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1、模拟电子技术基础基本概念复习题、判断题1、凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。X2、 凡是运算电路都可利用 虚短”和 虚断”的概念求解运算电路。 V3、 理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有 vn= vpoX4、当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。X5、 在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。X6、在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。 V7、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 V8 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。X9
2、、因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。X10、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。V11、稳压管工作在截止区时，管子两端电压的变化很小。X12、BJT型三极管是电流控制型有源器件，基极电流 ib与集电极电流ic的关系为ic二ib ox13、放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。V14、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。X15、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。X16、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。X17、共集电极电路没有电压和电流放大作用。V18、共集放大电路无电压放大作用，但
3、有功率放大作用。V19、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。X20、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。X21、射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。X22、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。X23、放大器的输入电阻是从输入端看进去的直流等效电阻。X24、输出电阻越大，放大电路带负载的能力越弱。V25、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，共射放大电路的输入电阻最小。X26、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，共基放大电路的输出电阻最小。X27、阻容耦合多级放大电路各级的 Q点相互独立，它只能放大交流信号。 V28、放大电路在高频
4、信号作用下放大倍数下降的原因是耦合电容和旁路电容的影响。X29、场效应管也是一种由PN结组成的半导体器件，是电流控制器件，沟道越宽电流越大。X30、由MOSFET管组成的放大电路中iG V31、在由耗尽型N沟道MOSFET管组成的放大电路中，若VGS小于零，则iD = 0 X32、若增强型N沟道MOS管的vgs大于开启电压Vt，则输入电阻会明显变小。X33、N沟道JFET在正常工作时的vgs不能大于零。V34、耗尽型MOS管在栅源电压ugs为正或为负时均能实现压控电流的作用。V35、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏 相结合的偏置方式。V36、耗尽型绝缘
5、栅场效应管不能采用自给偏压方式。X37、增强型MOS管采用自给偏压时，漏极电流iD必为零。V38、现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数为10000X39、通频带BW等于放大电路的上限频率fH和下限频率fL的平均值。X40、集成运放内部第一级是差动放大电路，因此它有两个输入端。V41、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。V42、集成运放内部是直接耦合的多级放大电路。V43、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。V44、共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。X45、对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，
6、在差模输入交流通路中， 长尾电阻Re 一概可视为短路。X46、用电流源代替Re后电路的差模电压放大倍数增加。X47、带有理想电流源的差分放大电路，只要工作在线性范围内，不论是双端输出还是单端 输出，其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比，而与两个输入端电压本身的大小 无关。V48、集成运放的输入失调电压 Vio是两输入端电位之差。X49、反馈量仅仅决定于输出量。V50、稳定输出电压，提高输入电阻应引入电压串联负反馈。V51、若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。X52、稳定输出电压，提高输入电阻应引入电压并联负反馈。X53、任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。 V54
7、、反相比例运算电路属于电压串联负反馈， 同相比例运算电路属于电压并联负反馈。 X55、共集放大电路Au1,电路不可能有反馈。X56、单管共射放大电路通过电阻引入负反馈有可能产生自激。X57、负反馈能扩大放大电路的通频带， 因此在负反馈电路中可以用低频管代替高频管。 X58、负反馈可以抑制一切干扰。X59、在深度负反馈条件下，Af= 1-F与原来的A无关，所以可以任选管子。X60、在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。X61、由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态，所以微变等效电路已不再适用。V62、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下， 负载上可能获得的最大交流
8、功率。 V63、输入信号越大，非线性失真也越大。交越失真属于非线性失真，因此，大信号时更为 严重。X64、乙类互补对称功率放大电路存在交越失真。 V65、功率放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作 用。X66、在OTL功放电路中，若在负载8Q的扬声器两端并接一个同样的 8Q扬声器，则总的输 出功率不变，只是每个扬声器得到的功率比原来少一半。X67、只有两个晶体管的类型相同（都为 NPN管或都为PNP管时）才能组成复合管。X68、复合管的类型取决于第一个管子的类型。 V69、复合管的B值近似等于组成它的各晶体管 B值的乘积。V70、只要电路引入了正反馈，就一定会产生
9、正弦波振荡。X71、RC桥式振荡电路只要Rf 2R就能产生自激振荡。X72、因为正反馈使放大器诸多的性能变坏，故在任何情况下放大器均不采用正反馈。X73、比较器是模拟电路和数字电路的“接口” 。 V74、在电压比较器中，其输出只有两种状态。 V75、在电压比较器中，集成运放一直处于非线性工作状态。X76、为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平， 一般情况电路中使集成运放不是 工作在开环状态，就是仅仅引入正反馈。V77、单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。X78、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使性能得到改善。X79、放大电路的级数越多，引入的反馈越强，
10、电路的放大倍数也就越稳定。X80、一个理想对称的差分放大电路，能放大差模输入信号，也能放大共模输入信号。X81、负反馈放大电路不可能产生自激振荡。X82、正反馈放大电路有可能产生自激振荡。 V83、满足自激振荡平衡条件的反馈放大电路，就一定能产生正弦波振荡。X84、凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。X85、对于正弦波振荡电路，只要满足自激振荡的平衡条件，就有可能自行起振。X86、石英谐振器相当于一个高 Q值的RC电路。X87、当只想要放大频率为10kHz以上的信号时，应采用带通有源滤波器。V88、直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。X89、直流电源是一种电能形式转
11、换电路，将交流电变为直流电。 V90、整流的目的是将交流变为单向脉动的直流。 V91、滤波就是将正弦交流电压滤波为单向脉动电压。X92、在单相桥式整流电容滤波电路中， 若有一只整流管断开， 输出电压平均值变为原来的 一半。 V、选择题1 、 关于理想运算放大器错误的叙述是 （A 输入阻抗为零，输出阻抗也为零C 频带宽度从零到无穷大A ） 。B 输入信号为零时，输出处于零电位D .开环电压放大倍数无穷大2、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是（ A ）A .反相输入端为虚地；B .输入电阻大；C.电流并联负反馈；D .电压串联负反馈。3、欲将方波转换为三角波，应选用（ D ）。A
12、 .反相比例运算电路B .同相比例运算电路C 求和运算电路D 积分运算电路当温度下降高时，二极管的反向饱和电流将（）。A 增大B 不变C 减少P型半导体主要靠（B ）导电A 正电荷 B 空穴 C自由电子 D.负电荷 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ C ）0A 温度B 掺杂工艺的类型C 杂质浓度D 晶体中的缺陷PN结加正向电压时，空间电荷区将（A ）。A 变窄B 基本不变C 变宽D 不定外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A ）A. 增大B. 减小C. 不变硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（A ）。A .大 B. 小C.相等4、5、6、7、89、10、11
13、、12、13、14、对于稳压二极管，它正常工作时是处于A. 正向导通 B.反向击穿根据某只晶体管的各极对地电压分别是 定此晶体管是管，处于A . NPN管，饱和区B .C . PNP管，截止区D .处于饱和状态的晶体管其特点有：（A . Ic0ib,UcE 1B. Ic 0気C. Ic 1D. Ic =0ib.B ）状态。C .截止D.随外加电压变化而变化Vb= 6.3V，Ve= 7V，Vc= 4V，可以判 o （ D ）PNP管，放大区NPN管，放大区B ）Uce|1#工作在放大区的某三极管，如果当Ib从12讥增大到22讥 时，lc从1mA变为2mA， 那么它的B约为（C ）oA . 83B
14、 . 91C . 100个晶体管的极限参数为PcM=100mW, ICM=20mA，U（br）ceo=15V，则下列（A是正常工作状态A . Uce=3V，IC=10mAC . Uce=6V，Ic=20mAB . Uce=2V，Ic=40mAD . Uce=16V，Ic=30mA15、测得放大电路中三极管的各极电位如图2.1所示，则该三极管为（CB. PNP，硅管A. NPN，硅管16、C . NPN，锗管D . PNP，锗管在同时比较三种基本放大电路的特点时，下列描述正确是（ 共集电路的A . 共射电路的Ri最大B ）o17、1819、20、21、22、Av最小C . 共基电路的Av最小共射电路的Ro最小在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是（A当输入信号为2KHz,A .饱和失真C .频率失真B .截止失真D .交越失真在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真是（AA.饱和失真B .截止失真 C.交越失真D .频率失真图2所示共射放大电路，设静态时lcQ=2mA，晶体管饱和
