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1、. 半导体物理器件名词解释1 光电效应；在光的照射下，电路中产生电流或电流变化。分两类，一是光照下能使物体电阻值改变称“内阻效应”或光导效应，二是在光照下能够产生一定的方向的电动势，称阻挡层光电效应或光伏效应。2 压阻效应；对半导体施加应力时，出产生变形外，能带结构也要发生变化，因而，半导体的发生改变，这种由于应力的作用使电阻率发生改变的现象。3 热电效应；把热能转换成电能的过程，其中最重要的是温差电现象。4 单晶体；在三维空间里由全同结构也要发生单元，无间隙的周期的排列这中无限的重复的结构遍及整个晶体称单晶。5 非晶体；在三维空间中只是短程序或者就是无序的排列结构的晶体。6多晶体；由多个单晶
2、体构成的晶体。7晶胞：由于晶体是由全部结构单元周期性地、无间隙地无限重复构成的，而研究晶体时研究最简结构称晶胞。原胞；由于晶体是由全同结构单元，周期性地无间隙无限重复构成的而研究晶体时研究最简结构或非最简结构单元称初基晶8 格点；研究晶体中原子，分子或离子的排列，把这些粒子的重心作为一个几何点。9 空间点阵；晶体中有无限多个在空间按一定规律分布的格点。10 晶列；在空间点阵中通过两个格点作一条直线，在这直线上一定有无数个格点，这样的直线称晶列。11 晶格；在空间点阵中，不同的三个晶列族分空间为无数格子称晶格。12 晶面；通过不在同一晶列的三个格点作一平面在这平面上必须包含无数个格点这样的平面叫
3、做晶面。13 点阵常数；在晶体中选三个互不平行的特定的晶列方向为晶轴，以晶轴上两相邻的格点见得距离为单位，这单位称为点阵常数14 晶向指数；晶体中的不同方向就是利用晶向来区分的，每个方向则用三个最小整数u v w来表示记为【u v w】表示晶向的这组数据称为晶向指数。15面间距：在晶体中的同一族晶面中，相邻两晶面的距离称为面间距。16面密度：在晶体中单位面积中的原子数称为面密度，单位面积中的化学键数称为键密度。17晶格缺陷：理想的晶体，其原子的排列是无间隙的、周期性的、无限重复的由规则性的排列，但在自然界的晶体物质不会有那么完美的结构，晶格排列中的任何不规则的地方，就是晶格的缺陷。18弗兰克缺
4、陷：在晶体中总有少数部分原子会脱离正常的晶格点，而跑到晶格空隙中，成为自间隙原子，这种作用又使得原先的晶格上没有任何原子占据成为晶格的空位，这样一对间隙与空位称为弗兰克缺陷。19肖特基缺陷：当晶格原子扩散到晶体最外层时，这使得晶格中仅残留空位而没有自间隙原子，这种缺陷称为肖特基缺陷。20位错：当晶体中的晶格缺陷沿着一条直线对称时，这种缺陷称为位错。1 位错包括（刃位错）（螺旋位错）和（位错环）21非平衡运动：当位错的运动需要借助原子及晶格原位运动时，称为非平衡运动。22晶界：是两个或多个不同结晶方向是的单晶交界处，晶界是可以弯曲的，但在热平衡状态下，为了减少晶界的能量，他们通常是平面状的。晶体
5、是由全同结构单元周期地、无间隙地无重复构成的23 电子公有化运动：晶体原子的内壳层由于基本上没有重叠，电子依然围绕原子核运动，而外壳层发生能级重叠，电子不再局限于一个原子，而可从一个原子壳层转到相邻的另一个原子壳层上去，并可以从邻近的原子再转移到更远的原子上去，像这种的电子可以在整个晶体中运动，为晶体内所有原子共有的现象。精品.24电子的量子态；电子围绕原子核作着特定的运动这一系列特定的运动状态称电子的量子态。25 禁带；允带之间没有电子的运动的区域。26 满带；在能量低的能带中填满电子的能带。27导带；能带图中最高的全空或半空，电子没有填满的能带。28电子导电；当外加电场时，电子向着电场相反
6、的方向运动，形成电流，电子没有填满的能带。29 空穴导电；空穴朝着电场的方向运动同样刑场电流。30 本征半导体；没有掺杂的半导体，纯净的半导体。31非征半导体；掺杂杂质的半导体，加入杂质原子控制半导体性质的导体。32掺杂；为了增加半导体中的载流子浓度，将一定数量的杂质原子掺入半导体。33 杂质电离区；在低温度下，电子首先从施主能级激发到导带或空穴由受主能级激发到价带随温度的升高，载流子浓度不断增大，当达到一定浓度时，杂质达到饱和电离的温度。34非本征区；本征激发的载流子浓度依然较低半导体的载流子浓度保持基本恒定，主要由电离的杂质浓度决定。35 本征区；当温度继续升高，本征激发的载流子大量增加，
7、此时的载流子浓度由电离的杂质浓度和本征载流子浓度共同决定的温度区域。36 辐射复合；载流子复合时，发射光子产生发光的现象。也称发光复合。37非辐射复合；载流子复合时，发射离子将能量传递给晶格，产生热能现象。38 俄歇复合；载流子复合时，将能量传递给其他载流子，增加它们的能量现象。39 非平衡载流子的寿命；载流子浓度减少到原值e分之1所经历的时间。40 内建电场；空间电荷区中存着正负电荷区，形成一个从N型半导体向P型半导体指向的电场。41点缺陷：又由本质原子产生的自由间隙原子和空穴，由杂质原子产生的间隙原子和提位原子，包括了弗兰克缺陷和肖基特缺陷。42线缺陷：当晶体中的晶格缺陷是沿着一条直线对称
8、时的缺陷称为位错。包括位错、螺旋位错和位错环43复合中心：半导体中的杂质和缺陷既可能引人载流子又可能引人深能级，研究表面，深能级又促进载流子复合的作用，把这些促进载流子复合的杂质和缺陷。44p-n结的制备方法包括合金法、扩散法、离子注入法、薄膜生长法。45太阳能级硅多晶硅的制取工艺包括真空挥发、利用化学反应、造渣除杂和定向凝固。46p-n结的基本特征电流电压特性、电容特性、隧道特性、雪崩效应、开关效应、光伏效应。47本征吸除工艺：由于位错等缺陷有吸附杂质特别是金属杂质的作用，工艺上常用生成氧沉淀来吸附杂质，使器件制作区域为洁净区以提高器件的成品率和品质，这种工艺称为内吸杂或本征吸除工艺。48固
9、态加料法：直接将固态多晶硅原料加入石英坩埚内，加入的多晶硅原料可使用棒状多晶、块状多晶、颗粒多晶三种形态。49铸造多晶硅：是利用铸造技术定向制备硅多晶体，现在统称为me-si。50浇铸法：在一个坩埚内将硅料熔化，然后将熔硅注入另一个经过预热的坩埚冷却，通过控制冷却速率，采用定向凝固技术制备大颗粒的铸造多晶硅。51直接熔融定向凝固法：简称直熔法，即在坩埚内直接将多晶硅熔化，然后通过通过坩埚底部的热交换等方式。使熔体冷却，采用定向凝固技术制造多晶硅，所以，也有人称这种方法为热交换，简称HEM法。52吸杂技术：指在硅片的内部或背面有意造成各种晶体缺陷，以吸引金属杂质在这些缺陷处沉淀，从而在器件所在的
10、近表面区域形成一个无杂质、无缺陷的洁净区。53带状硅材料：又称为带硅材料或硅带材料，是一种正在发展的新型太阳能电池硅材料。它是利用不同的技术，直接在硅熔体中生长出带状的多晶硅材料。54应力控制：是指在一定的生长速率下，带硅必须在固液面保持一定的冷却温度梯度，这是因为带硅的冷却速率都提高。精品.55边缘稳定性：是指生产出的带状硅的宽度应严格一致。56多晶硅薄膜：是指生长在不同非硅衬底材料上的晶体薄膜，它是由众多大小不一且晶向不同的细小硅晶粒组成的，直径一般为几百纳米到几十微米。57切片：是指将晶锭切成 规定厚度的切片。58载具：用以承载硅片的载体。59研磨操作：主要是控制磨盘速度与施于磨盘上的压
11、力求出施压的情况60晶体的熔化：温度升高，晶体内原子的热运动增加，晶格结构被破坏，而由固态变成液态或非晶体，这一过程叫晶体的熔化。凝固：与熔化相反的过程叫凝固，也叫结晶，即由液态向固态晶体转化。熔化热：晶体熔化时吸收的热量叫熔化热或熔解热。结晶潜热：晶体结晶时放出的热量。61自发成核：由于液体过冷，自发生成晶核。62非自发晶核：借助于外来固态物质的帮助，如在籽晶、埚壁、液体中的非溶性杂质等产生的晶核，称为非自发晶核。63二维晶核：由于熔体系统能量的涨落，某一定数量的液相原子差不多同时落在平滑界面上的邻近区域，形成一个具有单原子厚度d并有一定宽度的平面原子集团，称为二维晶核。晶核临界半径：根据热
12、力学分析，二维晶核必须超过某个临界值才能稳定，称为晶核临界半径。64填充法：这种方法是在原料棒接近圆锥体的部位钻一个小洞，把掺杂原料填塞在小洞里，依靠分凝效应使杂质在单晶的轴向分布趋于均匀。这种方法较适用于分凝系数较小的杂质。气相掺杂法：这种方法是将易挥发的ph3N型或b2h6P型气体直接吹入熔区内；分凝：当固液平衡共存时，固液中的组成发生偏析，这种现象称为分凝。平衡分凝系数k：固体中的杂质溶度c3与液体中杂质溶度c1之比定义为平衡分凝系数。65热施主：热施主是双施主，即可提供2个电子，其能级位置在导带下0.006-0.07ev和0.013-0.015ev。新施主：热施主在550-850度热处
13、理，还会生成与氧有关的施主，被称为“新施主”。施主-能增加电子溶度的杂子原子n型掺杂受主-能增加空穴溶度的杂质原子p型掺杂66线缺陷-指位错，包括刃位错，螺旋位错，混合位错。n型材料-主要依靠导带中的电子导电的半导体，参有施主的材料p型材料-主要依靠价带中的空穴导电的半导体，参有受主的材料67本征激发-电子从热震动的晶格中吸收能量从价带跃迁导带，即从低能态跃迁到高能态，形成自由的导带电子和价带空穴。68载流子的复合-外界没有光、电、磁等作用时，在一定温度下，从低能态跃迁到高能态的载流子会产生相反的运动，即从高能态向低能态跃进，同时释放一定能量，称为载流子的复合合金法-指在一种半导体晶体上设置金
14、属或半导体元素，通过加温等工艺形成？扩散法-指在n型或p型半导体材料中，利用扩散工艺掺入相反型号的半导体，从而构成p-n结。离子注入法：将n型或p型掺杂剂的离子束在静电场中加速，注入p型或n型半导体表面区域，在表面形成与基本型号相反的半导体，从而形成p-n结69薄膜生长法-在n型或p型半导体材料表面，通过气相、液相等外延技术生长一层具有相反导电类型的半导体薄膜，在两者的界面处形成p-n结。70正向电流-对空穴而言，在正向电压作用下，从p型半导体扩散到n型半导体，电流通过，电流基本随电压呈指数上升。击穿电压-当反向电压大于一定数值时，电流急剧增大，p-n结被击穿。71、功函数：使固体中位于费米能
15、级处的一个电子移到体外自由空间所需 做的功。72金属-半导体接触：在半导体晶片上淀积一层金属，形成的紧密接触。73、肖特基接触：具有整流效应的金属和半导体接触。在晶体中总有少部分原子会脱离正常的晶格点而跑到晶格间隙中，成为自间隙原子。这种作用又使得原先的晶格点上没有任何原子占据，成为晶格的空位。这样一对自间隙原子与空位，称为弗兰克缺陷。精品. 当晶格原子扩散到晶体最外层时，这使得晶格中仅残留空位而没有自间隙原子，这种缺陷称为肖特基缺陷。74、欧姆接触：以肖特基接触为基础制成的二极管，简称SBD。而很小的电阻，且具有线性和对称的电流-电压关系的金属。75、半导体接触：金属-半导体的表面势垒与半导体P-N结相似，内建电场所产生的势垒。76电子高电导区（反阻挡层）：金属和半导体接触后，在界面附近的金属一侧形成了很薄的高密度空穴层，半导体一侧形成了一定厚度的电子积累区域，从而形成一个具有电子高电导率的空间电荷区。77、反阻挡层：N型半导体与功函数较小的金属接触或P型半导体与功函数较大的金属接触，在平衡时靠近表面处就会形成一个载流子浓度很大的高导电区。78、表面势垒：由于内建电场也在变化，导致空间电荷区的两端产生电势均差。太阳能级硅有什么特点纯度要求远不及电子级多晶硅，为了降低太阳能电池的成本，太阳能电池用单晶硅制取的头尾料
