光刻技术及其应用的现状与展望

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1、光刻技术及其应用的现状与展望1 引言光刻技术作为半导体及其相关产业发展和进步的关键技术之一，一方面在 过去的几十年中发挥了重大作用； 另一方面， 随着光刻技术在应用中技术问题的 增多、用户对应用本身需求的提高和光刻技术进步滞后于其他技术的进步凸显等 等，寻找解决技术障碍的新方案、寻找COC更加低的技术和找到下一俩代可行的 技术路径，去支持产业的进步也显得非常紧迫，备受人们的关注。就像ITRS对未来技术路径的修订一样，上世纪基本上 35年修正一次，而进入本世纪后， 基本上每年都有修正和新的版本出现， 这充分说明了光刻技术的重要性和对产业 进步的影响。2005年ITRS对未来几种可能光刻技术方案进

2、行预测。也正是基于 这一点，新一轮技术和市场的竞争正在如火如荼的展开， 大量的研发和开发资金 投入到了这场竞赛中。 因此，正确把握光刻技术发展的主流十分重要， 不仅可以 节省时间和金钱， 同时可以缩短和用户使用之间的周期、 缩短开发投入的回报时 间，因为光刻技术开发的投入比较庞大。2 光刻技术的现状及其应用状况众说周知，电子产业发展的主流和不可阻挡的趋势是“轻、薄、短、小”， 这给光刻技术提出的技术方向是不断提高其分辨率， 即提高可以完成转印图形或 者加工图形的最小间距或者宽度， 以满足产业发展的需求； 另一方面， 光刻工艺 在整个工艺过程中的多次性使得光刻技术的稳定性、 可靠性和工艺成品率对

3、产品 的质量、良率和成本有着重要的影响， 这也要求光刻技术在满足技术需求的前提 下，具有较低的CO仿口 COC因此，光刻技术的纷争主要是厂家可以提供给用户 什么样分辨率和产能的设备及其相关的技术。以 Photons 为光源的光刻技术在光刻技术的研究和开发中，以光子为基础的光刻技术种类很多，但产业 化前景较好的主要是紫外（UV）光刻技术、深紫外（DUV）光刻技术、极紫外（EUV） 光刻技术和X射线（X-ray）光刻技术。不但取得了很大成就，而且是目前产业中 使用最多的技术， 特别是前两种技术， 在半导体工业的进步中， 起到了重要作用。紫外光刻技术是以高压和超高压汞(Hg)或者汞-氙(Hg-Xe)

4、弧灯在近紫外(350450nm)的3条光强很强的光谱(g、h、i线)线，特别是波长为365nm的i 线为光源，配合使用像离轴照明技术(OAI)、移相掩模技术(PSM)、光学接近矫正 技术(OPC)等等，可为ym的大生产提供成熟的技术支持和设备保障，在目前 任何一家FAB中，此类设备和技术会占整个光刻技术至少 50%的份额；同时， 还覆盖了低端和特殊领域对光刻技术的要求。 光学系统的结构方面， 有全反射式 (Catoptrics) 投影光学系统、折反射式 (Catadioptrics) 系统和折射式 (Dioptrics) 系统等。主要供应商是众所周知的 ASML、 NIKON、 CANO、NU

5、LTRATECH 和SUSSMICROTECH等。系统的类型方面，ASML以提供前工程的1:4步进扫描 系统为主，分辨率覆盖卩m NIKON以提供前工程的1: 5步进重复系统和LCD 的1:1步进重复系统为主，分辨率覆盖ym 和2卩m CANO以提供前工程 的1: 4步进重复系统和LCD的1:1步进重复系统为主，分辨率也覆盖ym 和 1y m ULTRATEC以提供低端前工程的1: 5步进重复系统和特殊用途(先进封 装/ MEM3，薄膜磁头等等)的1: 1步进重复系统为主；而 SUSS MICTOTECH 提供低端前工程的I :1接触/接近式系统和特殊用途(先进封装/ MEM/HDI等 等)的

6、 1: 1 接触/接近式系为主。另外，在这个领域的系统供应商还有USHlO、TAMARAC和 EV Group等。深紫外技术是以 KrF 气体在高压受激而产生的等离子体发出的深紫外波长(248 nm和193 nm)的激光作为光源，配合使用i线系统使用的一些成熟技术和 分辨率增强技术(RET)、高折射率图形传递介质(如浸没式光刻使用折射率常数大 于1的液体)等，可完全满足ym和0. 18y m90 nm的生产线要求；同时， 9065 nm的大生产技术已经在开发中，如光刻的成品率问题、光刻胶的问题、 光刻工艺中缺陷和颗粒的控制等， 仍然在突破中； 至于深紫外技术能否满足 65 45 nm的大生产工

7、艺要求，目前尚无明确的技术支持。相比之下，由于深紫外(248 nm和193 nm)激光的波长更短，对光学系统材料的开发和选择、激光器功率的提 高等要求更高。目前材料主要使用的是融石英 (Fused siIica)和氟化钙 (GaF2)，激光器的功率已经达到了 4 kW,浸没式光刻使用的液体介质常数已经达到等， 使得光刻技术在选择哪种技术完成100nm以下的生产任务时，经过几年的沉默后 又开始活跃起来了。 投影成像系统方面， 主要有反射式系统 (Catoptrics) 、折射式系统 (Dioptrics) 和折反射式系统 (Catadioptrics) ，如图 2 所示。在过去的几 十年中，折射

8、式系统由于能够大大提高系统的分辨率而起到了非常重要的作用， 但由于折射式系统随着分辨率的提高， 对光谱的带宽要求越来越窄、 透镜中镜片 组的数量越来越多和成本越来越高等原因， 使得折反射式系统的优点逐渐显示了 出来。专家预测折反射式系统可能成为未来光学系统的主流技术，如NIKON公司和CANO公司用于FPD产业的光刻机，都采用折反射式系统，他们以前并没有将 这种光学系统用于半导体领域的光刻机，而是使用折射式系统，像ASML公司一样。但随着技术的进步和用户需求的提高， 他们也将折反射技术使用到了半导体 领域的光刻机上。极紫外光刻技术承担了目前大生产技术中关键层的光刻工艺， 占有整个光刻技术的 4

9、0左右。不像紫外技术，涉入的公司较多，深紫外技术 完全由ASML NIKON和CANOI三大公司垄断，所有设备都以前工程使用的 1： 4 步进扫描系统为主，分辨率覆盖了90 nm的整个范围。值得一提的是，在90 65 nm的大生产技术开发中，ASML已经走在了其他两家的前面，同时，45 nm技 术的实验室工艺已经成功，设备已经开始量产，这使得以氟 (F2)(157 nm)为光源 的光刻技术前景变得十分暗淡， 专家预测的氟 (F2) 将是最后一代光学光刻技术的 可能性已经十分小了，主要原因不是深紫外技术发展的迅速， 而是以氟(F2)为光 源的光刻技术诸如透镜材料只能使用氟化钙(CaF2)、抗蚀剂

10、开发缓慢、系统结构 设计最终没有方向和最后的分辨率只能达到 80 nm等等因素。极紫外(EUV)光刻技术早期有波长10100 nm和波长125 nm的软X光两 种，两者的主要区别是成像方式，而非波长范围。前者以缩小投影方式为主，后 者以接触/接近式为主，目前的研发和开发主要集中在13 nm波长的系统上。极紫外系统的分辨率主要瞄准在1316 nm的生产上。光学系统结构上，由于很多 物质对13 nm波长具有很强的吸收作用，透射式系统达不到要求，开发的系统以 多层的铝(Al)膜加一层MgF2保护膜的反射镜所构成的反射式系统居多。主要是 利用了当反射膜的厚度满足布拉格 (Bragg) 方程时，可得到最

11、大反射率，供反射 镜用。目前这种系统主要由一些大学和研究机构在进行技术研发和样机开发， 光 源的功率提高和反射光学系统方面进步很快， 但还没有产业化的公司介入。 考虑 到技术的延续性和产业发展的成本等因素，极紫外 (EUV)光刻技术是众多专家和 公司看好的、能够满足未来16 nm生产的主要技术。但由于极紫外(EUV)光刻掩模版的成本愈来愈高， 产业化生产中由于掩模版的费用增加会导致生产成本的增 加，进而会大大降低产品的竞争力，这是极紫外 (EUV)光刻技术快速应用的主要 障碍。为了降低成本，国外有的研发机构利用极紫外(EUV)光源，结合电子束无掩模版的思想，开发成功了极紫外(EUV)无掩模版光

12、刻系统，但还没有商品化， 进入生产线。X 射线光刻技术也是 20世纪80年代发展非常迅速的、为满足分辨率 100 nm 以下要求生产的技术之一。主要分支是传统靶极X光、激光诱发等离子X光和同 步辐射X光光刻技术。特别是同步辐射X光(主要是nm)作为光源的X光刻技术， 光源具有功率高、 亮度高、光斑小、准直性良好， 通过光学系统的光束偏振性小、 聚焦深度大、穿透能力强；同时可有效消除半阴影效应 (Penumbra Effect) 等优 越性。X射线光刻技术发展的主要困难是系统体积庞大，系统价格昂贵和运行成 本居高不下等等。不过最新的研究成果显示，不仅X射线光源的体积可以大大减 小，近而使系统的体

13、积减小外，而且一个 X光光源可开出多达20束X光，成本 大幅降低，可与深紫外光光刻技术竞争。以 Particles 为光源的光刻技术以 Particles 为光源的光刻技术主要包括粒子束光刻、电子束光刻，特别 是电子束光刻技术，在掩模版制造业中发挥了重要作用， 目前仍然占有霸主地位， 没有被取代的迹象； 但电子束光刻由于它的产能问题， 一直没有在半导体生产线 上发挥作用，因此，人们一直想把缩小投影式电子束光刻技术推进半导体生产线。 特别是在近几年，取得了很大成就，产能已经提高到20片/h( 200 mm片)。电子束光刻进展和研发较快的是传统电子束光刻、低能电子束光刻、限角 度散射投影电子束光刻

14、(SCALPEL和扫描探针电子束光刻技术(SPL)。传统的电子 束光刻已经为人们在掩模版制造业中广泛接受，由于热/冷场发射(FE)比六鹏化镧(LaB6)热游离(TE)发射的亮度能提高1001000倍之多，因此，热/冷场发射 是目前的主流，分辨率覆盖了 100200 nm的范围。但由于传统电子束光刻存在 前散射效应、 背散射效应和邻近效应等， 有时会造成光致抗蚀剂图形失真和电子 损伤基底材料等问题， 由此产生了低能电子束光刻和扫描探针电子束光刻。 低能 电子束光刻光源和电子透镜与扫描电子显微镜 (SEM基本一样，将低能电子打入 基底材料或者抗蚀剂，以单层或者多层L-B膜(Langmuir-Blo

15、dgett Film)为抗蚀 剂，分辨率可达到10 nm以下，目前在实验室和科研单位使用较多。扫描探针电 子束光刻技术(SPL)是利用扫描隧道电子显微镜和原子力显微镜原理，将探针产 生的电子束， 在基底或者抗蚀剂材料上直接激发或者诱发选择性化学作用， 如刻 蚀或者淀积进行微细图形加工和制造。SPL目前比较成熟，主要应用领域是MEMS 和MOEM等纳米器件的制造，随着纳米制造产业的快速发展，扫描探针电子束光 刻技术 (SPL) 的前景有望与光学光刻媲美。另外一种比较有潜力的电子束光刻技 术是SCALPEL由于SCALPE的原理非常类似于光学光刻技术，使用散射式掩模 版(又称鼓膜)和缩小分步扫描投

16、影工作方式， 具有分辨率高 (纳米级) 、聚焦深度 长、掩模版制作容易和产能高等优势，很多专家认为SCALPE是光学光刻技术退 出历史舞台后， 半导体大生产进入纳米阶段的主流光刻技术， 因此，有人称之为 后光学光刻技术。粒子束光刻发展较快的有聚焦粒子束光刻 (FIB) 和投影粒子束光刻， 由于光 学光刻的不断进步和不断满足工业生产的需要， 使离子束光刻的应用已经有所扩 展，如FIB技术目前主要的应用是将FIB与FE-SEM连用，扩展SEM的功能和使 得SEM观察方便；另外，通过方便的注射含金属、介电质的气体进入FTB室，聚焦离子分解吸附在晶圆表面的气体， 可完成金属淀积、 强化金属刻蚀、 介电质淀 积和强化介电质刻蚀等作用。投影粒子束光刻的优点很明显，但缺点也很明显， 如无背向散射效应和邻近效应，聚焦深度长，大于 lO卩m单次照射面积大，故 产能高，目前可达 200 mm硅片60片/h,可控制粒子对抗蚀剂的渗透深