PCB云端存储主板制作跟进报告

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1、云端存储主板制作跟进报告刖吞:报告对包含N + N、深微孔、背钻、POFV ( Plated on filled via X阶梯金 手指、阻抗敏感板、SET2DIL( Single Ended TDR/TDT Measurements To Derive Differential Insertion Loss ,利用单端线路测量差分损耗的方法) 测试等复合多项工艺技术的云存储主板的制作工艺进行了研究,发现设计 的云存储主板存在层压翘曲、钻孔对位、阶梯槽内金手指制作难和信号异 常问题。通过对层压工序、电镀工序、阶梯槽内金手指的制作跟进研究以 及对异常信号的测试模块分析研究结果表明,通过调整层压程

2、式和找到影 响拉伸系数差异可解决层压对准偏差问题;利用子、母板CCD(Charge-coupled Device )钻孔对位可解决钻孔对位偏差问题;采用VCP (Vertical conveyor plating ,垂直连续电镀)+脉冲电镀组合方式可实现 HDI ( High density interconnection ,高密度互连技术深微孔和通孔 次电镀通过调整图形设计选择拼图的方式可解决高速信号的Skew玻纤 效应问题,成功实现产品制作随看电子商务的高速发展,其数据处理量非常巨大,云端存储需求也要求 越来越大,其主板设计也越来越复杂。现有客户设计主板包含N + N、深微 孔、背钻、PO

3、FV、阶梯金手指、阻抗敏感板、SET2DIL测试等工艺技术。 其结构非常复杂,工艺难点非常多。现对该类主板的制作工艺进行研究, 通过研究使得我司具备该复杂板的批量制作能力。二.产品设计该板为T高速板材,13 + 13结构,子板阶梯金手指,0.012mmHDI孔需要 填平,0.305 mm深微孔,内外层阻抗最大值和最小值均在10%以内的设 计,具体制板信息如表1及图1所示。表1试板鵰型号板材最小取刀孔匍要求Of处理T板材3.4 mm0.25 mm20.25 jim印制插头+涂布图1叠层结构示意图三.实施方案该板复合了 N + N、深微孔、背钻、POFV、阶梯金手指、阻抗敏感板、SET2DIL 等

4、工艺技术,试板采用先制作两个非对称子板,深微孔,槽内金手指在子 板上进行制作,然后进行母板压合,在母板进行背钻、POFV等工艺制作。3.1工艺流程子板:开料-内层干膜前处理-内层DI曝光-内层蚀刻-棕化-东城层压 T铳板边T激光钻孔一钻孔T去毛刺化学沉铜板面电镀T背钻-超声 水洗-真空塞孔-陶瓷磨板-干膜f外层蚀刻-镀金手指一配套中心。母板:棕化-东城层压-铢板边-钻孔-去毛刺-去钻污-化学沉铜-板 面电镀T板电检孔f背钻-真空塞孔一外层前处理一外层曝光-外层蚀 刻T阻焊丝印-阻焊曝光-阻焊显影-镀金手指一字符-编号-测对准 度T铳板-铢阶梯槽一去氧化-电子测试一插损测试T终检防氧涂布T 包装

5、。3.2试验方案通过板的结构设计来看,在制作过程中会存在诸多难点,特别是子板奇数 层设计,孔到线设计距离较近,多种类型孔同时存在,板材插损要求等, 故针对以下难点进行专门制作研究如表2所示。表2试验方案疗号工艺设计难点方峯113*13 S结构子板非对称,对位特度高 内层DI曝光,蛍合度0.030 mm; 内层冲孔釆用4CCD冲孔,冲孔績度0.030 mm: T板采用Pin-Lamflh板: 板采Pin-Lam板.20.25 mm VIA孔到铜0.203 mm. 背帖孔到127mm 一帖、背估均采用CCD钻机: 背帖首板分区测试,分区补偿背估潇度; 针对埒板过孔背钻中钻穿只中一个子板的情况,更改

6、为 子板背钻,提供背钻slub精度和对准度*3HD1/L需填半,d板还有深微孔、通几,L13层和母板外层均有敏感阻抗线不命分制作; 采用VCP填几曲冲电镀组合电镀: 采用1/3 oz起镀,母板减铜进行制作。4T板材需要信号插损控制 内层线宽秸度按土 0.013 mm: 介质厚度均匀性腔制 10%.3.3试验结果3.3.1层压控制从产品養层结构来看,子板为13层奇数层,结构非对称。从受力分析来看, 子板压合后会存在翘曲问题。如果存在翘曲会对子板层压后的制程造成影 响,为避免此问题,故将层压程序中的冷压段进行延长压板(见图2 )以便 释放高温冷却过程中应力。通过对层压跟进,层压的升温速率,高温固化

7、时间,转压点等参数均符合 板材要求(见表3 )。通过延长冷压时间释放层压应力改善子板翘曲问题, 从实际的测量结果来看,最大翘曲度为3.0 cm (见图3 ),这对子板后面 钻孔、树脂塞孔等工序仍然存在较大影响,后续将通过调整養层结构进行 改善。因子板存在翘曲问题,在芯板涨缩测数的过程中会出现两个子板偏 差较大的情况。然而从養构来看,两个子板證构一样,通过分析发现X-RAY 设备抽真空的位置仅为最中间的部分区域(见图4a),在测数过程中,可将 01-13L子板吸附平整,但是无法将14-26L子板吸附平整,四角仍然翘曲, 如图4b所示。图3层压后子板翘曲图在测数过程中,将14-26L子板正常测试和

8、将 四角贴平如图4c,重新测试 数据,两次测试 结果发现长边(Y方向)相差约0.179 mm ,短边(X方 向)差约0.051 mm ,具体数据如图5所示。通过TC FA ( Thin core first article )(申数据调整后,子板拉伸数据相差较小长方向偏差为0.051mm , 短方向偏差为0.076 mmo在母板压合后整体对准度最大达到0.150 mm , 达不到母板对准度0.127 mm的要求,如图7所示。通过再次优化拉 伸 系数,测数时对板子板进行编号,铢板边编号与该编号对应压板,母板压 合时根据子板拉伸情况进行配板如图6所示。通过跟进调整后两个子板对 准度良好,如图7所示

9、。(a) 4剛机吸盘(b)测数空后翘曲(C)胶带粘平图4芯板涨缩测数图* 方Y方冋哲備之试P 0 zzzzzzzz皮Mil ILIXIW-n十二mt图5芯板涨缩测数图图6母板压合图(a)左上角(b)右上角(c)左下角(d)右下角图7母板对准度图3.3.2钻孔对位精度通过前期策划时,发现0.25mmVIA孔到铜0.203mm ,背钻孔到线 0.127mm,对于两次压合且层数较高单板来说难度是非常高的,且工艺复 合了深微孔,从工艺流程优化考虑,深微孔在子板进行制作。通过激光钻 孔后,使用百倍镜检查首板及抽检孔底均无残胶、崩孔、烧穿等质量问题(见图8 );采用CCD钻机进行钻孔;以X-RAY标靶孔为

10、对位孔,多次进 行CCD抓靶确认抓靶精度OK再进行钻孔(见图9 );因子板具有一定的翘 曲度,用普通胶带无法将板平整的固定在台面,所以采用粘性更强的牛皮 胶将板四周固定,避免因板翘曲导致钻偏,如图10所示。图10子板钻孔图(a)子板钻孔(b)母板钻孔图11钻孔与内层对位精度图通过以上控制措施,试钻后采用X-RAY检查内层,子母板钻孔的孔位均较 正,如图11所示。3.3.3通盲孔制作VCP填孔线主要分为闪镀和填孔两个阶段进行电镀填平,电镀盲孔填孔的 原理普遍认可 的是CDA原理。CDA ( Convection-dependentAdsorption )对流相关性吸附模型,是基于电镀药水中加速剂

11、与抑制剂在 不同氯离子浓度条件下的竞争吸附建立的模型。一般认为电镀填盲孔的过 程可分为三个阶段:起始期、爆发期和回复期。电镀不同阶段由于受到Cu2 + 浓差扩散、添加剂的吸附与脱附以及电解还原等影响,盲孔底部与面铜的 电沉积速率之比在填孔过程中不断变化。但其对通孔的深镀能力相对较差, 通盲孔电镀制作时,盲孔填平通孔孔内的镀铜孔口厚(见图12a ),孔中间 薄(见图12b),深镀能力20% ,不能满足60%的要求。且盲孔仍然存 在约18pm的凹陷(见图12c),不能满足客户完全填平要求10pmo(呂)通孔孔口(b)通孔孔中(c)HDI盲孔12 VCP电镀孔图对于盲孔凹陷问题,因子、母板需要进行外

12、层敏感阻抗线的制作,经过VCP+ 脉冲电镀后,面铜厚度相对较厚,故采用将盲孔盖膜进行减铜,再通过砂 带磨板进行磨平,盲孔凹陷最大8pm (见图13c ),达到了客户要求。3.3.4插损测试失效分析PCB单元内的插损测试模块抽测发现LI. L16、L26三个层次出现LOSS超差异常现象z具体数据如表4所示。表4 Fcard PCB单元内的插损测试数据PAD SYMBOLS Trace length (in1L 12.89GHz (dB)IL12.89G/ (dB/in)Spec/ (dB/in)Status95_LY1S.00213.94-1.74Data-1.70Fail95LY58.027-

13、1238154Data-1.85Pass95.LY7&O2711.74-1.46Data-1.85Pass95_LY98.027-12.66-1.58Data-1.85Pass95_LY11K.030-12.26-1.53Data-1.85Pass95丄Y13&O28-11.70l46Data-I.85Pass95丄Y16&U3U16.46-2.05Data-1.85Fail95_LY18&027-11.90-1.48Data-1.85Pass95_LY2OS.O27-12.95-1.61Data 1.85Pass95.LY228.027 13.88-1.73Data-1.85Pass95 L

14、Y26&00215.51-2.18Data-1.70Fail从以上测试异常数据来看,主要异常层数在 外层L1和L16层(见表4和 图14 ),故对异常数据分析。在跟进分析过程中采用信号插损模块为监控, 差分线内两条单线的信号传输时间差值SKEW (玻纤效应)较大,绝对值 达到了 15 ps41ps ,而正常要求4ps以内(见图15 )。图14异常图片PCB的介质层由环氧树脂以及嵌在环氧树脂中的玻纤布交织混合组成,由 于玻纤布的相对介电常数与环氧树脂存在较大差异(一般环氧树脂的介电 常数在3左右,玻纤布的介电常数在6左右),因此该介质层的介电常数取 决于玻璃纤维与树脂的介电常数及其在介质层中所占

15、的体积比。由于介质 层中经纬向玻纤之间存在重舂和空隙区域,将传输线与基板边缘成0或者 90。角方向布线,这样会导致传输线方向与玻纤束的经纬向相平行,此时可 能会出现以下两种极限情况:传输线在经/纬向玻纤束正上方或传输线在两 根经/纬向玻纤束中间。这样一对差分线中两根信号线所在环境的DK值就 存在差异。由于信号传输速度与介质层介电常数的平方根成反比,同一对 差分信号传输在不均匀介质上时,两根差分信号线间会产生不同的信号延迟,从而导致信号偏斜失真(Skew ),这就产生了玻纤效应。图16差分信号分析图图16为L16层差分信号层的切片图片,由于1080玻璃布(L15层与L16 层之间)的pitch是1718mil ( 432 pm )左右,差分线的pitch( W+S ) 是0.229 mm左右,图14单线L1位置处于

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