集成电路制造公司名称

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1、先进微器件公司（美国）AM（AMD）模拟器件公司（美国）AD仙童半导体公司（美国）F、A （你知道的吧）英特尔公司（美国）I 英特西尔公司（美国）ICL、ICM、IM史普拉格电气公司（美国）ULN、UCN、TDA摩托罗拉半导体公司（美国）MC、MLM、MMS国家半导体公司（美国）LM、LF、LH、AD、DA、CD西格乃铁克斯公司（美国）NE、SE、ULN德克萨斯仪器公司（美国）SN、TL、TP、A美国无线电公司（美国）CD、CA、CDM、LM东芝公司（日本）TA、TC、TD、TM富士通公司（日本）MB、MBM日立公司（日本）HA、HD、HM、HN松下电子公司（日本）AN新日本无线电公司（日本）

2、NJM日本电气公司（日本）PA、PB、PC三菱电气公司（日本）M冲电气工业公司（日本）MSM山肯电气公司（日本）STR三洋电气公司（日本）LA、LB、LC、STK夏普电子公司（日本）LH、HR、IX索尼公司（日本）BX、CX飞利浦元件公司（荷兰）HEF、TBA、TDASGS电子元件公司（意大利）TDA、H、HB、HC西门子公司（德国）SO、TBA、TDA 汤姆森公司（法国）EF、TDA、TBA、SFC部分集成电路制造公司名称及型号前缀目前，集成电路的命名国际上还没有一个统一的标准，各制造公司都有自己的一套命名方法，给我们识别集成电路带来很大的困难，但各制造公司对集成电路的命名总还存在一些规律。

3、下面列出一些常见的集成电路生产公司的命名方法供大家参考。（只写了前缀 1.National Semiconductor Corp.（国家半导体公司 AD：A/D转换器； DA：D/A转换器； CD：CMOS数字电路； LF：线性场效应； LH：线性电路（混合；LM：线性电路单块； LP：线性低功耗电路。 2.RCA Corp. (美国无线电公司) CA、LM：线性电路； CD：CMOS数字电路； CDM；CMOS大规模电路。 3.Motorola Semiconductor Products,Inc. (摩托罗拉半导体公司) MC：密封集成电路； MMS：存储器电路； MLM：引线于国家半导体

4、公司相同的线性电路。 4.NEC Electronics,Inc. (日本电气电子公司) uP: 微型产品。 A：组合元件； B：双极型数字电路； C：双极型模拟电路； D：单极型数字电路。 例：uPC、uPA等。 5.Sanyo Electric Co.,Ltd. (三洋电气有限公司) LA：双极型线性电路； LB：双极型数字电路； LC：CMOS电路； STK：厚膜电路。 6.Toshiba Corp. (东芝公司) TA：双极型线性电路； TC：CMOS电路； TD：双极型数字电路； TM：MOS电路。 7.Hitachi,Ltd. (日立公司) HA：模拟电路； HD：数字电路； HM

5、：RAM电路； HN：ROM电路； 8.SGS Semiconductor Corp. (SGS半导体公司) TA、TB、TC、TD：线性电路； H：高电平逻辑电路； HB、HC：CMOS电路。 例：TD A 后A为温度代号。 部分集成电路制造公司名称及型号前缀 先进微器件公司 美国 AM 模拟器件公司 美国 AD 仙童半导体公司 美国 F、uA 富士通公司 日本 MB、MBM 日立公司 日本 HA、HD、HM、HN 英特尔公司 美国 I 英特西尔公司 美国? ICL、ICM、IM 松下电子公司 日本? AN 史普拉格电气公司 美国 ULN、UCN、TDA 三菱电气公司 日本 M 摩托罗拉半导

6、体公司 美国? MC、MLM、MMS 国家半导体公司 美国 LM、LF、LH、LP、AD、DA、CD 日本电气有限公司 日本 uPA、uPB、uPC 新日本无线电有限公司 日本 NJM 冲电气工业公司 日本 MSM 飞利浦元件公司 荷兰 HEF、TBA、TDA 三星半导体公司 韩国 KA、KM、KS 山肯电气有限公司 日本 STR 三洋电气有限公司 日本 LA、LB、LC、STK SGS电子元件公司 意大利 TDA、H、HB、HC 夏普电子公司 日本 LH、LR、IX 西门子公司 德国 SO、TBA、TDA 西格乃铁克斯公司 美国 NE、SE、ULN 索尼公司 日本 BX、CX 东芝公司 日本

7、 TA、TC、TD、TM 德克萨斯仪器公司 美国 SN、TL、TP、uA 美国无线电公司 美国 CD、CA、CDM、LM 汤姆森公司 法国 EF、TDA、TBA、SFC器件型号举例说明( 缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）)AM29L509PCBAMD首标器件编号封装形式温度范围 分类L：低功耗；D：铜焊双列直插 C：商用温度，没有标志的S：肖特基；（多层陶瓷）；（0-70）或为标准加工LS：低功耗肖特基；L：无引线芯片载体：（0-75）；产品，标有21：MOS存储器；P：塑料双列直插；M：军用温度，B的为已25：中规范（MSI）；E：扁平封装（陶瓷扁平）；（-55-125）；老化产

8、品。26：计算机接口；X：管芯；H：商用，27：双极存储器或EPROM ；A：塑料球栅阵列；（0-110）；28：MOS存储器理；B：塑料芯片载体I：工业用，29：双极微处理器；C、D：密封双列；（-4085 ）；54/74：同25；E：薄的小引线封装；N：工业用，60、61、66：模拟，双极；G：陶瓷针栅陈列；（-2585）；79：电信；Z、Y、U、K、H：塑料K：特殊军用，80：MOS微处理器；四面引线扁平；（-30125）；81、82：MOS和双极处围电路；J：塑料芯片载体（PLCC）；L：限制军用，90：MOS；L：陶瓷芯片载体（LCC）；（-55-85）91：MOS RAM：V、M：

9、薄的四面125。92：MOS；引线扁平；93：双极逻辑存储器P、R：塑料双列；94：MOS；S：塑料小引线封装；95：MOS外围电路；W：晶片；1004：ECL存储器；也用别的厂家的符号：104：ECL存储器；P：塑料双列；PAL：可编程逻辑陈列；NS、N：塑料双列；98：EEPROM；JS、J：密封双列；99：CMOS存储器。W：扁平；R：陶瓷芯片载体；A：陶瓷针栅陈列；NG：塑料四面引线扁平；Q、QS：陶瓷双列。器件型号举例说明( 缩写字符：ANA 译名：模拟器件公司（美）)AD 644ASH/883BANA首标器件附加说明温度范围封装形式筛选水平AD：模拟器件编号A：第二代产品；I、J、

10、K、L、M：D：陶瓷或金属气MIL-STD-HA：混合DI：介质隔离产（0-70）；密双列封装883B级。A/D；品；A、B、C：（多层陶瓷）；HD：混合Z：工作在+12V（-25-85）；E：芯片载体；D/A。的产品。（E：ECL）S、T、U：F：陶瓷扁平；（-55-125）。G：PGA封装（针栅阵列）；H：金属圆壳气密封装；M：金属壳双列密封计算机部件；N：塑料双列直插；Q：陶瓷浸渍双列（黑陶瓷）；CHIPS：单片的芯片。同时采用其它厂家编号出厂产品。通用器件型号举例说明(缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）)ADC803XXXX首标器件编号通用资料温度范围封装筛选水平A：:改进参数性能；J、K、L：M：铜焊的金属壳封装；Q：高可L：自销型；（0-70）；L：陶瓷芯片载体；靠产品；Z：+ 12V电源工作；A、B、C：N：塑料芯片载体；/QM：HT：宽温度范围。（-25-85）；P：塑封（双列）；MILR、S、T、V：H：铜焊的陶瓷封装STD（-55-125）。（双列）；883产品。G：普通陶瓷（双列）；U：小引线封装。模拟器件产品型号举例说明( 缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）)-XXX首标器件编号温度范围封装筛选水平H、J、K、L：M：铜焊金属壳封装；Q：高可靠产品；（0-70）；P：塑封；/QM：MIL-STD-A、B、C：（-