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1、模拟电子技术知识点总结篇一：模拟电子技术基础知识汇总模拟电子技术第一章半导体二极管一. 半导体的基础知识1. 半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、锗Ge）。2. 特性-光敏、热敏和掺杂特性。3. 本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4. 两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流 子。5. 杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的 是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价 元素（多子是空穴，少子是电子）。*n型半导体:在本征半导体中掺入 微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度-
2、多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。* 体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂 质半导体。7.Pn结*Pn结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V，锗材料约为0.20.3V。*Pn结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。8.Pn结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性-正向导通，反向截止。*二极管伏安特性-同PN 结。*正向导通压降硅管0.60.7V,锗管0.20.3V。*死区电压 硅管0.5V,锗管0.1V。3. 分析方法 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若V 阳V阴（正偏），二极管导通（短路）;若V阳）图解分
3、析法该式与伏安 特性曲线的交点叫静态工作点Q。2）等效电路法直流等效电路法*总的解题手段-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳V阴（正偏），二极管导通（短路）;若V阳?微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性-正常工作时处在Pn结的反向击穿区，所以稳压 二极管在电路中要反向连接。第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型-分为nPn和PnP两种。2. 特点-基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区 接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。二. 三极管的工作原理1.三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电流的分配*
4、共发射极电流放大系数（表明三极管是电流控制器件式子3. 共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管。称为穿透电流。*输出特性曲线（饱和管压降，用UcES表示放大区-发射结正偏，集电结反偏。截止区-发射结反偏，集电结反 偏。4.温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高icBo、icEo、ic以及P均增加。三.低频小信号等效模型（简化）hie-输出端交流短路时的输入电阻，常用rbe表示；hfe-输出端交流短路时的正向电流传输比，常用P表示；四. 基本放大电路组成及其原则1 .VT、Vcc、Rb、Rc、cl、c2的作用。2. 组成原则-能放大、不失真、能传输。五. 放大电路的图解分析法1.直
5、流通路与静态分析*概念-直流电流通的回路。*画法-电容视为开路。*作用-确定静态工作点*直流负载线-由Vcc=icRc+UcE确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响1）改变Rb： Q点将沿直流负载线上下移动。2）改变Rc： Q点在iBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3）改变Vcc:直流负载线平移，Q点发生移动。2.交流通路与动态分析*概念 -交流电流流通的回路*画法-电容视为短路，理想直流电压源视为短路。*作用-分析信号 被放大的过程。*交流负载线-连接Q点和Vcc点Vcc =UcEQ+icQRL的直线。3. 静态工作点与非线性失真(1) 截止失真*产生原因-Q点设置过低*失真现象-nPn管
6、削顶，PnP管削底。*消除方法-减小Rb，提高Q。(2) 饱和失真*产生原因-Q点设置过高*失真现象-nPn管削底，PnP管削顶。*消除方法-增大Rb、减小 Rc、增大Vcc。4.放大器的动态范围(1)Uopp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。(2)范围*当(UcEQ - UcES )( Vcc UcEQ )时，受截止失真限制， UoPP=2UomaX=2icQRL。*当(UcEQ - UcES )0Rg2.放大电路的动态分析*放大倍数*输入电阻*输出电阻七.分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1.静态分析篇二：模拟电子技术总结复习资料半导体二极管及其应用电路一. 半导体的基础知识1
7、. 半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、锗Ge）。2. 特性-光敏、热敏和掺杂特性。3. 本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4. 两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流 子。5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体 现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少 子是电子）。*n型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少 子是空穴）。6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。* 体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。7.Pn结*P
8、n结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。*Pn结的导通电压-硅材料约为0.60.8V，锗材料约为0.20.3V8.Pn结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性-正向导通，反向截止。*二极管伏安特性-同PN 结。*正向导通压降硅管0.60.7V，锗管0.20.3V。*死区电压 硅管0.5V，锗管0.1V。3. 分析方法 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若V 阳V阴（正偏），二极管导通（短路）;若V阳该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点Q。2）等效电路法直流等效电路法*总的解题手段-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳V阴（正偏），二极管导通（短路）;若V阳?微变等效电路法三
9、. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性-正常工作时处在Pn结的反向击穿区，所以稳压 二极管在电路中要反向连接。三极管及其基本放大电路一.三极管的结构、类型及特点1.类型-分为nPn和PnP两种。2. 特点-基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区 接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。二.三 极管的工作原理1.三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电流的分配*共发射极电流放大系数（表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流。3. 共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管。*输出特性曲线（饱和管压降，用UcES表示放大区-发射结正偏，集电结反偏。截止区-发射结反
10、偏，集电结反 偏。饱和区-发射结和集电结均正偏。4.温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高icBo、icEo、ic以及P均增加。三.低频小信号等效模型（简 化）rbe-输出端交流短路时的输入电阻，P-输出端交流短路时的正向电流传输比，常用P表示；四. 基本放大电路组成及其原则1.VT、Vcc、Rb、Rc、cl、c2的作用。2.组成原则-能放大、不失真、能传输。五.放大电路的图解分析法1.直流通路与静态分析*概念-直流电流通的回路。*画法-电容视为开路。*作用-确定静 态工作点*直流负载线-由Vcc=icRc+UcE确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响1）改变Rb： Q点将沿直流负
11、载线上下移动。2）改变Rc： Q点在iBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3）改变Vcc:直流负载线平移，Q点发生移动。2.交流通路与动态分析*概念-交流电流流通的回路*画法-电容视为短路，理想直流电压源视为短路。*作用-分析信号 被放大的过程。*交流负载线-连接Q点和Vcc?点Vcc?=UcEQ+icQRL?的直线。3. 静态工作点与非线性失真（1）截止失真*产生原因-Q点设置过低*失真现象-nPn管削顶，PnP管削底。*消除方法-减小Rb，提高Q。（2）饱和失真*产生原因-Q点设置过高*失真现象-nPn管削底，PnP管削顶。*消除方法-增大Rb、减小Rc、增大 Vcc。4. 放大器的动态范围
12、（1）Uopp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。（2）范围*当（UcEQ - UcES ）（ Vcc UcEQ ）时，受截止失真限制， UoPP=2UomaX=2icQRL。*当（UcEQ - UcES ）（ Vcc UcEQ ）时，受饱和失真限制，UoPP=2UomaX=2 (UcEQ - UcES)。*当（UcEQ-UcES） = （VccUcEQ）,放大器将有最大的不失真 输出电压。六.放大电路的等效电路法1.静态分析（1）静态工作点的近似估算（2）Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区，应满足RB0Rc 2.放大电路的动态分析 *放大倍数*输入电阻*输出电阻篇三：模电总结复习-模
13、拟电子技术基础模电复习资料第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1. 半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、锗Ge）。2. 特性-光敏、热敏和掺杂特性。3. 本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4. 两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流 子。5. 杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的 是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价 元素（多子是空穴，少子是电子）。*n型半导体:在本征半导体中掺入 微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6.杂质半导体的特性*载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关
14、。* 体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂 质半导体。7.Pn结*Pn结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V，锗材料约为0.20.3V。*Pn结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。8.Pn结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性-正向导通，反向截止。*二极管伏安特性-同PN 结。*正向导通压降硅管0.60.7V，锗管0.20.3V。*死区电压 硅管0.5V，锗管0.1V。3.分析方法 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若V 阳V阴（正偏），二极管导通（短路）;若V阳该式与伏安特性曲线的交 点叫静态工作点Q。2）等效电路法直流等效电路法*总的解题手段-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳V阴（正偏），二极管导通（短路）;若V阳
