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1、场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor,FET ）的简称。它属于 电压 控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安 全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电 路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。普通晶体管（三极管）是一种 电流控制元件，工作时，多数载流子和少 数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管（FET）是一种电 压控制器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流 子参与导电，因此它是单极型晶体管。场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理
2、截然不同，所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管， 是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。三吸管与场效应管的区别*二极管场效应管心导电机构*既用多子j又用少子Q只用梦子士导电方左鋼子电场漂联控制曲电流控制“电压控制卫类型存PNP NPN*1:P沟道、N沟道匸碍（WOQ或更大JGm-lGms*3输入电砂102-10s QqIO7 -1OL3 E抗龜射能:加差在宇虫射翳射下.仍撚正常工作厂性心好心制诰T并较舷口简单成本低.便于集咸化应用电路丿C极与E极-我不可倒置使用訂:有的型号认S极可便置便用心场效应管是电压控制元件，而三极管是电流控制元件。 在只允许从信号 源取较
3、少电流的情况下， 应选用场效应管。而在信号源电压较低，又允许从信号 源取较多电流的条件下，应用三极管。场效应管靠多子导电，管中运动的只是一种极性的载流子；三极管既用 多子，又利用少子。由于多子浓度不易受外因的影响，因此在环境变化较强烈的 场合，采用场效应管比较合适。场效应管的输入电阻高，适用于高输入电阻的场合。场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级。1场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极 e、基极b、集电极c,它 们的作用相似。2 场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm 一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB
4、（或iE）控制iC。3场效应管栅极几乎不取电流（ig?O）;而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场 效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。4 场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。5 场效应管在源极水与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b值将减小很多。6.场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选 用场效应管。7场效应
5、管和三极管均可组成各种放大电路和开路电路，但由于前者制造工艺简单，且具 有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。&三极管导通电阻大，场效应管导通电阻小，只有几百毫欧姆，在现在的用电器件上，一 般都用场效应管做开关来用，他的效率是比较高的。场效应管G极必须有一个对地的放电电阻，不然上电就烧，而三极管基极不需要在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管晶体三极管与场效应管工作原理完全不同，但是各极可以近似对应以便于理解和设计：晶体管： 基极 发射极 集电极场效应管：栅极源极漏极要注意的是，晶体管（NPN型）设计发射极电位比基极电位低（约0.6V），场效应管源极电位比 栅极电位高（约0.4V）。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利 用少数载流子导电，被称之为双极型器件有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用si谢构P沟结构N沟耗尽型F沟耗担型Is1S疑效風晶越管购増强型F沟増强型J1严
