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1、word单项选择题： 第1章 原子结构与键合1. 高分子材料中的C-H化学键属于。（A）氢键（B）离子键（C）共价键2. 属于物理键的是。（A）共价键（B）德华力（C）离子键3. 化学键过共用电子对形成的是。（A）共价键（B）离子键（C）金属键第2章 固体结构4. 以下不具有多晶型性的金属是。（A）铜（B）锰（C）铁5. fcc、bcc、hcp三种单晶材料中，形变时各向异性行为最显著的是。（A）fcc（B）bcc（C）hcp6. 与过渡金属最容易形成间隙化合物的元素是。（A）氮（B）碳（C）硼7. 面心立方晶体的孪晶面是。（A）112（B）110（C）1118. 以下属于正常价化合物的是。（A
2、）Mg2Pb（B）Cu5Sn（C）Fe3C第3章 晶体缺陷9. 在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这样的缺陷称为。（A）肖特基缺陷（B）弗仑克尔缺陷（C）线缺陷10. 原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为。（A）肖脱基缺陷（B）Frank缺陷（C）堆垛层错11. 刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系是？（A）垂直（B）平行（C）交叉12. 能进行攀移的位错必然是。（A）刃型位错（B）螺型位错（C）混合位错13. 以下材料中既存在晶界、又存在相界的是（A）孪晶铜（B）中碳钢（C）亚共晶铝硅合金14. 大角度晶界具有_个自由度。（A）3（B）4（C）5第4章 固体中原子及分子的运动
3、15. 菲克第一定律描述了稳态扩散的特征，即浓度不随变化。（A）距离（B）时间（C）温度16. 在置换型固溶体中，原子扩散的方式一般为。（A）原子互换机制（B）间隙机制（C）空位机制17. 固体中原子和分子迁移运动的各种机制中，得到实验充分验证的是（A）间隙机制（B）空位机制（C）交换机制18. 原子扩散的驱动力是。 （4.2非授课容）（A）组元的浓度梯度（B）组元的化学势梯度（C）温度梯度19. A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应，测得界面向A试样方向移动，则。（A）A组元的扩散速率大于B组元（B）B组元的扩散速率大于A组元（C）A、B两组元的扩散速率相同20. 下述有关自扩散的描述中正确
4、的为。（A）自扩散系数由浓度梯度引起（B）自扩散又称为化学扩散（C）自扩散系数随温度升高而增加第5章 材料的形变和再结晶21. 在弹性极限se围，应变滞后于外加应力，并和时间有关的现象称为（A）包申格效应（B）弹性后效（C）弹性滞后22. 塑性变形产生的滑移面和滑移方向是（A）晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向（B）晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向（C）晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向23. bcc、fcc、hcp三种典型晶体结构中，_具有最少的滑移系，因此具有这种晶体结构的材料塑性最差。（A）bcc（B）fcc（C）hcp24. ，位错滑移的派-纳力越小。（A）位错宽度
5、越大（B）滑移方向上的原子间距越大（C）相邻位错的距离越大25. Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是：（A）溶质原子再扩散到位错周围 （B）位错增殖的结果 （C） 位错密度降低的结果26. 已知Cu的Tm=1083C，则Cu的最低再结晶温度约为。（A）200C（B）270C（C）350C27. 已知Fe的Tm=1538C，则Fe的最低再结晶温度约为。（A）350C（B）450C（C）550C28. 位错缠结的多边化发生在形变合金加热的_阶段。（A）回复（B）再结晶（C）晶粒长大29. 形变后的材料再升温时发生回复与再结晶现象，则点缺陷浓度下降明显发生在。（A）回复阶段（B）再结晶阶
6、段（C）晶粒长大阶段30. 形变后的材料在低温回复阶段时其部组织发生显著变化的是。（A）点缺陷的明显下降（B）形成亚晶界（C）位错重新运动和分布31. 由于晶核产生于高畸变能区域，再结晶在_部位不易形核。（A）大角度晶界和孪晶界 （B）相界面 （C）外表面32. 纯金属材料的再结晶过程中，最有可能在以下位置首先发生再结晶形核（A）小角度晶界（B）孪晶界（C）外表面33. 对于变形程度较小的金属，其再结晶形核机制为。（A）晶界合并（B）晶界迁移（C）晶界弓出34. 再结晶晶粒长大的过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因，晶界总是向着_方向移动（A）曲率中心（B）曲率中心相反（C）曲率
7、中心垂直35. 开始发生再结晶的标志是：（A）产生多变化 （B）新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织 （C）晶粒尺寸显著增大36. 在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒属于。（A）复合强化（B）析出强化（C）固溶强化37. 在纯铜基体中添加铝或锡、镍等微量合金元素属于。（A）复合强化（B）析出强化（C）固溶强化38. 在纯铝的凝固过程中添加Al-Ti-B细化剂属于。（A）复合强化（B）晶粒细化（C）固溶强化第6章 单组元相图及纯晶体的凝固39. 凝固时在形核阶段，只有核胚半径等于或大于临界尺寸时才能成为结晶的核心，当形成的核胚半径等于临界半径时，体系的自由能变化。（A）大于零（B）等于零（C）小于零40
8、. 以下材料中，结晶过程中以非小平面方式生长的是。（A）金属锗（B）透明环己烷（C）氧化硅41. 以下材料中，结晶过程中以小平面方式生长的是。（A）金属锗（B）铜镍合金（C）金属铅42. 形成临界晶核时体积自由能的减少只能补偿表面能的。（A）1/3（B）2/3（C）1/443. 铸锭凝固时如大部分结晶潜热可通过液相散失时，则固态显微组织主要为。（A）树枝晶（B）柱状晶（C）胞状晶44. 凝固时不能有效降低晶粒尺寸的是以下哪种方法？（A）加入形核剂（B）减小液相过冷度（C）对液相实施搅拌第7章 二元系相图及其合金的凝固45. 对离异共晶和伪共晶的形成原因，下述说确的是。（A）离异共晶只能经非平衡
9、凝固获得（B）伪共晶只能经非平衡凝固获得（C）形成离异共晶的原始液相成分接近共晶成分46. 在二元系合金相图中，计算两相相对量的杠杆法则用于。（A）单相区中（B）两相区中（C）三相平平线上47. 二元系合金中两组元部分互溶时，不可能发生。（A）共晶转变（B）匀晶转变（C）包晶转变48. 任一合金的有序结构形成温度无序结构形成温度。（A）低于（B）高于（C）可能低于或高于49. fcc、bcc、hcp三种单晶材料中，形变时各向异性行为最显著的是。（A）fcc（B）bcc（C）hcp50. 与过渡金属最容易形成间隙化合物的元素是。（A）氮（B）碳（C）硼51. 面心立方晶体的孪晶面是。（A）112
10、（B）110（C）11152. 以下属于正常价化合物的是。（A）Mg2Pb（B）Cu5Sn（C）Fe3C53. 在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这样的缺陷称为。（A）肖特基缺陷（B）弗仑克尔缺陷（C）线缺陷54. 原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为。（A）肖脱基缺陷（B）Frank缺陷（C）堆垛层错55. 刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系是？（A）垂直（B）平行（C）交叉56. 能进行攀移的位错必然是。（A）刃型位错（B）螺型位错（C）混合位错57. 以下材料中既存在晶界、又存在相界的是（A）孪晶铜（B）中碳钢（C）亚共晶铝硅合金58. 大角度晶界具有_个自由度。（A）
11、3（B）4（C）559. 菲克第一定律描述了稳态扩散的特征，即浓度不随变化。（A）距离（B）时间（C）温度60. 在置换型固溶体中，原子扩散的方式一般为。（A）原子互换机制（B）间隙机制（C）空位机制61. 固体中原子和分子迁移运动的各种机制中，得到实验充分验证的是（A）间隙机制（B）空位机制（C）交换机制62. 原子扩散的驱动力是。（A）组元的浓度梯度（B）组元的化学势梯度（C）温度梯度63. A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应，测得界面向A试样方向移动，则。（A）A组元的扩散速率大于B组元（B）B组元的扩散速率大于A组元（C）A、B两组元的扩散速率相同64. 下述有关自扩散的描述中正确的
12、为。（A）自扩散系数由浓度梯度引起（B）自扩散又称为化学扩散（C）自扩散系数随温度升高而增加65. 塑性变形产生的滑移面和滑移方向是（A）晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向（B）晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向（C）晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向66. bcc、fcc、hcp三种典型晶体结构中，_具有最少的滑移系，因此具有这种晶体结构的材料塑性最差。（A）bcc（B）fcc（C）hcp67. ，位错滑移的派-纳力越小。（A）位错宽度越大（B）滑移方向上的原子间距越大（C）相邻位错的距离越大68. Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是：（A）溶质原子再扩散到位错
13、周围（B）位错增殖的结果 （C） 位错密度降低的结果69. 位错缠结的多边化发生在形变合金加热的_阶段。（A）回复（B）再结晶（C）晶粒长大70. 形变后的材料再升温时发生回复与再结晶现象，则点缺陷浓度下降明显发生在。（A）回复阶段（B）再结晶阶段（C）晶粒长大阶段71. 形变后的材料在低温回复阶段时其部组织发生显著变化的是。（A）点缺陷的明显下降（B）形成亚晶界（C）位错重新运动和分布72. 再结晶晶粒长大的过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因，晶界总是向着_方向移动（A）曲率中心（B）曲率中心相反（C）曲率中心垂直73. 开始发生再结晶的标志是：（A）产生多变化 （B）新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织 （C）晶粒尺寸显著增大74. 在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒属于。（A）复合强化（B）析出强化（C）固溶强化75. 在纯铜基体中添加铝或锡、镍等微量合金元素属于。（A）复合强化（B）析出强化（C）固溶强化76. 在纯铝的凝固过程中添加Al-Ti-B细化剂属于。（A）复合强化（B）晶粒细化（C
