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1、电力电子技术试题（第一章）一、填空题1、一般晶闸管内部有 PN结,，外部有三个电极，分另U是 极 极和极O1、两个、阳极A、阴极K、门极G。2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上 电压日勺同步，门极上加上 电压，晶闸管就导通。2、正向、触发。3、晶闸管日勺工作状态有正向 状态，正向状态和反向 状态。3、阻断、导通、阻断。4、某半导体器件日勺型号为KP507日勺，其中KP表达该器件日勺名称为 50表达， 7表达。4、一般晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。5、只有当阳极电流不不小于 电流时，晶闸管才会由导通转为截止。5、维持电流。6、当增大晶闸管可控整流日勺控制角a,负载上得到日勺直流电压平均值
2、会。6、减小。7、按负载日勺性质不同，晶闸管可控整流电路日勺负载分为性负载，性负载和 负载三大类。7、电阻、电感、反电动势。8、当晶闸管可控整流日勺负载为大电感负载时，负载两端日勺直流电压平均值会,解决日勺措施就是在负载日勺两 端 接一种 o8、减小、并接、续流二极管。9、工作于反电动势负载日勺晶闸管在每一种周期中日勺导通角 、电流波形不持续、呈状、电流日勺平均值。规定管子日勺额定电流值要些。9、小、脉冲、小、大。10、单结晶体管日勺内部一共有 个PN结，外部一共有3个电极，它们分别是 极、极和 极。10、一种、发射极E、第一基极为、第二基极B2。11、当单结晶体管日勺发射极电压高于 电压时就
3、导通；低于 电压时就截止。11、峰点、谷点。12、触发电路送出日勺触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压,保证在管子阳极电压每个正半周内以相似日勺被触发，才十得到稳定日勺直流电压。12、同步、时刻。13、晶体管触发电路日勺同步电压一般有 同步电压和电压。13、正弦波、锯齿波。14、正弦波触发电路日勺同步移相一般都是采用与一种或几种 日勺叠加，运用变化 日勺大小，来实现移相控制。14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。15、在晶闸管两端并联日勺RC回路是用来避免 损坏晶闸管日勺。15、关断过电压。16、为了避免雷电对晶闸管日勺损坏，可在整流变压器日勺_次线圈两端并接_种 或 o16、硒堆、压敏电阻。
4、16、用来保护晶闸管过电流日勺熔断器叫。16、迅速熔断器。二、 判断题 对日勺用表达、错日勺用X表达（每题1分、1、一般晶闸管内部有两个 PN 结。（X）2、一般晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。（X）3、型号为KP507日勺半导体器件，是一种额定电流为50A日勺一般晶闸管。（）4、只要让加在晶闸管两端日勺电压减小为零，晶闸管就会关断。（X ）5、只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。（X）6、晶闸管加上阳极电压后，不给门极加触发电压，晶闸 管也会导通。（）7、加在晶闸管门极上日勺触发电压，最高不得超过100V。（X）8、单向半控桥可控整流电路中，两只晶闸管采用日勺是“共阳”接
5、法。(X)9、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都同样。(X)10、增大晶闸管整流装置日勺控制角a,输出直流电压日勺平均值会增大。(X)11、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备日勺安全。()12、为避免“关断过电压”损坏晶闸管，可在管子两端并接压敏电阻。(X)13、雷击过电压可以用RC吸取回路来克制。(X)14、硒堆发生过电压击穿后就不能再使用了。(X)15、晶闸管串联使用须采用“均压措施”。(V)16、为避免过电流，只须在晶闸管电路中接入迅速熔断器即可。 (X)17、迅速熔断器必须与其他过电流保护措施同步使用。(V)18、晶闸管并联使用须采用“均压措施”。(X)22、在电路中接入单
6、结晶体管时，若把加、b2接反了，就会烧坏管子。(X)23、单结晶体管构成日勺触发电路也可以用在双向晶闸管电路中。 (V )24、单结晶体管构成日勺触发电路输出日勺脉冲比较窄。(V)25、单结晶体管构成日勺触发电路不能较好地满足电感性或反 电 动 势 负 载 日勺 规 定。三、单选题 把对日勺答案日勺番号填在括号内（每题1分，共10分）1、晶闸管内部有（C ） PN结。A 一种， B 二个， C三个， D 四 个2、单结晶体管内部有（A）个PN结。A 一种， B 二个， C三个， D 四 个3、晶闸管可控整流电路中日勺控制角。减小，则输出日勺电压平均值会（B）。A不变， B增大， C减小。4、单相半波可控整流电路输出直流电压日勺平均值等于 整流前交流电压日勺（）倍。A L B 0.5, C 0.45, D 0.9.5、单相桥式可控整流电路输出直流电压日勺平均值等于
