《模电期未自测练习--填空选择题A》由会员分享，可在线阅读，更多相关《模电期未自测练习--填空选择题A（14页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、模电自测练习-填空、选择题（A）=二极管=*（填空题）*1 .半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。PN结在正偏时导通，反偏时截止，这种特性称为单向导电性。PN结具有单向导电性能,即加正向电压时，一丽窘导通,加反向电压时,PN结截止。导通后，硅管的管压降约为0.7V,错管约为0.2Vo2 .本征半导体中,若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体,其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体,其多数载流子是空穴。3、PN结的正向接法是P型区接电源的匚极，N型区接电源的J极。P型半导体中的多数载流子是，穴,少数载流子是电三。N型半导体中的多数载流子是电子、少数载流子是空穴。二当温
2、度升高时，二板前反向饱和电流将增大,正向压降将减小。5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。8.硅稳压二极管的稳压电路是由限流电阻、硅稳压二极管与负载电阻组成。6 .发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。7 .光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。8 .半导体是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。半导体按导电类型分为N型半导体与P型半导体。N型半导体主要靠电子来导电,P型半导体主要靠空穴来导电。半导体中的空穴带正电。9、PN结中的内电场阻止多数载流子的扩散运动、促进少数载流子的漂移运动
3、。10 .晶体二极管主要参数是最大正向电流与最高反向电压。11 .晶体二极管按所用的材料可分为超和山两类，按PN结的结构特点可分为点接触型和面接触型两种。按用途可把晶体二极管分为检波二极管，整流二极管；稳压二极管；开关二极管，变容二极管等。12、点接触型晶体二极管因其结电容且，可用于高频和超高频的场合;面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于大功率的场合。13、2AP系列晶体二极管是楮材料做成的、其工作温度较/氐。2CP、2cz系列晶体二极管是硅材料做成的，其工作温度较高。*（选择题）*1 .P型半导体中的多数载流子是B,N型半导体中的多数载流子是A。A.电子B.空穴C.正离子D.负离子2 .
4、杂质半导体中少数载流子的浓度,C一本征半导体中载流子浓度。A.大于B.等于C.小于3 .室温附近，当温度升高时，杂质半导体中C浓度明显增加。A.载流子B.多数载流子C.少数载流子4 .杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（C）。A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷5 .PN结形成后，空间电荷区由（D）构成。A.价电子B.自由电子C.空穴D.杂质离子6 .硅二极管的正向导通压降比错二极管A,反向饱和电流比错二极管B_oA.大B.小C.相等旧反向电流二。（B）。A.增大B.稳压（A）。A.减小B.基本不变C.增大B.基本不变C.减小C.发光D.可变电容器7 .温度升高时，二极管在正向电
5、流不变的情况下的正向电压A.增大B.减小C.不变8 .硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而9 .流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将（C）。10 .变容二极管在电路中主要用作（D）。A.整流11 .当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是A.多数载流子；B.少数载流子；C.既有多数载流子又有少数载流子12 .如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（C）。A.正常;B.已被击穿；C.内部断路13 .如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管（B）。A.正常；B.已被击穿；C.内部断路14 .晶体二极管的阳极电位是-20V,阴极电位是-10V,则该二极管处
6、于（A）oA.反偏,B.正偏，C.零偏15 .当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A）oA.增大；B.减小；C.不变16 .在晶体二极管特性的正向区，晶体二极管相当于（B）oA.大电阻；B.接通的开关；C.断开的开关=三极管=1 .晶体管从结构上可以分成PNP和NPN两种类型，它工作时有2种载流子参与导电。硅管以NPN型居多，楮管以PNP型居多。2 .晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。3 .晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。4 .当温度升身时，晶体管的参数6增大，ICBO增大，导通电压Ube减小。5 .某晶体管工作在放大区，如果基极电流
7、从10g变化到20洪时，集电极电流从1mA变为1.99mA,则交流电流放大系数0约为99。6 .某晶体管的极限参数lCM=20mA、PCM=100mW、U（br）ceo=30V,因此，当工作电压Uce=10V时，工作电流1c不得超过10mA;当工作电压UCE=1V时，1c不得超过20mA;当工作电流1c=2mA时，UCE不得超过30V。7 .晶体三极管三个电极分别称为发射极、基极和集电极,它们分别用字母E、b和C表示。8 .当晶体管工作在放大区时，各极电位关系为：NPN管的uc二ub二ue,PNP管的ucubUe；工作在饱和区时ic和场效应晶体管的静态工作点由u咨、乜和u确定。一一9 .晶体三
8、极管放大器按放大信而输出信善的强弱可豆电压放大和功率放大两类。10 .为了使放大器输出波形不失真，除需设置适当的静态工作点外,还需要采用稳定工作点的方法,且输入信号幅度要适中。11 .在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生截止失真:静态工作点设置太高将产生饱和失真。12 .在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高，会使ic的正半周及Uce的负半周失真;静态工作点设置太低时，会使IC的半周及Uce的上半周失真。13 .晶体三极管工作在放大状态时Uce随Ib而变化，如果Ib增加，则Uce将减小；如果Ib减小，则Uce将增大。因此，Ib可以起调节电压作
9、用。14 .在晶体三极管放大电路中，如果其它条件不变，减小Rb,则静态工作点沿着负载线上移，容易出现饱和失真;若增大Rb,工作点沿着负载线下移，容易出现截止失真。15 .如果晶体三极管放大器Ec增大，而其它条件不变，则晶体三极管放大器的静态工作点将随负载线_红移。在晶体三极放大器中Rc减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变陡。一16 .对于一个放大器来说，一般希望其输入电阻大些、以减轻信号源的负担，输出电阻_2b一些，以增大带动负载的能力。17 .由于电容C具有隔直流通交流的作用、所以，交流放大器负载两端的电压，只是晶体三极管c、e极间总电压的交流部分。18 .为了保证小信号交流放大器能不
10、失真地进行放大，并且有最大的动态范围，静态工作点应选在Vcc*uces（或直流负载线的中点）。219、在一个放大电路中，三只三极管三个管脚、的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。管号T1T2T3管号T1T2T3管脚0.76.23电极名称电位0610(V)533.7材料类型1.放大电路的输入电压5=1。mV,输出电压U0=1V,该放大电路的电压放大倍数为100,电压增益为40dBo2 .放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小、输入电压也就越大：输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小,放大电路的负载能力就越强。3 .共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相、电压放大彳t数近似为1、输入电阻大.输出电阻小。*（选择题）*1 .当晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管处于（C）。A.饱和状态；B.放大犬态;C.截止状态2 .当晶体三极管的两个PN结都正偏时，则晶体三极管处于（C）。A.截止犬态;B.放大态；C.饱和状态3 .当晶体三极管的发射结正偏，
