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1、作者 周敏捷利用电池供电的移动设备通常需要通过外置的 AC 适配器对系统电池进行充电。而不同供 电电压的设备间往往共用着相似的电源插座和插头，这些不同电压标准的适配器往往会给用 户带来潜在的错插风险，可能导致设备因过高的电压而烧毁。另一方面，来自 AC 适配器 前端的浪涌或者电网的不稳定也有可能导致适配器的输出电压超越设备所能承受的范围。因 此，在移动设备设计中就有必要加入充电端口的过压保护电路,以避免上述情况对设备后端 电路的破坏。本文介绍的过压保护电路由过压保护开关（OVP Switch）和瞬态电压抑制器（TVS）组成（如 图1）,可实现完善可靠的抗持续高电压和瞬间冲击电压的功能。图1在整
2、个方案中，核心部分器件为过压保护开关，以美国研诺逻辑科技有限公司（AATI）的 过压保护开关AAT4684为例，过压保护开关的内部主要是由控制逻辑电路和PMOS管组 成，当OVP端的检测电压高于特定电压阈值之后，逻辑电路就会通过栅极关断PMOS的 沟道。由于该PMOS管拥有较高的持续性耐压（28V），因此可以保护后端的元器件不会 因前端电源输入异常高压而烧毁（其内部原理如图2所示）。口 GND图 2 ：AAT46842 内部原理图。通过以下实验可以说明当过压保护开关的输入端出现过高电压时它对后端电路所起到的保 护作用。图 3 所示为测试所用电路原理图，输入端为 12V 平稳直流源，电源通过一段
3、长度为 1 米的 导线与AAT4684的输入端相连，CH1为AAT4684输入电压的测试点，CH 2为 AAT4684输出电压的测试点，CH3为其输出电流探测点。将AAT4684的OVP保护电压 设为6V （即当电压超过6V后，开关管立刻关闭，以保护输出端的电路）。为体现实际应 用中 AC 适配器的插拔情况，对系统的上电过程通过导线和电源的机械性拔插来实现。Power SupplyirMechanical ConnectChErsne- 3 Channel 2 C：iTer；r VoltageLoad fi)r 1A current2.2UFAAT4684图3：测试所用电路原理图。由图4所示的
4、波形中可以到，在电路上电的时刻，输入端的电压很快超过了 6V并最终稳定 在了 12V左右，而输出端电压由于OVP开关的作用，始终维持在0V电压，即AAT4684 输出端之后的电路不会因过高的输入电压而受到影响，后端电路器件在此时受到了 AAT4684 的过压保护。lekstop6.0025.SO %A： 12.6 V ： -10.4 V鈕1C.0 V Ch2 10.0 VCh3i 500mAQ图4：经示波器测得的各通道的电压及电流波形。但是在这同时却发现当电源电压插入的瞬间， AAT4684 输入端的电压呈现了一个超过 20V的尖峰。如果进一步调高输入电压（如将电压调整到16V）,在拔插电源时
5、会发生OVP 开关烧坏的现象，但是电源所提供的输出电压却远小于OVP开关的最高耐压28V。如何 解释此现象呢？原因就出在从电源输出到AAT4684输入的这段导线上。任何一段有长度导线具有一定的等 效电感。等效电感的存在相当于在理想导线上串联了一个分立电感器，同时由于芯片的输入 端存在的输入电容，接合起来就相当于一个如图5所示的LC振荡电路；而这个电路当输 入一个阶跃时在输入电容上最大可出现 2倍于输入的振荡电压。图5:输入端输入电容与导线电感构成的C振荡电路。由于这些等效器件的存在，就会在系统上电的瞬间于 OVP 开关输入端产生一个高于电源的 电压。过高的瞬间电压就类似静电放电电压，虽然总能量
6、不大，但是如果其电压值在瞬间高 过了 OVP开关的最高耐压范围，就足以将OVP开关内部的MOSFET击穿，使得芯片输 入端对地发生短路，失去作用。因此在考虑过压保护设计时，还应考虑对电路输入端可能出 现的瞬态高压的防护。为解决以上问题，可以在AAT4684的输入端放置TVS来实现对瞬间冲击电压冲击的防护。 TVS是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击 时，它能以纳秒级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率 使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的元器件免受各种浪涌脉冲损 坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、
7、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、 无损坏极限、体积小等优点，目前已广泛应用于各类电子设备之中。由于OVP保护开关虽然可以持续地长时间承受耐压范围内的电压，但是却无法经受超过其 耐压范围的瞬时电压冲击，而TVS结构的二级管，虽然无法承受长时间的导通电流，但是 却可以在瞬时吸收很高的电压冲击，通过自身的雪崩导通来限制其两端的最高电压，对电压 起到钳位的作用。因此将TVS管置于OVP开关电路之前，就可以有效地防止瞬时高压对OVP 开关的破坏，同时 OVP 的持续受压能力又可以保护后端电路免受前端电源持续高电 压的破坏。电路逻辑结构如图 6 所示。!可承受持续高压28V!可承受瞬时超高压图6：耐高压
8、电路逻辑图。由于TVS本身就是属于ESD保护器件，可以同时提高设备在接口端的静电保护能力（通 常的 TVS 管都可以耐受 2KV 以上接触式静电放电），这样的设计就可以在真正意义上实 现端口的保护功能，有效地提高了器件的使用寿命和可靠性。（关于详细的TVS选用可参 阅具体文献。）另一方面，当 OVP 开关导通并存在一个持续较大工作电流流过时，此时如果突然关闭开关 （比如启动了 OCP 过流保护或 OTP 过温保护），因导线电感中的电流不会突变，导线电感中的瞬时电流的变化会在AAT4684的输入端产生一个高于电源的电压，这就使得OVP 开关会在一个很短的时刻需要承受一个极高的电压，其原理有些类似
9、于开关升压电路（如图 7 所示）。图7：开关升压电路.以下实验为了说明这类现象所可能产生的实际输入电压的突变，当过压保护开关有大电流流 过并正常工作时将AAT4684加温使之自动进入过温保护（OTP）状态来观察此时输入端 可能产生的波形变化。该实验电路依旧如前文所述的图3所示，电源以5.5V电压供电，负 载电流约为 1.5A。实验时对AAT4684进行加热至芯片过热保护功能启动，内部的MOSFET立刻关断。可以 看到，在大约400ns的时间里，由于流过开关管的电流被快速关断，在OVP的输入和输 出端瞬间确实出现了一个超过15V以上峰峰值的冲击电压，假如电源的输入电压更高一些 或者负载电流更大一
10、些，这个冲击电压也同样会更高，虽然持续的时间极短，但是完全有可 能在尖峰时刻突破OVP开关的最高耐压，从而破坏其内部的PMOS。如果用同样的原理进一步分析OVP开关接通电源时的过程，可以发现，因OVP开关内部 的控制电路在刚刚上电的瞬间需要建立状态，所以在初始的极短时间里，PMOS栅极电压 没有立刻置高，因此PMOS沟道还没来得及关断（这个时间大约会持续0.1us），虽然对 后端电路不会有什么影响，但是这个时间产生的导通电流在PMOS关断的时刻同样会产生 类似前文所述的问题，即在OVP的输入端产生的一个时间极短的过高电压冲击可能会危及 OVP 开关正常工作。血c PreVu2.00 Vchi
11、Pk-Pk13.5 VChi Max17.2 VCh1 Min3.64 V2 Dec 2008 16:58:08jj|44.00 %2.00 V1.00 A Q:M|1.00jjs| A| Chi f6.00 V|图8：开关关闭时各种电压变化的测量结果。为了避免上面所述的这两种情况带来的瞬间高压对 OVP 开关的冲击，在其前端放置合适的 瞬态电压抑制器同样可以很好地解决该问题。由于 TVS 管和 OVP 开关具有其各自的功能 特点，当电路在正常工作时,OVP开关导通,TVS处于反向截止状态，当输入电压高于OVP 保护电压又低于OVP正常耐压时，OVP就起到了对高压很好地持续阻断的作用，保护了
12、后端器件的安全,而当电路的输入端因前文所述几种情况而导致瞬时高压冲击出现时，TVS 管的瞬间导通机制又能很好地吸收冲击电压的能量，保护了 OVP开关的安全。其两者的共 同作用就可以有效地实现抑制瞬态和持续高压的功能，完善地保护了整个电路系统的接口免 受异常高压的破坏。本文特别感谢美国研诺逻辑科技有限公司中国区应用工程部总监谭磊(Taylor Tan)先生及 华东区应用工程部经理毛铮(Frank Mao)先生对本文的修改和指正。在文章最后部分将附 上使用TVS管前后实验测得的波形，以供读者对照分析，可以进一步理解TVS加OVP 开关在电路端口保护设计中的必要性。附录 :以下实验对AAT4684输
13、入端使用TVS和不使用TVS管前后的波形进行比较，供读者参 考。CH1为AAT4684的输入电压，CH2为AAT4684的输出电压。将电源电压Vin设为12V,输出电容为0.1uF,图A1为前端没有TVS管的波形，图A2为 前端加了 TVS管的波形（TVS导通电压为19V）用5.5V作为电源输入，负载电流为1.5A时将OVP加热进入过温保护瞬间波形，图B1为 前端没有TVS的波形，图B2为前端加了 TVS时的波形（TVS导通电压为16V）呼停止 P - Ichi5,00 V25.00 Vii” io. ooood s19 12 月200815115；39图A1:无TVS时输入端波形心* 0.00000 s19 12200815:10:24图A2:有TVS时输入端波形。图Bl：前端没有TVS时过温保护瞬间。图B2:前端加ES时过温保护瞬间。X 4.10 V19 12月200817:17:19
