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1、模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一. 半导体的基础知识1. 半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、锗Ge）。2. 特性-光敏、热敏和掺杂特性。3. 本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4. 两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5. 杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是 电子）。*N型半导体：在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*
2、体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导 体。7. PN 结* PN 结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V，锗材料约为0.20.3V。* PN 结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。8. PN结的伏安特性正向特性lA 0f t反向特性二. 半导体二极管*单向导电性正向导通，反向截止。*二极管伏安特性-同PN结。*正向导通压降 硅管0.60.7V，锗管0.20.3V。*死区电压-硅管0.5V，锗管0.1V。3. 分析方法-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 若V阳V阴（正偏），二极管导通（短路）；若V阳V阴（反偏），二
3、极管截止（开路）。1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点 Q（a）二极管电路b）图解分析2）等效电路法直流等效电路法*总的解题手段-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 若V阳V阴（正偏），二极管导通（短路）;若V阳V阴（反偏），二极管截止（开路）。*三种模型6g %理想模型（b）悄床源橈型5）折践模翌微变等效电路法八兀7小常号模利三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性-正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在 电路中要反向连接。JLL-AlWUl tf/V1证JJ1稳压骨的伏安特件第二章三极管及其基本放大电路一.三极管的结构、类型及特点1. 类型-分为NPN和
4、PNP两种。2. 特点-基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。二.三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态何共娠射极组态（时典集贞极纽态何冥基様组态2. 三极管内各极电流的分配C=E=BN + CN = b + /cb= Athg共发射极电流放大系数（表明三极管是电流控制器件+ (1 +?7b+/cEO -pin式子 H T川呎 称为穿透电流。3.共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管。测试出路STSmee/VCIO输入特性曲线*输出特性曲线（饱和管压降，用UCES表示放大区发射结正偏，集电结反偏。截止区发射结反偏，集电
5、结反偏。4.温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高O、三.低频小信号等效模型（简化）hie-输出端交流短路时的输入电阻， 常用rbe表示；hfe-输出端交流短路时的正向电流传输 常用B表示；（c）输出特性曲线 气4比,四基本放大电路组成及其原则1. VT、 V、 R、 R、Cl、C2的作用。2. 组成原则-能放大、不失真、能传输g简化的H聲数等效电路乳本放大电路的习惯闽法五放大电路的图解分析法1. 直流通路与静态分析*概念-直流电流通的回路。*画法-电容视为开路。*作用-确定静态工作点* 直流负载线-由VCc=I cRC+UCe确定的直线*电路参数对静态工作点的影响（a）改变世h（
6、Vcc Uceq ）时，受截止失真限制，UOp=2LOma=2I cQR.(h)输出持性图解扶输入特性帕解法(UCeq- UCes)V( Vcc*当 uces)*当六.Uceq )时，受饱和失真限制，UOp=2UOma=2( UCeq0(UCeq- UCes)= ( Vcc-放大电路的等效电路法1.静态分析(1)静态工作点的近似估算CQ f7REQBQ =口UcEQ ),放大器将有最大的不失真输出电压。CEQ(2)2.=f CC -CqRuQ点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区, 放大电路的动态分析应满足甩 B Rc。fl h + 尸匚*礼VT fT-fe-&*放大倍数JO。Rl()交流通略b
7、)微变彎效电跆& 圈丿尽 叭 氏尽+尽 尽+尽rbe输入电阻输出电阻七.分压式稳定工作点共 放大电路的等效电1 静态分析稳定工作点放大器f/CEQ a Gc CQ + 兀)微变等效电路2 动态分析*电压放大倍数A = = _A 硏 论+(1+叭在Re两端并一电解电容Ce后Aus = -=一5尽+企输入电阻尺=bll)2kbe +0 + ZOd在Re两端并一电解电容Ce后尽=%2叽弋*输出电阻R口洋八.共集电极基本放大电路1 静态分析J_ 卜_ EEQg J?b+h:-4Vfjt=-6VI-6Vz0戢it区输出特件截止电压ti4力尸All线utit=av-IV0超|上傩Uus=uS:一百、输出特
8、性-5 -4 -3 -2 -1(b)转移特性二. 绝缘栅型场效应管（MOSFET分为增强型（EMO）和耗尽型（DMO）两种。 结构示意图和电路符号d(a)及电林符号(b) D.MOS结构及屯路符号2. 特性曲线*N-EMOS勺输出特性曲线()增强型输出特性 增强醱转移特性N-EMOS的转移特性曲线式中，Ido是UGF2UT时所对应的iD值* N-DMOS的输出特性曲线0tfis/v% mgs/v(c)样唇型输出待性Cd)耗尽型转移特性注意：UGS可正、可零、可负。转移特性曲线上 线表示式与结型场效应管一致。iD=0处的值是夹断电压U，此曲三.场效应管的主要参数1.漏极饱和电流IDSS2. 夹断
9、电压UP3. 开启电压UT4.直流输入电阻FGs5低频跨导gm (表明场效应管是电压控制器件 _如甘m 一 TWDS =常数四场效应管的小信号等效模型E-MOS的跨导gmgsquT场效血管微变等效电路五共源极基本放大电路1.自偏压式偏置放大电路 *静态分析nu(a)瓯理电路g d 2 -c+pjja+虫%L0(c)微变等效电路=! DD DQ（心 +J?s）动态分析U _Z7_ t + ns若带有Cs，则 灯i2. 分压式偏置放大电路*静态分析f DSQ = J DD -DQd +S）(a)掠理电路*动态分析j - o_ - -gm口_击_+岸1用呂若源极带有Cs，则 %心曲=他+心1 2Rq = Ra尽Y+U,(e)微变等效电路六.共漏极基本放大电路静态分析f gsq = 口-r bn JdqR p或f DSQ = 1 DD DQs*动态分析 = o_ _ 目 in 甩J fi 1 +跖碍(a)电路纽成/?i=/?g+/?gl IIRi %=华=2丄JTSm(b)微变等效电路第五章功率放大电路一. 功率放大电路的三种工作状态1. 甲类工作状态导通角为360, Icq大，管耗大，效率低。2. 乙类工作状态I cq0,导通角为180,效率咼，失真大。3. 甲乙类工作状态导通角为180360,效率较高，失真较大。二. 乙类功放电路的指标估
