有关IR2104的自举电容和NMOS选择问题这是我第一次用IR2104有一些疑问希望各位师傅能不吝赐教电机驱动电压为170V,频率40KHZ,电流3A的矩形波 电路图如下所示自举电容C3,C4和Q1,Q2,Q3,Q4该如何选择？U1,U2前边是否要加隔离电路？谢谢啦!DLLTIGDCOM[RS1O4rjSMGBfSVs/5D170v要加光耦了，自举电容luf低ESL低ESR即可是在U1,U2前加的吧恩，前面加~為什麼要加上D3,D4,D5和D6?有何作用？為什麼要加上D3,D4,D5和D6?"dead time man ageme nt.为mos管放电提供'低'的回路 最好再给mosfet的gs间加个10k的电阻不过有位师傅说限流电阻为33欧姆所以D3,D4,D5, D6加不加无所谓是这样吗？电路图参数已选定，大家帮看看是否合适Z厂「liiKLf|-：llC]1E21C-II 邙 |L；N1|F r-IRDE相DiZ1 说n^CCW]HHDECOMLOJRZ1Q4-[■-R2:K7ciTiij直Bl13e3；7±：C43ul*5R2i!LJ (IK1N4004和10K其实也可以省~能具体说一下吗？10K电阻不是确保：关机后栅极存储的电荷通过10K电阻迅速释放，以保证电荷的迅速释放的吗?还有1N4004呢？谢谢了！10K不能省，1N4004还是省下来吧，也好几毛钱了NMOS附送的二极管比1N4004高级的多我也认为10K不能省觉得adcr老稻说的比较又道理都不能省。
10K电阻是用来保护GS在关断时不被击穿，而1N4004是续流用的，不能省，这里建议1N4004换成MUR160以上的快速恢 复二极管我还想问下各位师傅自举电容C3,C4应该没有耐压要求吧如果反并联续流管是不是应该注意正向压降问题如果你并的压降比体二极管压降大岂不是悲剧了…肖特基或者''同步续流"？请教下GS间10K电阻的作用LZ,我按你的图改改，自己做了块上面半桥是正常的，但是下面那半路中MOS管一上电就有1A多的电流输出很奇怪，电路没地方短路，2104两端输出均正常原理图如下苗COM10自举电容luf低ESL低ESR即可20楼的图，下面的那半桥，为什么H0接到低端MOS, LO接到了高端MOS呢？有没有谁做过用220V ac整流堆整流流出来，然后用ir2104驱动mos管驱动电机的兄弟呢？请问不加光耦有什么后果？0楼歪才，想用一个信号来控制2个2104,（正相和反相），但LO和HO输出电平不一样的，正确做法是一片2104的信号输入端加反相器Nmos不是自己带了一个二极管了吗，为什么还要再加一个续流二极管呢你好，我想问一下为什么1N4004不能省，不是NMOS内部不是已经加了二极管了吗你好，我想问一下为什么1N4004不能省，不是NMOS内部不是已经加了二极管了吗如果内部有的话可以省掉，自举回路的二极管要用MUR系列的，比较合适如果内部有的话可以省掉，自举回路的二极管要用MUR系列的，比较合适但是我看到有的资料也说MOS内部的二极管是由于寄生作用产生的，性能不是很好。
但是在看MOS管的数据手册时（比如IRF3205）,其内部的二极管可以持续通过电流110A,性能很好这使我比较迷惑，你能解答一下吗？10K可以不要用主动升压,C3,C4也可以省有关IR2104的自举电容和NMOS选择问题用主动升压,C3,C4也可以省兄台能不能给推荐个电路主动升压能满占空比吗驱动供电的地方最好加一个lOOOuf的电解电容我的电路图是有一点问题的，首先把接在VB上的二极管换成了快速恢复的FR307,然后在电源上接了电解电容,大神，你这个电路驱动有没有成功啊，怎么我和你的电路一样，没有成功啊关于IR2104S自举电容的取值问题关于IR2104S.html”>IR2104S自举电容的取值问题 最近用到IR2104S这个芯片来驱动H桥查了一些资料和很多人画的电路，都说自举电容的取值对芯片是否能够正常工作有很大的影响但是不同的人设计的电路在其他参数类似的情况下，自举电容的取值却又不太统一 有没有使用过这个芯片的高人，指点一下究竟应该如何来取这个自举电容的值比较合适链接中是我找到的一个关于如何来取这个电容值得文章，但是公式中有很多参数诸如Icbs, Vis, Vmin代表的意义不是很清楚。
请大家指点通常按10UF取值即可用01UF也可以用01UF也可以，驱动的是IRF640供应:IR系列产品现货供应IR的MOS型号:欢迎各界人士来电和询价，或发邮箱给我等等，会在第一时间回复你IRL3803SPBF30V/140AIRLR7807ZPBF30V43AIRFZ34NPBF55V/26AIRF3205PBF55V/98AIRFR024NTRPBF 55V/17AIRFZ44NPBF55V/49AIRF9Z34NPBF-55V/17AIRF1010EPBF60V/81AIRF540NPBF100V/44AIRF3315PBF150V/21AIRF6215PBF-150V/13AIRF9640PBF-200V/-11AIRFR220NPBF200V/5AIRF620 200V/5.2AIRF630NPBF200V/9.5AIRF640NPBF200V/18AIRFB38N20DPBF 200V/44AIRFP260NPBF200V/50AIRFP264PBF250V/38AIRF740PBF400V/10AIRF830PBF500V/4.5AIRF840PBF500V/8AIRFP450PBF 500V/14AIRFP460APBF 500V/20A供应IR-PERI的IGBT模块型号:欢迎各界人士来电或询价等等GA75TS120U 75A/1200V GA100TS120U 100A/1200VGA150TS120U 150A/1200VGA200TS120U 200A/1200V供应现货IGBT：欢迎各界人士来电或询价等等IRG4PF50WDPBF 900V/28AIRG4PF50WPBF 900V/28AIRG4PC40W 600V/20AIRGPS40B120UDPBF 1200V/40AIRG4PC40UDPBF 600V/20A联系人：徐先生：E-mali：MSN: :342184874ON Semiconductor D44VH10G , NPN 双极晶体管，15 A, Vce=80 V, HFE:20, 20 MHz, 4 针 TO-220AB 封 装产品详细信息NPN 功率晶体管，ON Semiconductor这些ON Semiconductor晶体管可放大模拟或数字信号。
它们还可切换直流或用作振荡器双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管通用晶体管双NPN和PNP晶体管功率晶体管高电压晶体管射频双极晶体管低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管产品技术参数查找不到您搜索的产品？请先选择您所需要的属性，然后点击下面的按钮晶体管类型NPN」 最大直流集电极电流15 A最大集电极-发射极电压80 V封装类型T0-220AB安装类型通孔厂最大功率耗散83 W最小直流电流增益20最大发射极-基极电压7 V最咼工作频率20 MHz引脚数目4每片芯片元件数目1厂 宽度4.82mm最咼工作温度+150 ° C最大集电极-发射极饱和电压0.8 V高度15.75mm长度10.28mm尺寸10.28 x 4.82 x 15.75mm最大基极-发射极饱和电压1.2 V最低工作温度-55 °C。