彭同华高级工程师_宽禁带半导体碳化硅单晶产业化进展

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1、宽禁带半导体碳化硅单晶产业化进展彭同华 1，刘春俊 1,2，王波 1,2，王锡铭 1，郭钰 1,2，赵宁 1，娄艳芳 1,2， 鲍慧强 1，李龙远 1，王文军 2，王刚 2，郭丽伟 2，陈小龙 1,21. 北京天科合达蓝光半导体有限公司，北京100190；2. 中国科学院物理研究所，功能晶体研究与应用中心，北京 100190 作者简介：彭同华（ 1980-），男，博士， E-mail: 通信作者：陈小龙， E-mail: 作为极具发展前景的宽禁带半导体材料，碳化硅（SiC ）具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学稳定性、抗辐射以及与氮化镓（GaN ）相近的晶格常数和热膨胀系数，

2、这些优异性能决定了 SiC 不仅是制作高亮度发光二极管（ HB-LED ）的理想衬底材 料，而且是制作高温、高频、高功率以及抗辐射电子器件的理想材料之一，是当前全球半导体产业的前沿和制高点。要充分实现SiC基器件的优异性能，高质量SiC单晶生长和晶片加 工技术是关键。 作为国内首家产、销、研 SiC 晶体于一体的高科技公司，北京天科合达蓝光 半导体有限公司依托于中国科学院物理研究所的技术支撑1-3，一直致力于SiC晶体质量的稳步提高和规模化生产， 在晶体生长设备制造、晶体生长、晶片加工、 清洗封装方面已开发 出一整套具有自主知识产权的核心技术。本报告报道了本公司最近几年在SiC单晶生长和晶片加

3、工技术产业化进程中的系列进展， 包括高质量大尺寸 SiC 晶体开发； 晶体缺陷密度持续 降低，至2011年，大部分晶片微管密度小于1个/cm2,反映晶体结晶质量的 X射线摇摆曲线半高宽小于20；半绝缘SiC晶体电阻率调控技术，半绝缘晶片电阻率大于108cm且分布均匀性良好；晶片翘曲度（Warp）、总厚度变化（TTV ）、局部厚度变化（LTV ）控制技术，90% 3 SiC晶片 Warp值小于25 m,TTV值小于10 ym,80% 晶片LTV值小于3 m; 无损化学机械抛光（ CMP ）技术开发等。图1碳化硅（SiC）生产一车间图2 A）生产的4 4HSiC晶体；B） 3 和4导电4H-SiC

4、晶片参考文献：1 Li H Q, Chen X L, Ni D Q, et al. Factors Affecting the Graphitization Behavior of the PowderSource during Seeded Sublimation Growth of SiC Bulk Crystal J. J. Cryst. Growth, 2003, 258(1-2): 100-105.2 Zhu L N, Li H Q, Hu B Q, et al. New Type of Defects in SiC Grown by the PVT Method J.Journal of Physics: Condensed Matter, 2005, 17: L85 -L91.3 Peng T H, Yang H, Jian J K, et al. Factors Affecting the Formation of Misoriented Domains in 6H-SiC Sin gle Crystals Grow n by PVT Method J. Cryst. Res. Techn ol.2009, 44(4):357-362.