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1、、根据传感器的示意图，指出传感器的类型自感式传感器、差动变压器、涡电流式传感器、动铁式磁电 传感器、动圈式磁电传感器、磁敏电阻、光电管、光电倍增管、 光电池、光敏电阻、光敏二极管、光纤光栅、感应同步器、增量 式编码器、绝对式编码器0螺管式自感传感器变气隙式自感传感器动铁式磁电传感器动圈式线速度磁电动圈式角速度磁电Z汕磁敏电阻光电管光电倍增管光电池更丄咋廉理光敏二极管光敏电阻hi滑尺i i 亠绝对编码器町輛強H lifts直线式感应同步器旋转式感应同步器增量编码器（一般只需三条码道）移动光栅光纤传感器光纤光栅应变传感器光纤光栅温度传感器zlMRM二、传感器与所依据的物理定律及相关联的术语或名词、
2、代号变磁阻式传感器、磁电式传感器、磁敏电阻、光电式传感器、光纤传感器、光纤光栅、感应同步器、热电偶、热敏电阻、微电子机械系统、数字温度传感器、2L LVDT、 e W e Blvsin Rt = F0 （1 + AT）、热电 Rmdt效应、NTC PTC红限频率 斯乃尔定律数值孔径值NA连续绕组、断续绕组（正弦绕组、余弦绕组）、PtIOO、DS18B20MEMS变磁阻式传感器一一电感式传感器：1、自感式2、互感式3、电涡流式输出电 虽：电压AV 电流AA 频率M变磁阻（山感式传感器工作原理S- -= = s- s-= s- -= -=变磁阻式!；测量电路|:传感器-;!ARm - -* AIt
3、I 14 _上匚- I 被扁虽应用：常用來检测位移、按动、力*应变、 流量比重等物理量磁电式传感器：基本原理 一电磁感应定律。结构型式：恒磁通式 e W dt变磁通式 e Blv sin磁敏电阻：理论基础为磁电阻效应（物理磁阻效应和几何磁阻效应）光电式传感器：以光电器件作为转换元件，光的特性-波长、频率、能量光电传感器的工作原理：光电效应（分为外光电效应和内光电效应）光纤传感器：基本原理几何光学的基本定义和定律折射定律：n 1sin 1=n2sin 2、光的全内反射:sin（斯乃尔定律ni1 c,2 90，在界面上发生全反射 ）红限频率fO :对应某一种物质的光频阀值,f 0（A0为物体的表面
4、逸出功A0）0 = hC/ A0红限波长：对应红限频率的波长称为临界波长，e c =NA数值孔径值 NA sin c . ni2 n； sinn。光纤光栅：一段光纤，其纤芯具有周期性变化的折射率：R|（z） nnmaxCOSZ）A光纤光栅的周期（栅距），n 纤芯的平均折射率 感应同步器：由连续绕组和断续绕组组成。工作原理：相当于变压器的初、次级绕组的平面形矩形线圈，次级线圈中 的感应电压随检测位移量变化。斷续（曲相）ZTs、媲SM!R /4Bs=k1Ik=k感应同出器的励磁方式ifsm（算萇丿1 ）单相输出is（单棚）断卿组删瞞岀氣输岀信号的处理方式 鉴4H注、鉴鬧注乂 H（神调赛法阻值温度关
5、系函数：Rt = RO (1+ At)增量式：Rt = RO A t = RO A t其中： 铂 A= 3.92 X 10-3 / C、铜 A= 4.25 X 10-3 / C热电阻的分度号一一0 C时的电阻值R0,例：Pt50、Pt100、Pt500、Pt1000、Cu50、Cu100, Cu500 Cu1000 比值 W100 R100/R0(=1.3850 )温度系数 TCR=(R100-R0) /(R0 X 100)例：Pt100查分度表：R0= 100Q , R100= 138.5 Q ,贝U:R100/R0=1.3850TCR=(R100- R0) / (R0 X 100 ) =
6、0.003850热敏电阻：正温度系数热敏电阻器(PTC 电阻值随温度升高而增大 的电阻器、负温度系数热敏电阻器(NTC 电阻值随温度升高而下降 的热敏电阻器负 NTC Rt = R0 exp B*(1/T-1/T0)Rt 绝对温度T(K)下的零功率电阻值T(K) = t( C ) + 273.15R0 绝对温度T0(K)下的零功率电阻值B 材料常数B值MEM传感器：采用微电子技术和微机械加工技术制造出来的新型传感器 微电子机械系统是指运用微制造技术在一块普通的硅片基体上制造出集 机械零件、传感器执行元件及电子元件于一体的系统。DS18B20数字温度传感器DS18B20内部结构1、64位光刻RO
7、M 2、温度传感器；3、非挥发的温度报警触发器TH和TL; 4、配置寄存器。DSI8B20工作过程中的协议：复位操作、ROM操作命令、存储器操作命令、 数据处理三、1、根据差动变压器位移测量原理示意图、 已知输入信号波形,以及对应图示的测量位置，画出输出信号波形2、分析磁敏电阻的物理磁阻效应和几何磁阻效应磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。同 霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。 在达到稳态时，某一速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等，载流子 在两端聚集产生霍尔电场，比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转，比该 速度快的载流子则向洛伦
8、兹力方向偏转。这种偏转导致载流子的漂移路径增 加。或者说，沿外加电场方向运动的载流子数减少，从而使电阻增加。这种 现象称为磁阻效应。若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外 加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。一般情况下，载流子的有效质 量的驰豫时时间与方向无关，则纵向磁感强度不引起载流子偏移，因而无纵 向磁阻效应3、热电效应（概念）两种不同成分的导体（或半导体） A和B的两端分别焊接或绞接在一起，形 成一个闭合回路，如果两个接点的温度不同，则回路中将产生一个电动势， 称之为热电势，这种效应称为热电效应4、金属热电阻和半导体热敏电阻的主要特点，作图说明利用热敏 电阻Rt实现电感线圈
9、R-温度补偿的工作原理。热电阻主要特点：测量精度高，性能稳定热敏电阻的主要特点是：（1）灵敏度高，约为热电阻的10倍。（2）体积 小，能测量点温度。 （3）热惯性小，适宜动态测量。 （4）无需冷端补偿 以及引线方式的考虑，易于维护和进行远距离控制。（5）制造简单，使用寿命长。to -w a W o ciRT热敏电阻r电阻温度系数近于零的锰铜分路电阻RL被补偿的电阻铜线圈RB补偿器电阻TA到TB是最佳补偿范围5、已知冷端温度为TO,在没有采取冷端温度补偿的情况下进行测量，显示仪表指示值为T，利用热电偶分度表计算实际温度t例：用分度号为K的镍铬-镍硅热电偶测量温度，在没有采取冷端温度补偿 的情况下
10、，显示仪表指示值为 500 r，而这时冷端温度为60 C。试问：实际温度应T为多少？E (500, 0)= 20.64mvE (60, 0)= 2.436mvE (T, 0)= E (T, 60)+ E (60, 0)=20.64 + 2.436 = 23.076mv=E (557, 0) T 为 557 C=2.456mv=23J)76mv =E (557, (I)A=20.64nivi = E (5(Hh 0)丁0： (T, 二(60f 0)E T, 0)E (1 60) + E (6lh 0)如果热端温度不变，设法使冷端温度保持在20 r，此时显示仪表的指示值应为多少？E(557,20
11、) =E(557,0) - E(20,0)=23.076 - 0.798=22.278mV=E ( 538.4 , 0)显示仪表指示值应为538.4 C。 显示误差为18.6 C=23.076H1V = -0J98in，(557?0? 氏已“ 20)1557 V IE (557, 2(0= E ( T , 0)=22.27SmV = E ( 538，0)即：2 =90 o则临界入射角:7TK型银铸鶴硅（踝铸银铝）棘电谓分度泰*j；荐舐wM W (JJG351-B4)masSoC| 0123456894.889-1925-L961-1.99632-2.067-2.102Tot吃173加p04),
12、03S4I0T90418-0.1571J70.23G-ft 275-0.314-fl. 35o |00.03909oTiFf0.1580.1S80.2380.277Lffl70.3S1100.3970.4J703TT0.55T0.SST0,63?0.677WT180.75!200.838历9oFflO-b000LOUL0811J221,16；30|1/03h測L 285L3251.366L4071J48L489L5291.57(40|14111.652HIjF!LT34 |1.776|伽LS5SL8$9LMO1.S81502.0M!W21歹|2.188T22Tr2.27#13121K3龙铀60
13、2做2.4T715192. W02.601丄2,684册2.80Sn18501892Tsb-)2.S753.01：rTisFi3.1001M1 -rr8DX36fism3.3TsTf3.432| MAS :3.5153.S56:、題3.639Q |X6813.T223JHX3Q53.8473.9303,971T I8rr49|加21420.25720.29920.3122(). 385M20.4T020?51220.5552讹ErQ12|3: 45 |6T8pr切1oTO20.72530.7S8 肌8112d 85320.396汕93820.981丽615 f2L0662UM2115!21加21.23T21.2802
