修改后尺寸为5、6、7、8、9、10、12、14、16微米，相对于ABLE的设计 RGB 的线宽已经以 BM 为基础全部调整， RGB 套位搭边（边缘重叠）值 2 微米（5 微米搭边为 1 微米）。在大图形区周围设计与 BM 对应的 RGB 图形的尺寸：分别为 65、67、69、71、72、73 微米。原由：依据 BM 及 RGB 的尺寸，搭边情况，满足顾客实际要求。5、目的：
10、对位标志设计。设计：两种规格370X470mm、14X16inch尺寸；两种规格设计对位标志：gap标志、MASK对位标志、BM对位标志、RGB 对位标志全套。原由：由曝光机具体参数及实际规格进行设计。6、目的：曝光的均匀性能力测试。做法：ABLE和清溢设计图形均加入设计图面中，在整个图形测试位置中均有分布，且正负形设计，曝光后图形区显示相反。具体为：清溢小图形： 30、40、50、60、70、80、90、100、110、120 微米的直条形，横竖分布；420 微米，连续分布长条形，横竖排列；直条交叉形： 8、10、12、14、16、18、20 微米，横竖分布；三角形、四方形、圆：尺寸为 10
11、、20、30、40、50、60、70、80 微米。ABLE 小图形： 3-20 微米连续分布：横竖直条形，四方交叉形，横竖交叉形。原由：测试曝光机的均匀性，满足各种尺寸的要求。7、目的：BM、RGB对位一致。设计：选定适当区域（图中四大图形区周围）以BM的线宽10微米为标准，RGB在BM上搭边（重叠部分）从-3、-2、-1、0、1 微米、2 微米、3 微米三种图形设计，做一定数量图形测试。原由：生产工艺实际要求曝光的精度不同，及工艺参数的调整需要。8、目的：不同形状的曝光能力。设计：(在两侧BM图形区上方)设计BM区域：POS正性胶设计，尺寸为15X55、75X50微米，以及几种不同形状 的图
12、形：15X80、10X90、30X30、30X40 微米。RGB对应的设计了 ：正性胶三角形图形，尺寸为30、40微米；BOX形，尺寸为40 (20, 25, 30)微米。 原由：满足客户不同形状标记的需要。修改：图形区BM、RGB图形不要重合在一起。9、目的：曝光均匀性测试，各种RGB尺寸的确认 设计：中间四块图形区的设计，不同的尺寸及搭边见下图。原由：满足客户不中图形的尺寸的需要。 修改：右上角图形区增加标注，仿照其它三区域。依次是 BM、RGB 的尺寸,括号里的数据是 RGB 尺寸,搭边表示重合的部分左上角:40X74 (40X55)40X110 (40X55)40X1455):7 (4
13、0X 搭边1240X147 (40X50X176 (40X55)搭边4160X172 (40X55)搭边3755):搭边1240X74 (40X40X110 (40X40X147 (40X50X147 (40X50X176 (40X60X172 (40X74)74)74):搭边3174):搭边31174)搭边6074)搭边5640X74 (40X40X110 (40X40X147 (40X50X147 (40X50X176 (40X60X172 (40X92)92)搭边1292):搭边4992):搭边4992)搭边7892)搭边7440X74 (40X40X110 (40X40X147 (40X50X147 (40X50X176 (40X60X172 (40X110)110)搭边30110)搭边67110)搭边67110)搭边96110 )搭边9240X74 (40X40X110 (40X40X147 (40
