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光刻工艺主要步骤1. 基片前处理为确保光刻胶能和晶圆表面很好粘贴，形成平滑且结合得很好的膜，必须进行表面准备，保 持表面干燥且干净，2. 涂光刻胶涂胶的目标是在晶圆表面建立薄的、均匀的，并且没有缺陷的光刻胶膜。3. 前烘（软烘焙）前烘的目的是去除胶层内的溶剂，提高光刻胶与衬底的粘附力及胶膜的机械擦伤能力。4. 对准和曝光（A&E）保证器件和电路正常工作的决定性因素是图形的准确对准，以及光刻胶上精确的图形尺寸 的形成。所以，涂好光刻胶后，第一步是把所需图形在晶圆表面上准确定位或对准。第二步 是通过曝光将图形转移到光刻胶涂层上。5. 显影显影是指把掩膜版图案复制到光刻胶上。6. 后烘（坚膜）经显影以后的胶膜发生了软化、膨胀，胶膜与硅片表面粘附力下降。为了保证下一道刻蚀工 序能顺利进行，使光刻胶和晶圆表面更好地粘结，必须继续蒸发溶剂以固化光刻胶。7. 刻蚀刻蚀是通过光刻胶暴露区域来去掉晶圆最表层的工艺，主要目标是将光刻掩膜版上的图案精 确地转移到晶圆表面。8. 去除光刻胶刻蚀之后，图案成为晶圆最表层永久的一部分。作为刻蚀阻挡层的光刻胶层不再需要了，必 须从表面去掉。正胶的纵横比更高、负胶的粘结力更强曝光速度更快、正胶的针孔数量更好阶梯覆盖度更好但成本更高、正胶使用水溶性溶剂显影而负胶使用有机溶剂显影。
