《多栅极隧道场效应晶体管》由会员分享，可在线阅读，更多相关《多栅极隧道场效应晶体管（4页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、(19 )中华人民共和国国家知识产权局cl(12)发明专利申请fr(10)申请公布号盈CN106910768A(43 )申请公布日2017.06.30(21 )申请号 CN201611103068.8(22)申请日 2016.12.05(71 )申请人IMEC非营利协会地址比利时勒芬(72 )发明人MA普尔加德里;A阿莲(74 )专利代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人袁逸(51) Int.CIH01L29/06;H01L29/423;H01L29/739;B82Y40/00;权利要求说明书说明书幅图(54 )发明名称多栅极隧道场效应晶体管(TFET)(57)摘要公开了一种隧道场效应晶体管
2、(TFET)，其 包括半导体材料的源极-沟道褊极结构。该源极- 沟道褊极结构包括n型或p型掺杂的源极区，与 该源极区相反掺杂的漏极区和位于该源极区和该 漏极区之间的固有或低掺杂的沟道区。该TFET进一步包括覆盖该沟道区的参考栅极结构，以及在 该参考栅极结构旁的源极侧栅极结构，其中该源 极侧栅极结构的功函和/或静电电位，以及该参考 栅极结构的参考功函和/或静电电位被选择用于允 许操作中的TFET器件的隧穿机制在该沟道区中在 该源极侧栅极结构和该参考栅极结构之间的界面 或界面区处发生。法律状态公开公开实质审查的生效法律状态法律状态公告日2017-06-302017- 06-302018- 11-06法律状态信息公开公开实质审查的生效权利要求说明书多栅极隧道场效应晶体管（TFET ）的权利要求说明书内容是.请下载后查看说明书多栅极隧道场效应晶体管（TFET ）的说明书内容是.请下载后查看
