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1、泓域咨询/安阳功率半导体芯片项目商业计划书目录第一章 市场预测8一、 半导体产业概况8二、 膜状扩散源概况9三、 功率器件简介13第二章 项目基本情况14一、 项目名称及建设性质14二、 项目承办单位14三、 项目定位及建设理由15四、 报告编制说明17五、 项目建设选址18六、 项目生产规模18七、 建筑物建设规模19八、 环境影响19九、 项目总投资及资金构成19十、 资金筹措方案20十一、 项目预期经济效益规划目标20十二、 项目建设进度规划20主要经济指标一览表21第三章 项目建设背景、必要性23一、 一段简介半导体产业概况23二、 功率二极管产业概况24三、 行业发展趋势28四、 坚
2、持创新驱动，增强经济发展内生动力29五、 项目实施的必要性32第四章 产品规划方案33一、 建设规模及主要建设内容33二、 产品规划方案及生产纲领33产品规划方案一览表34第五章 项目选址36一、 项目选址原则36二、 建设区基本情况36三、 聚力优化升级，加快建设现代产业体系40四、 项目选址综合评价44第六章 发展规划45一、 公司发展规划45二、 保障措施46第七章 运营管理48一、 公司经营宗旨48二、 公司的目标、主要职责48三、 各部门职责及权限49四、 财务会计制度52第八章 劳动安全生产58一、 编制依据58二、 防范措施60三、 预期效果评价66第九章 工艺技术设计及设备选型
3、方案67一、 企业技术研发分析67二、 项目技术工艺分析70三、 质量管理71四、 设备选型方案72主要设备购置一览表73第十章 原辅材料成品管理75一、 项目建设期原辅材料供应情况75二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理75第十一章 组织机构及人力资源77一、 人力资源配置77劳动定员一览表77二、 员工技能培训77第十二章 投资估算及资金筹措80一、 投资估算的依据和说明80二、 建设投资估算81建设投资估算表83三、 建设期利息83建设期利息估算表83四、 流动资金84流动资金估算表85五、 总投资86总投资及构成一览表86六、 资金筹措与投资计划87项目投资计划与资金筹措一览表87第
4、十三章 经济效益89一、 基本假设及基础参数选取89二、 经济评价财务测算89营业收入、税金及附加和增值税估算表89综合总成本费用估算表91利润及利润分配表93三、 项目盈利能力分析93项目投资现金流量表95四、 财务生存能力分析96五、 偿债能力分析96借款还本付息计划表98六、 经济评价结论98第十四章 项目风险评估99一、 项目风险分析99二、 项目风险对策101第十五章 项目招标及投标分析104一、 项目招标依据104二、 项目招标范围104三、 招标要求104四、 招标组织方式105五、 招标信息发布108第十六章 项目总结分析109第十七章 附表附录111主要经济指标一览表111建
5、设投资估算表112建设期利息估算表113固定资产投资估算表114流动资金估算表114总投资及构成一览表115项目投资计划与资金筹措一览表116营业收入、税金及附加和增值税估算表117综合总成本费用估算表118固定资产折旧费估算表119无形资产和其他资产摊销估算表119利润及利润分配表120项目投资现金流量表121借款还本付息计划表122建筑工程投资一览表123项目实施进度计划一览表124主要设备购置一览表125能耗分析一览表125报告说明半导体行业属于技术密集型行业，对人才的知识背景、研发能力及经验积累均具有较高要求。国内半导体行业起步较晚，具有完备知识储备、具备丰富技术和经营经验、能胜任相应
6、工作岗位的人才较为稀缺，一定程度上抑制了行业内企业的进一步发展。根据谨慎财务估算，项目总投资15013.70万元，其中：建设投资10944.07万元，占项目总投资的72.89%；建设期利息301.80万元，占项目总投资的2.01%；流动资金3767.83万元，占项目总投资的25.10%。项目正常运营每年营业收入32100.00万元，综合总成本费用24474.96万元，净利润5590.27万元，财务内部收益率29.73%，财务净现值9922.66万元，全部投资回收期5.26年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本期项目技术上可行、经济上合理，投资方向正确，资本结构
7、合理，技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 市场预测一、 半导体产业概况半导体是指一种导电性可受控制，常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，是构成计算机、消费类电子以及通信等各类信息技术产品的基本元素。半导体产业是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。半导体产业一般分为集成电路和分立器件两类。集成电路（IC）是指采用一定的工艺
8、，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，形成特定功能的电路结构。分立器件是指具有单独功能且不能拆分的电子器件。二者有着不同功能特点和适用条件，共同构成半导体产业的基础。功率器件可分为功率二极管、晶体管、晶闸管等，其中功率二极管可分为标准整流二极管（STD）、快速恢复二极管（FRD）、外延式快速恢复二极管（FRED）、瞬时抑制二极管（TVS）、稳压二极管（Zener）、肖特基二极管等，晶体管分为双极性结型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等。最近
9、几年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，整个半导体行业规模总体呈增长趋势。根据全球半导体贸易统计组织（WSTS）数据，2017年全球半导体市场规模达到4,122亿美元，较上年增长21.60%，2018年持续增长13.70%，市场规模达到4,688亿美元，2019年市场规模达到4,123亿美元，在传统应用市场需求波动、国际贸易形势不确定性增加等多重因素影响下，较上年下跌12%，2020年出现反弹，市场规模达到4,404亿美元。从产品结构上看，2020年集成电路全球市场规模占比82.02%，分立器件占比17.98%；从全球市场
10、分布看，中国占比34.40%，亚太其他地区占比27.14%，中国是全球最大半导体市场。根据中国半导体行业协会数据，我国是全球最大电子产品消费市场，我国半导体产业一直保持较高的发展增速，2013年到2020年,我国半导体产业销售额从2013年4,044.45亿元增长到2020年11,814.3亿元，复合增长率为16.55%。从结构来看，2020年集成电路产业销售额为8,848亿元，占比74.89%；分立器件产业销售额为2,966.3亿元,占比25.11%。二、 膜状扩散源概况1、半导体掺杂工艺是制造芯片的核心工序之一PN结具有单向导电性，是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为
11、基础的复杂电路的都离不开它。PN结是指通过采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（主要是硅）基片上，二者交界面形成的空间电荷区。P（Positive）型半导体是在硅中掺入族元素（如硼B），族元素相比族的外层电子少一个，这种缺少电子的空位被称为空穴，空穴能够导电；N（Negative）型半导体是在硅中掺入族元素（如磷P），V族元素相比族的外层电子多出一个，多出的电子能够作为导电的来源。半导体掺杂工艺是芯片制造的核心工序之一，其目的在于控制半导体中特定区域内杂质元素（磷、硼等）的类型、浓度、深度，用以制作PN结。目前半导体掺杂工艺主要有离子注入工艺技术和扩散工艺技术两类。离
12、子注入工艺技术原理是利用离子源产生的等离子体，在低压下把气态分子借电子的碰撞而离化成离子，经过引出离子电极（吸极）、质量分析器、加速管、扫描系统、工艺腔体等高技术设备将掺杂元素注入到硅片中。离子注入工艺多用于制造集成电路芯片、SiC功率器件。扩散工艺技术原理是将掺杂源与硅基片接触，在一定温度和时间条件下，将所需的杂质原子（如磷原子或硼原子）按要求的浓度与分布掺入硅片中。扩散工艺技术相较于离子注入工艺技术操作方便，成本低廉，多用于制作功率半导体芯片。2、膜状扩散源具有一定的市场潜力扩散工艺掺杂源主要有气态源、液态源、膜状扩散源三类。气态源和液态源是发展最早的扩散源，制备相对容易，但掺杂源可控性相
13、对较弱，相应的制造芯片工艺相对固态源较为复杂；且两类源多为有毒物质，安全生产和环保要求较多。膜状扩散源是固态源，使用在扩散工序中，掺杂源更加可控，有利于掺杂的均匀性和稳定性，可大幅简化扩散工艺流程；且膜状扩散源自身及制造过程环保无害，便于运输和储存，芯片制造过程中也减少了有害物的产生。膜状扩散源已经在功率二极管芯片生产中显现出其优势，在晶体管芯片、太阳能光伏电池片生产中也已开启应用，未来还可应用于硅基热敏电阻器芯片、硅基压力传感器芯片甚至部分集成电路芯片等领域。3、与离子注入法的应用领域的差异半导体掺杂工艺是芯片制造的核心工序之一，直接影响芯片各种电性能指标；其目的是在制造芯片过程中，采用扩散
14、或注入技术为半导体材料提供少子或多子，从而形成内建电场即PN结。离子注入工艺掺杂系低浓度掺杂，主要用于形成浅结的平面工艺相关半导体芯片；扩散工艺掺杂主要系高浓度掺杂，应用于深结的台面工艺或其他半导体芯片。通过前表可知，总体而言，扩散掺杂工艺主要用于功率二极管芯片生产。液态源、气态源为最原始的掺杂源，发展较早，主要应用于扩散均匀性要求不高的工艺如OJ工艺二极管芯片，因其有毒有害不环保、不易保存，且在芯片生产中扩散浓度不可控、扩散浓度均匀性差，将逐步被膜状扩散源替代。固态源中的片状扩散源发展已近50年，出现相对较早，目前在功率二极管领域应用相对较少；膜状扩散源出现于90年代，发展相对较晚，目前主要
15、应用于GPP工艺功率二极管芯片生产，是该领域主流掺杂源。4、竞争格局国内膜状扩散源仅美国菲诺士有限公司（Filmtronics,Inc.）和山东芯源能够供应。美国菲诺士有限公司（Filmtronics,Inc.）成立于1970年代，位于美国宾夕法尼亚州巴特勒市，主营半导体加工材料，一直以来垄断了全球膜状扩散源技术及业务，目前占据国内绝大部分市场份额。5、国产化率进展市场份额根据半导体行业协会分立器件协会的调研数据，中国大陆及台湾地区GPP功率二极管芯片2021年末月产能约898.50万片/月，年化产能约10,782万片/年。理想情况下，一片功率二极管晶圆生产需消耗一片膜状扩散源，则市场需求约10,782万片/年。三、 功率器件简介功率器件和集成电路中的功率IC，经常共同使用于处理电能的主电路中，以实现功率转换、功率放大、功率开关、线路保护和整流等电能的变换或控制功能，二者又被合
