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1、瓷介电容器的分类及相关特性瓷介电容器的分类及相关特性 瓷片之构造乃在瓷质诱电体及银电极所构成之素子电极上焊接导线而成。 可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。 1、I型（CC型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。 2、II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。一 CC1型圆片高频瓷介电容 适用于谐振回路及其他电路做，耦合，隔直使用。损耗：0.025绝缘电阻：10000mohm 试验电压：200v 允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K
2、,M）温度系数：-150- -1000PPM/C环境温度：-2585C 相对湿度：+40C时达96%二 CT1型圆形瓷片低频电容 环境温度：-2585C 相对湿度：+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差：101472 （+-10%） 472-403（+80- -20%）三 CC01圆形瓷片电容 环境温度：-2585C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M） ：14P +120(+-60)PPM 456P 47(+-60)PPM 56180P 750(+-250)PPM 180390P
3、1300(+-250)PPM 430820P 3300(+-500)PPM四 CT01圆形瓷片电容 环境温度：-2585C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗0.05绝缘电阻：1000mohm 允差：+80 -20%容量：1000-47000p 工作电压：63v 试验电压：200v五 独石瓷介电容器5.1 CC4D独石瓷介电容器 环境温度：-5585C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力666.6PA损耗15*10(-4)容量：100-100000p工作电压：40v 试验电压：120v5.2 CT4D独石瓷介电容器 环境温度：-5585C 相对湿度：+40C时
4、达98% 大气压力1000PA损耗0.035容量：0.033-2.2uf工作电压：40v-100v 试验电压：3UW允差：+80-20%六 CC2,CT2管形瓷介电容器 与片形瓷介电容相比，机械强度高，用作旁路时内电极屏蔽性能好，用在高频电阻杂散耦合好，缺点是固有低，制造工艺复杂，产量低。 CT2 损耗0.04绝缘电阻1000mohm 试验电压：480v 使用条件：-5585c相对湿度：40C时达98%七 CC10 超高频瓷介电容 可用于500MHZ下，环境温度：-5585C 相对湿度：+40C时达98% 压力33mmhg 震动强度：加速度10g 冲击：加速度25g 离心：加速度15g 允差：
5、k容量：1-47p工作电压：500v八 CC11,CT11园片无引线瓷片电容 该电容特为高频头设计，频率特性好。 CC11直流电压：250V标称容量：339P损耗：0.0015 绝缘10000mohm CT11直流电压：160V标称容量：2401500 绝缘2500mohm九 CT82,CC82高压高功率瓷片电容 环境温度：-2585C 相对湿度：+40C时达98%大气 压力40000PA 震动：加速度15g 冲击：加速度15g额定电压：14kv 试验电压：2.58kv允差：K,M十 CC3,CCTD型叠片瓷介电容器CCTF型方形叠片瓷片电容器 CC3损耗0.0015 容量：33-1000P
6、允差：K,M 工作电压：100V CCTD损耗0.035 容量：470-33000P 允差：+80-20% 工作电压：250V CCTF损耗0.04 容量：10000-47000P 允差：+80-20% 工作电压：160V十一 CC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷介电容 该类电容使用于VHF,UHF调谐器和其他无线电设备中做高低频旁路滤波用。 CC52E-1C 容量：2-33P工作电压：63V 绝缘电阻：10000mohm损耗：0.0015 CC53-2C 容量：1000-1500P工作电压：160V 绝缘电阻：1000mohm损耗0.035十二 CT87鼓形高压低频瓷介电容器 该电容主要使用于电子设备的。CC87-1 容量：470P工作电压：10KV 绝缘电阻：10000mohm十三 CCG81型板形高功率瓷介电容 使用于大功率高频电子设备中。容量：1000P 工作电压20KV(高频15KV) 额定无功功率：100KVA最大电流：25A 最大重量：1.3KG
