《射频连接器的阻抗原理》由会员分享,可在线阅读,更多相关《射频连接器的阻抗原理(16页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。
1、阻抗匹配与史密斯(Smith)圆图:基本原理在处理 RF 系统的实际应用问题时,总会遇到一些非常困难的工作,对各部分级联电路的不同阻抗进行匹配就是其中之一。一般 情况下,需要进行匹配的电路包括天线与低噪声放大器(LNA)之间的匹配、功率放大器输出(RFOUT)与天线之间的匹配、LNA/VCO 输出与混频器输入之间的匹配。匹配的目的是为了保证信号或能量有效地从“信号源”传送到“负载”。在高频端,寄生元件(比如连线上的电感、板层之间的电容和导体的电阻)对匹配网络具有明显的、不可预知的影响。频率在数 十兆赫兹以上时,理论计算和仿真已经远远不能满足要求,为了得到适当的最终结果,还必须考虑在实验室中进行
2、的RF测试、 并进行适当调谐。需要用计算值确定电路的结构类型和相应的目标元件值。有很多种阻抗匹配的方法,包括 计算机仿真:由于这类软件是为不同功能设计的而不只是用于阻抗匹配,所以使用起来比较复杂。设计者必须熟悉 用正确的格式输入众多的数据。设计人员还需要具有从大量的输出结果中找到有用数据的技能。另外,除非计算机是 专门为这个用途制造的,否则电路仿真软件不可能预装在计算机上。 手工计算: 这是一种极其繁琐的方法,因为需要用到较长(“几公里”)的计算公式、并且被处理的数据多为复数。 经验:只有在RF领域工作过多年的人才能使用这种方法。总之,它只适合于资深的专家。 史密斯圆图:本文要重点讨论的内容。
3、本文的主要目的是复习史密斯圆图的结构和背景知识,并且总结它在实际中的应用方法。讨论的主题包括参数的实际范例,比 如找出匹配网络元件的数值。当然,史密斯圆图不仅能够为我们找出最大功率传输的匹配网络,还能帮助设计者优化噪声系数, 确定品质因数的影响以及进行稳定性分析。图 1. 阻抗和史密斯圆图基础基础知识在介绍史密斯圆图的使用之前,最好回顾一下RF环境下(大于100MHz) IC连线的电磁波传播现象。这对RS-485传输线、PA和 天线之间的连接、LNA和下变频器/混频器之间的连接等应用都是有效的。大家都知道,要使信号源传送到负载的功率最大,信号源阻抗必须等于负载的共轭阻抗,即R + jX = R
4、 - jX图2.表达式R + jX = R - jX的等效图S S L L在这个条件下,从信号源到负载传输的能量最大。另外,为有效传输功率,满足这个条件可以避免能量从负载反射到信号源尤其是在诸如视频传输、RF或微波网络的高频应用环境更是如此。史密斯圆图史密斯圆图是由很多圆周交织在一起的一个图。正确的使用它,可以在不作任何计算的前提下得到一个表面上看非常复杂的系统的匹配阻抗,唯一需要作的就是沿着圆周线读取并跟踪数据。史密斯圆图是反射系数(伽马,以符号表示)的极座标图。反射系数也可以从数学上定义为单端口散射参数,即s。11史密斯圆图是通过验证阻抗匹配的负载产生的。这里我们不直接考虑阻抗,而是用反射
5、系数,反射系数可以反映负载的特性(如L导纳、增益、跨导),在处理RF频率的问题时更加有用。L我们知道反射系数定义为反射波电压与入射波电压之比:负载反射信号的强度取决于信号源阻抗与负载阻抗的失配程度。反射系数的表达式定义为::Eq.2.1)由于阻抗是复数,反射系数也是复数。为了减少未知参数的数量,可以固化一个经常出现并且在应用中经常使用的参数。这里 Z (特性阻抗)通常为常数并且是实数 0是常用的归一化标准值,如50Q、75Q、100Q和600Q。于是我们可以定义归一化的负载阻抗:据此,将反射系数的公式重新写为:n.-rr+jn-Zp _N # Zj - (2l * Zc)/Zoz - 1 r
6、+ jk - 1i + 1 r + js + 1(Eq. 2.3)从上式我们可以看到负载阻抗与其反射系数间的直接关系。但是这个关系式是一个复数,所以并不实用。我们可以把史密斯圆 图当作上述方程的图形表示。为了建立圆图,方程必需重新整理以符合标准几何图形的形式(如圆或射线)。首先,由方程 2.3 求解出;1 +ILT iL1 +iiTTjL,q.2.4)并且i + rr2-2r, i 112(Eq切令等式 2.5 的实部和虚部相等,得到两个独立的关系式:Eq. 2 6)q,2.7)1 - -f +/ -巧 + n22Tii + rr2-2ri ig重新整理等式2.6,经过等式2.8至2.13得到
7、最终的方程2.14。这个方程是在复平面(r,i)上、圆的参数方程(x - a)2 +(y b)2 = R?,它以r/(r + 1), 0为圆心,半径为 1/(1 + r)。r+ri r2-2T. + -1 ,2 = 1 - rr2-1 Leq 2.8)rr2 + rrr2 2rF, * rf,2 * G2 = 1 - rfEq. 2.9)门 + r)$_打斤 + (r+ 1)n2 = i -rEq. 2.10) Eg;(E4 211)fEq. 2.12)f + 1(r + 1)2r + I)21 + f+ * Q1(Eq. 2.13)、r + H11 +r (i + r)2 口 + 呼Eq.
8、2.14)更多细节参见图 4a 。图4a.圆周上的点表示具有相同实部的阻抗。例如r= 1的圆,以(0.5, 0)为圆心,半径为).5。它包含了代表反射零点的原 点(0, 0) (负载与特性阻抗相匹配)。以(0, 0)为圆心、半径为1 的圆代表负载短路。负载开路时,圆退化为一个(点以 1, 0 为圆心,半径为零)。与此对应的是最大的反射系数1,即所有的入射波都被反射回来。在作史密斯圆图时,有一些需要注意的问题。下面是最重要的几个方面: 所有的圆周只有一个相同的,唯一的交点(1, 0)。 代表0Q、也就是没有电阻(r = 0)的圆是最大的圆。 无限大的电阻对应的圆退化为一个点(1, 0) 实际中没
9、有负的电阻,如果出现负阻值,有可能产生振荡。 选择一个对应于新电阻值的圆周就等于选择了一个新的电阻作图经过等式 2.15 至 2.18的变换, 2.7 式可以推导出另一个参数方程,方程2.19。X +-2xFr + XI i2 - 2G(Eq 2.15)i + rr2-?i r + rr - J(Eq, 2 10孔21 +用-笳7Eq 2.17)rr2-2rr * 1 + n2n + - = o(Eq. 2.18)小-俨+心汀=4Eq 219)同样,2.19也是在复平面(r,i) 上的圆的参数方程(x - a)2 + (y - b)2 = 它的圆心为(1, 1/x),半径1/x。更多细节参见图
10、 4b。图4b.圆周上的点表示具有相同虚咅X的阻抗。例如,X = 1的圆以(1, 1)为圆心,半径为1。所有的圆(x为常数)都包括点(1,0)。与实部圆周不同的是,既可以是正数也可以是负数。这说明复平面下半部是其上半部的镜像。所有圆的圆心都在一条经 过横轴上1 点的垂直线上。完成圆图为了完成史密斯圆图,我们将两簇圆周放在一起。可以发现一簇圆周的所有圆会与另一簇圆周的所有圆相交。若已知阻抗为 r+ jx ,只需要找到对应于 r 和 x 的两个圆周的交点就可以得到相应的反射系数。可互换性上述过程是可逆的,如果已知反射系数,可以找到两个圆周的交点从而读取相应的r和X的值。过程如下:确定阻抗在史密斯圆
11、图上的对应点找到与此阻抗对应的反射系数()已知特性阻抗和,找出阻抗将阻抗转换为导纳找出等效的阻抗找出与反射系数对应的元件值(尤其是匹配网络的元件,见图 7)推论因为史密斯圆图是一种基于图形的解法,所得结果的精确度直接依赖于图形的精度。下面是一个用史密斯圆图表示的RF应用实例:例:已知特性阻抗为50Q,负载阻抗如下:Z = 100 + j50Q1Z = 75 - jlOOQ2Z = j200QZ = 150Q34Z = 184 - j900Q8Z 二 00 (an open circuit) Z 二 0 (a short circuit)Z 二 50Q567对上面的值进行归一化并标示在圆图中(见
12、图 5):图 5. 史密斯圆图上的点z2 + j z1.5j2 zj4 z31234z58 z60z71 z83.68 -j18现在可以通过图5的圆图直接解出反射系数。画出阻抗点(等阻抗圆和等电抗圆的交点),只要读出它们在直角坐标水平轴和 垂直轴上的投影,就得到了反射系数的实部r和虚部i (见图6)。该范例中可能存在八种情况,在图6所示史密斯圆图上可以直接得到对应的反射系数:= 0.4 + 0.2j= 0.51 - 0.4j= 0.875 + 0.48j= 0.51234二 1二-1二 0二 0.96 - 0.1j5678图6.从X-Y轴直接读出反射系数r的实部和虚部用导纳表示史密斯圆图是用阻
13、抗(电阻和电抗)建立的。一旦作出了史密斯圆图,就可以用它分析串联和并联情况下的参数。可以添加新的 串联元件,确定新增元件的影响只需沿着圆周移动到它们相应的数值即可。然而,增加并联元件时分析过程就不是这么简单了, 需要考虑其它的参数。通常,利用导纳更容易处理并联元件。我们知道,根据定义Y = l/z, Z = 1/Y。导纳的单位是姆欧或者Q -1 (早些时候导纳的单位是西门子或S)。并且,如果Z是复 数,则 Y 也一定是复数。所以Y = G + jB (2.20),其中G叫作元件的“电导”,B称“电纳”。在演算的时候应该小心谨慎,按照似乎合乎逻辑的假设, 可以得出:G = 1/R及B = 1/X
14、,然而实际情况并非如此,这样计算会导致结果错误。y = Y/Y,得出 y0g + jb。但是如何计算反射系数呢?通过下面的式子进行推导:用导纳表示时,第一件要做的事是归一化,ZL_Zq _ W _VYO _ Yp-Y_忑_ UYL+ 1衍 l结果是G的表达式符号与z相反,并有(y) = -(z)。如果知道z,就能通过将的符号取反找到一个与(0, 0)的距离相等但在反方向的点。围绕原点旋转180可以得到同样的结果(见 图 7) 。当然,表面上看新的点好像是一个不同的阻抗,实际上Z和1/Z表示的是同一个元件。(在史密斯圆图上,不同的值对应不同的 点并具有不同的反射系数,依次类推)出现这种情况的原因是我们的图形本身是一个阻抗图,而新的点代表的是一个导纳。因此 在圆图上读出的数值单位是西门子。尽管用这种方法就可以进行转换,但是在解决很多并联元件电路的问题时仍不适用。导纳圆图在前面的讨论中,我们看到阻抗圆图上的每一个点都可以通过以r复平面原点为中心旋转180后得到与之对应的导纳点。于是, 将整个阻抗圆图旋转180就得到了导纳圆图。这种方法十分方便,它使我们不用建立一个新图。所有圆周的交点(等电导圆和等电纳圆)自然出现在点(-1, 0)。使用导纳圆图,使得添加并联元件变得很容易。在数学上,导纳圆图由下面的公式构造::Eq. 3.1)IL1 +L1i_+Ei