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1、 1当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结部的 B 。 A 多数载流子浓度增大 B 少数载流子浓度增大C 多数载流子浓度减小 D 少数载流子浓度减小2. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v正向偏置和5v反向偏置时，稳压管两端的最终电压分别为 D 。 根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB = -6.3v，VE = -7v，VC = -4v，可以判定此晶体管是管，处于 B 。 A NPN管，饱和区 B PNP管， 放大区 C PNP管，截止区 D NPN管， 放大区 场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的 B 。 A 非饱和区 B 饱
2、和区 C 截止区 D 击穿区 在单级放大电路的三种接法中，它们相互比拟起来正确的说法是： B 。 A 共发射极电路的AV最大、RI最小、RO最小 B 共集电极电路的AV最小、RI最大、RO最小C 共 基极电路的AV最小、RI最小、RO最大 D 共发射极电路的AV最小、RI最大、RO最大 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 C 。 A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响7差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 A ，而提高共模抑制比. A 抑制共模信号； B 抑制差模信号； C 放大共模信号； D 既抑制共模信号又抑制差模信号；8组合放大
3、电路的输出级采用射极输出方式是为了使 D 。 A 电压放大倍数高 B 输出电流小C 输出电阻增大 D 带负载能力强9集成运放电路的实质是一个 B 的多级放大电路。 A阻容耦合式 B直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有10放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 B 。 A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不适宜11在输入量不变的情况下，假如引入反应后 D ，如此说明引入的是负反应。 A电路稳定性变差 B输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小12、共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 B 的特
4、点以获得较高增益。 A 直流电阻大、交流电阻小 B 直流电阻小、交流电阻大C 直流电阻和交流电阻都小 D 直流电阻大和交流电阻都大 13、在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，如此其中电压放大电路的放大倍数必须满足 D 才能起振。 A AV = 1 B AV = 3 C AV 3 D AV 314、迟滞比拟器有2个门限电压，因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，其输出状态将发生 A 次跃变。 A 1 B 2 C 3 D 015当我们想要放大频率为10kHz以上的信号时，应采用 B 滤波器。 A 低通 B 高通 C 带阻 D 带通16.串联型稳压电源正常工作的条件是 ：其调
5、整管必须工作于放大状态，即必须满足 D 。 A VI = VO + VCES B VI VO + VCESC VI VO + VCES D VI VO + VCES2理想二极管构成的电路如题2图所示，如此输出电压U0为(B )A-5V B+5VC+10V D+15V3测得电路中某晶体三极管(锗管)各管脚的电位，如题3图所示，如此可判定该管处在( C)，上图A放大状态 B饱和状态C截止状态 D不确定状态4测得某放大状态的晶体三极管，各管脚的电位如题4图所示，如此可判定该管为(B )APNP型管，是e极 BPNP型管，是e极CNPN型管，是e极 DNPN型管，是e极5如下根本放大电路中，有电压放大
6、作用无电流放大作用的是(C )A共射极放大电路 B共集电极放大电路C共基极放大电路 D. 共源极放大电路6为了使输出电阻降低，在放大电路中应引入交流(C )A串联负反应 B并联负反应C电压负反应 D电流负反应8.在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻RL增大时，电压放大倍数将( B )A.减少 C.保持不变 D.大小不变，符号改变9. 在单管固定偏置共射极放大电路中，假如测得三极管的静态管压降UCE近似等于电源电压UCC时，如此该管工作状态为( B )A.饱和 C.放大 0=3V，如此P点必须( D )1当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 A A 增大 B 减小 C 不变 D 等于
7、零2场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 B 。 A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区3直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 C A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响4差动放大电路的主要特点是 。 A A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号C有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。5互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 D A 电压放大倍数高 B 输出电流小C 输出电阻增大 D 带负载能力强6集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。C A 可获得较
8、高增益 B 可使温漂变小C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻7放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 B 。 A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不适宜8当信号频率等于放大电路的和时，放大倍数的数值将下降到中频时的 B 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 9在输入量不变的情况下，假如引入反应后 ，如此说明引入的是负反应。 D A输入电阻增大 B输出量增大 C 净输入量增大 D净输入量减小AVAV10带通滤波器所对应的幅频特性为 C 。 AVMAXAVMAX A、 B、offoAVAVAVMAXAVMAXC、 D、ofof5如下根本放大电路中，有电压放大作用无电流放大作用的是( C)A共射极放大电路 B共集电极放大电路C共基极放大电路 D. 共源极放大电路6为了使输出电阻降低，在放大电路中应引入交流(C )A串联负反应 B并联负反应C电压负反应 D电流负反应8PN结加反向偏置时，其PN结的厚度将AA变宽 B变窄 C不变 D
