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1、北京广播学院现代远程教育2004年通信工程专业知识考试复习大纲说明：考生要求具有大专文化水平，学习过电路原理及电子线路等相关课程。考试涉 及以上两门课程中的相关内容。在大纲中提到的概念、公式、练习题及其类型希望大家能够熟练掌握。参考书目：1.电路原理考试参考书（专升本（非师范类）入学考试参考丛书），中 央广播电视大学出版社2. 电子技术基础考试参考书（专升本（非师范类）入学考试参考丛书），中央广播 电视大学出版社如果购买不到这两本书，也可以找相关的复习参考书，并做一些相关的练习。复习重 点是一样的。考试内容比例分配：电路原理部分50%，电子线路部分：50%。考试类型及所占分数比例分配：1. 选
2、择题：15%2. 填空：15%3. 分析计算：70%考试复习内容：一. 电路原理部分1. 电阻电路元件和电路的基本定律理解电流、电压及其参考方向概念。掌握电功率和电能量的定义并理解其物理意义。熟练掌握电阻元件、电流源、电压源的伏安关系。熟练掌握基尔霍夫电流定律、基尔霍夫电压定律。熟练掌握分压电路、分流电路的电压、电流计算。练习：第1921页 第一章自测检验题1-11-14。2. 等效电路及化简的分析方法理解等效电路的概念。熟练掌握二端电阻网络的等效、含独立源的二端网络的等效、含独立源和电阻的二端 网络的等效、含受控源电路及其混联的等效化简分析。掌握T形电阻网络与n形电阻网络的等效变换。练习：第
3、3637页 第二章自测检验题2-12-9。3. 电阻电路的一般分析方法熟练掌握用网孔分析法和节点分析法求解电阻电路。练习：第5253页 第三章 自测检验题3-13-9。二. 电子线路部分1. 半导体器件基础了解常用半导体器件的工作原理，熟悉它们的外部特性及其主要参数。理解半导体中两种载流子一一电子和空穴的物理意义。了解本征半导体、本征激发的 特点。理解N型半导体和P型半导体的物理意义。了解PN结的形成。熟练掌握PN结的单向导电性，理解的伏安特性方程的物理意义。理解二极管的外部特性及其主要参数。了解晶体三极管结构。熟悉三极管的特性曲线。理解晶体三极管处于放大状态下电流 分配关系及其放大条件。练习
4、：第19页 自测题1. 11. 2 （1）；第20页自测题1. 4 ；第21页思考题和习题1. 2. 11. 3. 3。2. 放大电路基础理解三种基本放大电路的组成、工作原理及特点，熟练掌握上述电路及由他们组成的 多级放大电路的静态及动态分析。理解放大和放大电路的性能指标（增益，输入电阻，输出电阻）的概念。掌握单管共射放大电路的组成及工作原理。熟练掌握用估算法求解共射电路的静态工作点。一般了解用图解法分析正弦信号波形时放大电路的工作状态，进而分析非线性失真（饱和失真和截至失真），确定最大输出电压幅度。熟练掌握三极管的混合n参数等效电路分析方法，要求会画放大电路的直流通路和交 流通路，并求解共射
5、放大电路的指标。了解共基、共集电路的指标特点。了解多级放大电路的耦合方式。掌握阻容耦合放大器的工作原理和指标计算。会计算有共射电路组成的多级放大器的性能指标。练习：第5859页 自测题2.12. 3；第6062页 思考题和习题2. 2. 22. 4. 3；第63页思考题和习题2. 5. 4；第68页思考题和习题2. 8. 1，2. 8. 2。试题类型举例：一、选择题1. N型半导体是在四价本征半导体中加入以下物质后形成的【】A.电子 B.空穴 C.三价硼元素 D.五价锑元素2. 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于【】A.掺杂工艺 B.杂质浓度C.温度 D.晶体缺陷3. 图1所示电路中的
6、电流为【】A . 12 AB. 9 A C.18 A D. 3 A0.5 口 I 0.5 口O +v o 3V图14.图2所示电路元件元件X【】C.吸收功率3w D.提供功率3wA.吸收功率12wB.提供功率12w2A6V+O图25.某放大电路在负载开路时的输出电压为6V当接入2k Q负载后，其输出电压将为4 V，这表明该放大电路的输出电阻为【】A.10 k QB.2 k QC. 1 k QD. 0.5 k Q二、填空,个，可以1. 一个具有6条支路3个节点的电路，可以列出独立的KCL方程列出独立的KVL方程 个。A，当 US= - 24V，2. 图3所示电路中，D为理想二极管，则当=24V时，1=I=A。8 QD组态;图33. 在双极型三种基本放大电路中，当希望从信号源索取电流小，应选用希望既能放大电流又能放大电压，应选用 组态。偏置。4. 晶体三极管工作在放大状态时，集电结处于 偏置，发射结处于三、分析与计算1.试用节点法求图4所示电路中的电压U。图42.已知图5所示放大电路中，rbe1=1.6kQ。=60。 试计算（1）电路的中频电压放大倍数。（2）输入电阻Ri、输出电阻Ro。+18V
