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1、第14章二极管和三极管知识点复习总结二极管：概念1、半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。2、半导体奇妙特性:热敏性、光敏性、掺杂性。3、本征半导体:完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴, 电子带负电，空穴带正电。它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。5、P型半导体:在纯净半导体掺入三价杂质元素，便形成P型半导 体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。6、N型半导体:在纯净半导体掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。7、
2、PN结具有单向导电性:P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导 通,P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。所以正向电流主要由多子的扩散运动 形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。8、二极管按材料分有硅管（S i管）和错管（G e管），9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏 时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。其死区电压:S i管约 0.5V,G e管约为0.1 V。其导通压降:S i管约0.7V,G e管约为0.2 V。这两组数也是判材料的依据。10、稳压管是工作在反向击穿状态的： 加正向电压时，相当正向导通的二极管。（压降为0.7V,）
3、 加反向电压时截止，相当断开。 加反向电压并击穿（即满足UU Z）时便稳压为U Z。10、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门 电路）等。三极管：一、概念1、三极管由两个PN结组成。从结构看有三个区、两个结、三个 极。三个区：发射区一一掺杂浓度很高，其作用是向基区发射电子。基区一一掺杂浓度很低，其作用是控制发射区发射的电子。集电区一一掺杂浓度较高，但面积最大，其作用是收集发射区发射 的电子。两个结：集电区基区形成的PN结。叫集电结。（J C）基区发射区形成的PN结。叫发射结。（J e）三个极:从三个区引出的三个电极分别叫基极B、发射极E和集电 极C（或用a、b、c）对应的三个
4、电流分别称基极电流I B、发射极电流 I E、集电极电流I C。并有：I E =I B+ I C2、三极管也有硅管和错管，型号有NPN型和PNP型。3、三极管的输入电压电流用U BE、I B表示，输出电压电流用U CE、I C表示。即基极发射极间的电压为输入电压U BE，集电极发射间的电压为输 出电压U CE。三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数B=I C / I B （或 I C二B I B）和开关作用.4、三极管的输入特性（指输入电压电流的关系特性）与二极管正向 特性很相似，也有：死区电压:硅管约为0.5V,错管约为0.1V。导通压降：硅管约为0.7V，错管约为0.2V。（这两组数也
5、是判材 料的依据）5、三极管的输出特性（指输出电压U CE与输出电流I C的关系特 性）有三个区： 饱和区：特点是U CE1V, I C二B I B. 其偏置条件J e正偏J C反偏.所以三极管有三种工作状态，即饱和状态,截止状态和放大状态，作 放大用时应工作在放大状态，作开关用时应工作在截止和饱和状态.6、当输入信号I i很微弱时，三极管可用H参数模型代替（也叫微 变电路等效电路）7、对放大电路的分析有估算法和图解法估算法是:先画出直流通路（方法是将电容开路，信号源短路，剩 下的部分就是直流通路），求静态工作点I BQ、I CQ、U CEQ。画交流通路,H参数小信号等效电路求电压放大倍数A
6、U输入输 出电阻R I和R0。图解法:是在输入回路求出I B后，在输入特性作直线，得到工作点 Q,读出相应的I BQ、U BEQ而在输出回路列电压方程在输出曲线作直线，得到工作点Q,读出相 应的 I CQ、U CEQ加入待放大信号u i从输入输出特性曲线可观察输入输出波形,。 若工作点Q点设得合适，（在放大区）则波形就不会发生失真。8、失真有三种情况：截止失真：原因是I B、I C太小,Q点过低，使输出波形后半周 （正半周）失真。消除办法是调小R B,以增大I B、I C,使Q点上移。饱和失真：原因是I B、I C太大,Q点过高，使输出波形前半周 （负半周）失真。消除办法是调大R B,以减小I B、I C,使Q点下移。信号源U S过大而引起输出的正负波形都失真，消除办法是调小 信号源。
