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1、.SI9000常规阻抗计算常规信号分为微带线和带状线,微带线指该信号线只有一个参考平面表底层,带状线指该信号线在两个参考平面之间内层,故阻抗计算需要选择不同模型来完成。一、 外层微带线单端阻抗计算模型1.单端阻抗结构2.单端阻抗模型3.设置相应参数说明：介电常数和板材有关,常规FR4介电常数之间,常规半固化片介电常数1063.9、10804.2、21164.2、76284.5,罗杰斯板材RO4350B介电常数是3.66,M6板材介电常数在之间。二、外层微带线差分阻抗计算模型1.差分阻抗结构2.差分阻抗模型3.设置相应参数说明：常规差分控制阻抗100ohm,USB控90ohm,Typec控90o
2、hm以下是1.6mm板厚常规八层板的层叠1. 3个信号层、2个地、一个电源2.射频隔层参考,线宽16mil3.关键信号在S1层,注意S2跨分割问题,适用于杂线多的情况A根据微带线单端模型50ohm阻抗计算如下线宽6：B根据微带线差分模型阻抗计算如下：三、内层带状线单端阻抗计算模型1.单端阻抗结构2.单端阻抗模型3.设置相应参数四、内层带状线差分阻抗计算模型1.差分阻抗结构2.差分阻抗模型3.设置相应参数根据常规8层板层叠计算内层阻抗.A内层单端阻抗模型：S1：H1=16+1.2+4.3=21.5H2=1.2+4.3=5.5S1层50ohm：5mil说明：阻抗允许误差正负10%,H1和H2数值S
3、1和S2参考层面厚度相差较小阻抗线宽一致说明：如果H1和H2数值正确,H1和H2即使颠倒,阻抗变化很小S2：H1=4.3 H2=1.2+16+1.2+4.3=22.7S2层50ohm：5milS3：H1=4.3H2=1.2+16=17.2S3层50ohm：5milB内层差分阻抗模型介质厚度和单端阻抗一致：S1：H1=16+1.2+4.3=21.5H2=1.2+4.3=5.5S2：H1=4.3 H2=1.2+16+1.2+4.3=22.7S3：H1=4.3H2=1.2+16=17.2S1、S2、S3：90ohmS1、S2、S3：100ohm同理计算,概不赘述。关于射频线阻抗计算隔层参考,共面阻抗
4、计算参考阻抗说明：叠层厚度通常由单板实际情况决定,如果叠层确定,线宽变小,阻抗变大,差分阻抗线之间的间距变大,阻抗变大,差分100ohm计算时,可通过改变线宽和间距实现注意：建议差分间距不要大于2倍线宽如4的线宽8的间距。单端阻抗主要依靠改变线宽实现。层叠厚度和阻抗反比,距离主要参考层面越远阻抗越大。合理的层叠参考,是计算阻抗的必要条件,有些层叠计算不出来需求阻抗。通常我们提供给制板厂的层叠和线宽,生产制造时会进行微调,为区别单线和差分阻抗给DFM工程师调整阻抗提供便利,要求同一层面的不同阻抗线线宽不同,即单线50ohm、差分85ohm、差分90ohm、差分100ohm要求不同的线宽。阻抗存在
5、争议：以上内层算法是SI6000时就存在的模型计算,SI9000在SI6000的基础上又推出新的模型,但是存在争议关于内层H1和H2的厚度。关于H1和H2存在争议：a一些工程师使用SI9000推出的新模型SI9000推出的新模型,此模型忽略内层铜箔的厚度,仅仅是pp和core的厚度。个人认为不太合理,内层1oz的铜箔1.2mil的厚度加上还是有必要的。b.一些工程师使用SI9000中SI6000的模型,但认为H1是信号距离参考平面近的pp或core的厚度,H2是距离参考平面远的厚度。c.还有一些工程师,使用SI9000中SI6000的模型,直观的根据模型图提供的信息,判断H1和H2的厚度。b、c虽然存在部分差异,但是计算的阻抗偏差几乎可以忽略不计。本文是使用c方法判断H1和H2的厚度,采用原始模型。.
