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1、1887年德国物理学家赫兹发现，电火花间隙受到紫外线照射时会产生更强的 电火花，此即光电效应。1902年勒纳德等人对光电效应做了深入研究并总结出了 光电效应的基本实验规律，但是这些规律无法用光的波动理论解释。1900年普朗克在研究黑体辐射时，首次提出了能量子假说，即辐射只能是 hv的整数倍。1905年爱因斯坦把普朗克能量子假设启，提出了光量子假说，即一 束光是一粒一粒以光速c运动的粒子流，这些粒子称为光子，光子的能量为E = hv。根据光量子假说，爱因斯坦导出了光电效应方程，并成功地解释了光电效应 的实验规律。1916年密立根以精湛的实验技术检验了爱因斯坦的光电效应方程， 并对普朗克常数h作了
2、首次精确测定。1922年康普觐发现了 “康普顿效应”，他 采用单个光子和自由电子的碰撞理论，对这个效应做出了满意的理论解释，进一 步证实了爱因斯坦的光子理论。光电效应实验在证实光的量子性方面起着决定性 的作用，与此密切相关的研究5次获得诺贝尔奖。光电效应分为外光电效应和内光电效应。利用外光电效应制成的光电器件如 光电管、光电池、光电倍增管等已广泛应用于生产科研和日常生活中，如摄影， 电视，光控路灯，数码相机；利用内光电效应（光电导效应和光生伏打效应）的 光敏电阻、光电二极管和光电三极管、场效应光电管、雪崩光电二极管、电荷耦 合器件等半导体光敏元件制成的光电式传感器已应用到纺织、造纸、印刷、医疗
3、、 环境保护等领域，在红外探测、辐射测量、光纤通信，自动控制等传统应用领域 的研究也有新发展。【实验目的】1.测定光电效应的伏安特性曲线，加深对光的量子性的认识和理解;2.学习验证爱因斯坦光电方程的实验方法，并测定普朗克常数。【实验原理】1. 光电效应与爱因斯坦方程用合适频率的光照射在某些金属表面上时，会有电子从金属表面逸出，这种 现象叫做光电效应，从金属表面逸出的电子叫光电子。为了解释光电效应现象， 爱因斯坦提出了 “光量子”的概念，认为对于频率为y的光波，每个光子的能量 为e = h，其中h=6.626x 10一34 j.s为普朗克常数。按照爱因斯坦的理论，光电效应的实质是当光子和电子相碰
4、撞时，光子把全 部能量传递给电子，电子所获得的能量，一部分用来克服金属表面对它的约束， 其余的能量则成为该光电子逸出金属表面后的动能。爱因斯坦提出了著名的光电 方程：成=L m 2 + W（ 1）2式中，为入射光的频率，m为电子的质量，U为光电子逸出金属表面的初速度，W 为被光线照射的金属材料的逸出功，1 mo 2为从金属逸出的光电子的最大初动能。2由（1）式可见，入射到金属表面的光频率越高，逸出的电子动能必然也越大， 所以即使阴极不加电压也会有光电子落入阳极而形成光电流，甚至阳极电位比阴 极电位低时也会有光电子落到阳极，直至阳极电位低于某一数值时，所有光电子 都不能到达阳极，光电流才为零。这
5、个相对于阴极为负值的阳极电位被称为光 电效应的截止电压。显然，有eU - mv2 = 00 2（2） 代入（1）式，即有h = eU 0 + W由上式可知，若光电子能量h(3)+vW，则不能产生光电子。产生光电效应的最低频率是v=W/h，通常称为光电效 应的截止频率。不同材料有不同的逸出功，因而V。也不同。由于光的强弱决定于 光量子的数量，所以光电流与入射光的强度成正比。又因为一个电子只能吸收一个光子的能量，所以光电子获得的能量与光强无关，只与光子的频率V成正比，将（3）式改写为TT hv W h,、,、，、U （V V ） e e e 0上式表明，截止电压U是入射光频率V的线性函数（4）如图
6、2，当入射光的频率V=V。时，截止电压U -，没有光电子逸出。图中的直线的斜$k=h/e是一个正的常数:h - ek（5）由此可见，只要用实验方法作出不同频率下的U0-V曲线，并求出此曲线的斜率， 就可以通过式（5）求出普朗克常数h。其中e - 1.60x 1019C是电子的电量。图2 U0-V直线图3光电效应原理图2. 光电效应的伏安特性曲线图3是利用光电管进行光电效应实验的原理图。频率为、强度为尸的光线照 射到光电管阴极上，即有光电子从阴极逸出。如在阴极K和阳极A之间加正向电压 U相，它使K、A之间建立起的电场对从光电管阴极逸出的光电子起加速作用，随着 电压叽的增加，到达阳极的光电子将逐渐
7、增多。当正向电压九增加到七时，光 电流达到最大，不再增加，此时即称为饱和状态，对应的光电流即称为饱和光电 流。由于光电子从阴极表面逸出时具有一定的初速度，所以当两极间电位差为零 时，仍有光电流I存在，若在两极间施加一反向电压，光电流随之减少；当反向电 压达到截止电压时，光电流为零。图4入射光频率不同的IU曲线图5入射光强度不同的IU曲线爱因斯坦方程是在同种金属做阴极和阳极，且阳极很小的理想状态下导出的。 实际上做阴极的金属逸出功比作阳极的金属逸出功小，所以实验中存在着如下问 题：(1) 暗电流和本底电流。当光电管阴极没有受到光线照射时也会产生电子流， 称为暗电流。它是由电子的热运动和光电管管壳
8、漏电等原因造成的。室内各 种漫反射光射入光电管造成的光电流称为瘗电流。暗电流和本底电流随着 K、A之间电压大小变化而变化。(2) 阳极电流。制作光电管阴极时，阳极上也会被溅射有阴极材料，所以光入射到阳极上或由阴极反射到阳极上，阳极上也有光电子发射，就形成阳极电流。由于它们的存在，使得实际1。曲线较理论曲线下移，如图6。图6伏安特性曲线由于暗电流是由阴极的热电子发射及光电管管壳漏电等原因产生，与阴极正向 光电流相比，其值很小，且基本上随电位差J呈线性变化，因此可忽略其对遏止电 位差的影响。阳极反向电流虽然在实验中较显著，但它服从一定规律。因此，确 定遏止电位差值可采用以下两种方法：交点法光电管阳
9、极用逸出功较大的材料制作，制作过程中尽量防止阴极材料蒸发，实 验前对光电管阳极通电，减少其上溅射的阴极材料，实验中避免入射光直接照射 到阳极上，这样可使它的反向电流大大减少，其伏安特性曲线与图5十分接近，因 此曲线与U轴交点的电位差值近似等于遏止电位差U0，此即本实验采用的交点法 （或零电流法）。拐点法光电管阳极反向电流虽然较大，但在结构设计上，若使反向光电流能较快地饱 和，则伏安特性曲线在反向电流进入饱和段后有着明显的拐点，如图6中虚线所示 的理论曲线下移为实线所示的实测曲线，遏止电位差U。也下移到U。点。因此测出 uo点即测出了理论值U。【实验仪器】ZKYGD1光电效应测试仪、汞灯及电源、
10、滤色片（五个）、光阑（两个）、光电管、测试仪（含光电管和微电流放大器）实验仪器1. 调整仪器用专用电缆将微电流测量仪的输入接口与暗盒的输出接口连接起来；将微电 流测量仪的电压输出端插座与暗盒的电压输入插座连接起来；将汞灯下侧的电 线与限流器连接起来；接好电源，打开电源开关，充分预热（不少于20分钟）。（2）在测量电路连接完毕后，没有给测量信号时，旋转“调零”旋钮，使其显示 “000”。每换一次量程，必须重新调零。（3）取下暗盒光窗口遮光罩，换上365.0nm滤光片，取下汞灯出光窗口的遮光罩， 装好遮光筒，调节暗盒与汞灯距离。2. 测量光电管的伏安特性曲线（1）暗盒光窗口装365.0nm滤光片和
11、2mm光阑，缓慢调节电压旋钮，令电压输出值 缓慢由-2伏增加到+30V，-2到0之间每隔0.2V记一个电流值，0到30之间每隔3 伏记一个电流值。但注意在电流值为零处记下截止电压值。（2）在暗盒光窗口上换上404.7nm滤光片，仍用2mm的光阑，重复步骤（1）。记入 表1。（3）换用4!的光阑重复步骤（1）、（2）。（4）选择合适的坐标，分别作出两种光阑下的光电管伏安特性曲线UI。3 .测量普朗克常数h电压选择-2+ 2V档，将“电流量程”选择开关置于10-曲档。将测试仪电流 输入电缆断开，调零后重新接上。将直径为4mm的光阑和365.0nm的滤色片装在光电管暗箱入口上。从高到低调节 电压，用
12、零电流迭测量该波长对应的0。，并将数据记录于瑟中。（3）依次换上404.7nm、435.8nm、546.1nm、577.0nm的滤色片，重复步骤（1）、（2）。【数据记录及处理】1. 表1光电管的伏安特性滤光片及光阑伏安特性（u-v， I-nA)365).0nimu21.1.1.1.1.0.0.0.0.0864208642IU369121518212427302mi11U21.1.1.1.1.0.0.0.0.0864208642IU369121518212427304mi11404：.7r2minu21.1.1.1.0.0.60.0.0IU369121518212427301 I4mU21.:
13、1.1.1.0.0.60.0.0IU369121518212427301 I2.表2频率与截止电压的关系（光阑二4mm）波长人（nm）365.0404.7435.8546.1577.0频率v(x 1014Hz)8.2147.4086.8795.4905.196截止电压 u 0（ v）【注意事项】1. 微电流测量仪和汞灯的预热时间必须长于20分钟，连线时务必先接好地线，后 接信号线。切勿让电压输出端入与地短路，以免损坏电源。微电流测量仪每改变一 次量程，必须重新调零。2. 实验中，汞灯如果关闭，必须经过5分钟后才可重新启动。3. 微电流测量仪与暗盒之间的距离在整个实验过程中应当一致。4. 注意保护滤光片，勿用于触摸其表面，防止污染。5. 每次更换滤光片时，必须遮挡住汞灯光源，避免强光直接照射阴极而缩短光电 管寿命，实验完毕后用遮光罩盖住光电管暗盒进光窗。【思考题】1. 光电管为什么要装在暗盒中？为什么在非测量时，用遮光罩罩住光电管 窗口？2. 为什么当反向电压加到一定值后，光电流会出现负值？3. 如何消除暗电流和本底电流对遏止电压的影响？
