半导体集成电路复习

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1、填空，判断，简答，计算一、填空题1. 用来做芯片的高纯硅被称为（ 半导体级硅 ），英文简称（ GSG ），有 时也被称为（ 电子级硅 ）。1 晶圆的英文是（ wafer ），其常用的材料是（ 硅 ）和（ 锗 ）。2 从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（ 100 ）、 （110 ）和（111 ）。3 根据氧化剂的不同，热氧化可分为（ 干氧氧化 ）、（ 湿氧氧化 ）和 （ 水汽氧化 ）。4 硅片上的氧化物主要通过（ 热生长 ）和（ 淀积 ）的方法产生，由 于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（ 薄 膜 ）。5目前常 用的 CVD 系统有： （ APCV

2、D ）、（ LPCVD ）和 （ PECVD ）。6 .缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离 子体增强化学气相淀积 ）、（ 低压化学气相淀积 ）、高密度等离子体 化学气相淀积、和（ 常压化学气相淀积 ）。7 化学气相淀积是通过（ 气体混合 ）的化学反应在硅片表面淀积一层（ 固 体膜 ）的工艺。硅片表面及其邻近的区域被（ 加热 ）来向反应系统提供附加 的能量。8 在半导体制造业中，最早的互连金属是（ 铝 ），在硅片制造业中最普通 的互连金属是（ 铝 ），即将取代它的金属材料是（ 铜 ）。9 写出三种半导体制造业的金属和合金（ Al ）、（ Cu ）和（ 铝

3、铜合金 ）。 10 硅片平坦化的四种类型分别是（ 平滑 ）、部分平坦化、（ 局部平坦 化 ）和（ 全局平坦化 ）。11 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（ 正性光刻 ），两者 的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（ 负性光刻胶 ），后者是（ 正 性光刻胶 ）。12 刻蚀是用（ 化学方法 ）或（ 物理方法 ）有选择地从硅片表面去 除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（ 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图 形 ）。13 集成电路制造中掺杂类工艺有（热扩散掺杂）和（离子注入）两种，其 中（离子注入）是最重要的掺杂方法。14 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（ 间隙式扩散机制 ） 扩散

4、和（ 替代式扩散机制 ）扩散。15 集成电路的发展时代分为：（ 小规模集成电路 SSI ）、中规模集成电 路 MSI、（ 大规模集成电路 LSI ）、超大规模集成电路 VLSI、（ 特大规模集 成电路 ULSI ）。16 扩散区一般认为是进行高温工艺及薄膜淀积的区域。主要设备是高温扩 散炉，其能完成（氧化）、扩散、（淀积）、（退火）以及合金等多种工艺流程。二、判断题1. 半导体级硅的纯度为99.9999999%。（ V）2. 冶金级硅的纯度为98%。（ V ）3. 西门子工艺生产的硅没有按照希望的晶体顺序排列原子。（ V ）4 .用来制造MOS器件最常用的是（100 ）面的硅片，这是因为（10

5、0 ）面的 表面状态更有利于控制MOS器件开态和关态所要求的阈值电压。（V ）5. （111）面的原子密度更大，所以更易生长，成本最低，所以经常用于双 极器件。（V ）双极型和单极型的差别主要看有几种载流子参与导电。在双极型晶体管中，多子和少子（也就是空穴、电子，两种不同极性的载流子） 都参与导电，如BJT，其为电流控制电流。而在单极型晶体管中只有多子（或空穴，或电子，只有一种，单一极性）参与导 电，如MOS,场效应管，为电压控制电流。6. 成品率是指在一片晶圆上所有芯片中好芯片所占的百分比。（V）7. 当硅片暴露在空气中时，会立刻生成一层无定形的氧化硅薄膜。（ V）8. 暴露在高温的氧气氛围

6、中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过 程实际是消耗了硅片上的硅材料。（ V ）9. 二氧化硅是一种介质材料，不导电。（ V ）10. 硅上的自然氧化层并不是一种必需的氧化材料，在随后的工艺中要清洗 去 除。（ V）11. 栅氧一般通过热生长获得。（ V ）12. 虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。（V ）13 . CVD （化学气相淀积）是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现 物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。（X ）CVD （化学气相淀积）：通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一

7、层薄膜材料的 过程PVD （物理气相淀积）：是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质 的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。14 夕卜延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。（”）15 在半导体产业界第一种类型的CVD是APCVD（ V ）16 夕卜延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两 大类。（ V ）17 接触是指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接。（V ）18 溅射是个化学过程，而非物理过程。（x ）溅射是物理过程19 化学机械平坦化，简称CMP,它是一种表面全局平坦化技术。（V ）20 反刻是一种传统的平坦化技

8、术，它能够实现全局平坦化。（x ）它不能够 实现全局平坦化。21.最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。（x） 是负性光刻胶22 对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。（V ）23 光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。（V）24 不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。（V ）25 在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。（x） 在半导体生产中，干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。26 在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子 注入。（V ）27 晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功

9、。（V ）28 纯净的半导体是一种有用的半导体。（x ） 纯净的半导体称为本征半导体，一般都需要掺杂才能导电29 硅中的杂质只有一部分被真正激活，并提供用于导电的电子或空穴（大约 3%5%）,大多数杂质仍然处在间隙位置，没有被电学激活。（V ）30 离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅 片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。（V ）31 离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。（V ）32 离子注入是一个物理过程，不发生化学反应。（V）33 离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。（V）34 离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度

10、，因而在几乎所有应用中都优于扩散。（x）35离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。（V）36 . CMOS反相器电路的功效产生于输入信号为零的转换器。（V ）37CD 是指硅片上的最小特征尺寸。（ V ）38 集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言 之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。（ V ） 39 人员持续不断地进出净化间，是净化间沾污的最大来源。（ V）40 世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。（x ）1958年，TI公司的基尔比研制出了世界上第一块集成电路；该电路是在锗衬底 上制作的相移振荡器和触

11、发器，共12个器件；器件之间是介质隔离，器件间互 连线采用的是引线焊接方法。三、简答题1常用的半导体材料为何选择硅？（6分）（ 1 ）硅的丰裕度。硅是地球上第二丰富的元素，占地壳成分的25% ；经合理加工，硅能够提纯到半导体制造所需的足够高的纯度而消耗更低的成本；（2 ）更高的熔化温度允许更宽的工艺容限。硅1412。0锗937工（3）更宽的工作温度。用硅制造的半导体器件可以用于比锗更宽的温度范围， 增加了半导体的应用范围和可靠性；（4）氧化硅的自然生成。氧化硅是一种高质量、稳定的电绝缘材料，而且能充当优质的化学阻挡层以保护硅不受外部沾污；氧化硅具有与硅类似的机械特性，允许高温工艺而不会产生过度

12、的硅片翘曲；2硅锭直径从20世纪50年代初期的不到25mm增加到现在的300mm甚 至更大，其原因是什么？（6分）（1）更大直径硅片有更大的表面积，做芯片，能够减少硅片的浪费。（2）每个硅片上有更多的芯片，每块芯片的加工和处理时间减少，导致设 备生产效率变高。（3）在硅片边缘的芯片减少了，转化为更高的生产成品率。（4）在同一工艺过程中有更多芯片，所以在一块芯片一块芯片的处理过程 中，设备的重复利用率提高了。1 识别下图所示工艺，写出每个步骤名称并进行描述，对其特有现象进行描 述。（15 分）sio2生长;答：一）此为选择性氧化的局部氧化LOCOS （0.25微米以上的工艺）二 ）步骤名称及描述

13、：1 氮化硅淀积。2 氮化硅掩蔽与刻蚀3硅的局部氧化LOCOS场氧化层的剖面4 氮化硅去除用淀积氮化物膜作为氧化阻挡层，因为淀积在硅上的氮化物不能被氧化，所以刻 蚀后的区域可用来选择性氧化生长。热氧化后，氮化物和任何掩膜下的氧化物都 将被除去，露出赤裸的硅表面，为形成器件作准备。三）特有现象描述：当氧扩散穿越已生长的氧化物时，它是在各个方向上扩散的 （各向同性）。一些氧原子纵向扩散进入硅，另一些氧原子横向扩散。这意味着在氮化物掩膜下 有着轻微的侧面氧化生长。由于氧化层比消耗的硅更厚，所以在氮化物掩膜下的 氧化生长将抬高氮化物的边缘，我们称为“鸟嘴效应”2 识别下图所示工艺，写出每个步骤名称并进

14、行描述。（15 分）41箫外光 51勁力旳答：1气相成底膜：清洗、脱水，脱水烘焙后立即用HMDS进行成膜处理，起到粘附促进剂的作用。2 采用旋转涂胶的方法涂上液相光刻胶材料。3 软烘：其目的是除去光刻胶中的溶剂。4 对准和曝光：掩模板与涂了胶的硅片上的正确位置对准。然后将掩模板和硅片 曝光。5曝光后烘焙：深紫外（DUV）光刻胶在100-110工的热板上进行曝光后烘焙。6 显影：是在硅片表面光刻胶中产生图形的关键步骤。7 坚模烘焙：要求会发掉存留的光刻胶溶剂，提高光刻胶对硅片表面的粘附性。8 显影后检查：目的是找出光刻胶有质量问题的硅片，描述光刻胶工艺性能以满 足规范要求。3 离子注入工艺的主要

15、优缺点。（15 分）答：优点：（1）精确控制杂质含量。 （2）很好的杂质均匀性。（扫描方法） （3）对杂质穿透深度有很好的控制。（控制能量） （4）产生单一离子束。（质量分离技术） （5）低温工艺。（中等温度小于125C,允许使用不同的光刻掩 膜，包括光刻胶） （6）注入的离子能穿过薄膜。 （7）无固溶度极限。 缺点：（1）高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤。当 高能离子进入晶体并与衬底原子碰撞时，能量发生转移，一些晶格 上的硅原子被取代，这个反应被称为辐射损伤。大多数甚至所有的 的晶体损伤都能用高温退火进行修复。（2）注入设备的复杂性。然而这一缺点被离子注入机对剂量和深度的控制能力及整体工艺的灵活性弥补五、计算题基本要求5饱ft区如3JViktVil 匚二CMOS反相器的噪声容限孔mg1十kRy -+ 卩7? - 际(2% + 卩氏)1 + 7?例考虑一个具有如下参数的CMOS反相器自路：二主迟气广% “0”*广KI0坤严巴=4叱计算电路的噪声容限解：对于CMOS反相