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1、Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速试验 Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 Accumulation 积累、积累 Accumulating contact 积累接触 Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 Active region 有源区 Active component 有源元 Active device 有源器件 Activation 激活 Activation energy 激活能 Active region 有源放大区 Admittance 导纳 Allo
2、wed band 允带 Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝 Aluminum oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器 Analogue(Analog) comparator 模拟比拟器 Angstrom 埃 Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的 Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 Auger 俄歇 Auger pr
3、ocess 俄歇过程 Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 Avalanche excitation雪崩激发 Background carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂 Backward 反向 Backward bias 反向偏置 Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 Band 能带 Band gap 能带间隙 Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层 Barrier width 势垒宽度 Base 基极 Base contact 基区接触 Base stretc
4、hing 基区扩展效应 Base transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 Bias 偏置 Bilateral switch 双向开关 Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管 Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带 Blocking contact 阻挡接
5、触 Body - centered 体心立方 Body-centred cubic structure 体立心构造 Boltzmann 波尔兹曼 Bond 键、键合 Bonding electron 价电子 Bonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路 Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼 Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件 Bound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、试验板 Break down 击穿 Break over
6、转折 Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区 Built-in 内建的 Build-in electric field 内建电场 Bulk 体/体内 Bulk absorption 体汲取 Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合 Burn - in 老化 Burn out 烧毁 Buried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区 Can 外壳 Capacitance 电容 Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 Carr
7、ier 载流子、载波 Carry bit 进位位 Carry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出 Cascade 级联 Case 管壳 Cathode 阴极 Center 中心 Ceramic 陶瓷的 Channel 沟道 Channel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流 Channel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短 Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗 Charge 电荷、充电 Charge-compensation effec
8、ts 电荷补偿效应 Charge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件 Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储 Chemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光 Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片 Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位 Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面
9、 Clock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器 Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密积累构造 Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极 Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放 Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/放射极连接 Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接 Common-mode gain 共模增益 Common-mode inpu
10、t 共模输入 Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 Compatibility 兼容性 Compensation 补偿 Compensated impurities 补偿杂质 Compensated semiconductor 补偿半导体 Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) 互补金属氧化物半导体场效应晶体管 Complementary error function 余误差函数 Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机协助设计/ 测试 /制 造 Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导 Conduction band (edge) 导带(底)
