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1、手电筒原理图IES是从PHILIPS在澳洲的半导体独立出来的公司,设计LED驱动已经有25年的历史,目前针对LED 电筒推出了一款双级型LED驱动,工作电压为13.5V,平均驱动电流为250mA,峰值电流为500mA,价格低于$0.3.SOT23封装,资料参见多个开关控制一个灯的方法K1、K2是单刀双投开关，开关在图中位置时，电灯点亮。K1、K2是单刀双投开关，K3是双刀双投开关。在这个电路中，扳动三个开关中的任何一个，电灯的亮灭状态都要变化。根据需要，可在K1和K2之间增加几个双投开关，就能连成多个开关控制一盏灯的电路。 9W节能灯原理 高效的白光LED驱动电路 作者：未知 来源：未知 添加
2、日期: 2004-12-28 648自从蜂窝电话和便携式游戏机采用彩色液晶显示屏后，市场上就出现了对高亮度纯色背景光源的大量需求，白光二极管被认为是目前市场上可以获得的最好的背景光源。本文介绍XC9103和XC6367两个系列常用白光LED驱动IC的特点和驱动电路的设计。 常用驱动电路介绍 图1为常用的串联LED驱动电路原理图，图中驱动IC为XC9103系列DC转换器，该电路具有以下特点： 1. 可以将白光LED串联使用，不论连接的LED数量有多少，只需一个电阻就可以向它们提供恒定电流； 2.减少了元器件数量，进一步降低了电路的整体功耗； 3. 各个白光LED正向电压的不同不会影响白光LED的
3、工作电流； 4. 用一个电阻就可以调整白光LED的工作电流； 5. 几乎不做任何其它的改动，就可以随意改变白光LED的连接数量； 6. 利用陶瓷电容可以获得低的纹波噪声，并延长电路使用寿命； 7. 可以大大节省电路空间：XC9105和FET+SD都采用SOT23封装，线圈的最大厚度只有1.2毫米，输入和输出电容均采用陶瓷电容。 当采用XC9103系列器件时，可以采用陶瓷电容作为CL电容来抑制有害的信号辐射。 图中的升压DC/DC转换器用于输出驱动LED的恒定驱动电流，LED驱动电流值等于FB控制电压除以所连电阻的阻值。XC9103的FB控制电压为0.9V，XC6367的FB控制电压为1.0V。
4、因此通过改变电阻值，可以将LED驱动电流调整到所需的数值。DC/DC转换器的输出电压等于LED的正向电压加上FB终端电压，如果LED数量大于1时，输出电压为FB终端电压加单个LED的正向电压与LED的数量的乘积。 图中LED的驱动电流可以通过下式计算： ILED=VFB /RFB2 上式中ILED为LED驱动电流，VFB为FB引脚控制电压。XC9103的FB控制电压为0.9V，SC6367的FB控制电压为1.0V。图中的RFB2电阻值为47欧姆，因此LED的驱动电流为19mA。效率为LED上的电压降与驱动电流的乘积相对于输入电压与输入电流乘积的百分比： VLEDILED/(VINIIN)100
5、% 其中VLED为LED上的电压降。 当采用XC6367系列器件时不需要RSEN电阻，采用221F 的钽电容作为输出电容CL。 驱动电路设置 图中所列出的外部器件额定值是在VIN=3.0V时只允许连接4个白光LED。如果要点亮5个或5个以上的白光LED，则必须提高VIN电压，或选择额定电流值更高的电感线圈或场效应管，并且所选器件的直流电阻要更小。 当LED前端电压Vf=3.5V时，在白光LED数量不多于两个的条件下，VDD和VCE可以从VOUT得到，此时可以去掉电容CDD；当白光LED数量在3个或3个以上时，由于VOUT会超过10V，因此VDD只能从VIN获得。 驱动电路的效率计算公式为：效率
6、(EFFI%)=白光LED上的电压白光LED上的电流100/输入电压输入电流。LED连接方式的不同，电路的效率也会有很大的差异。表1为LED串联和并联的效率值比较,可以发现LED数量增多，电路的效率就越高，相同LED数量条件下，串联的效率远高于并联的效率。 如上所述，在输出端需要把白光LED与电阻串联起来使用。如果使用4个以上的白光LED，需要选用额定电流值较高的线圈。 键控式调光台灯利用两个轻触式按键调光，当轻触其中一个按键时，光线将由强变弱，轻触另一个按键时，光线便会由弱变强。工作原理电路原理见图1（点此下载原理图），VD1、VD2、C2、C3组成电容降压式直流电源，由MOS场效应管、C1
7、等组成双向可控硅VS的触发电路。DW为保护二极管，防止场效应管栅极击穿。当按下S1时，由R1向C1充电，使栅极电压上升，可可控硅的触发电流上升，导通角变大，光线增加，当按下S2时，C1沿R2放电，栅极电压下降，可控硅的导通角变小，光线变暗。当S1、S2都放开时，由于MOS场效应管的栅源电阻很大，C1两端的电压将基本不变，所以可控硅的导通角也将不变，光线稳定下来。元器件选择与制作 元器件清单见下表。编 号名 称型 号数 量R1电阻39K1R2电阻24K1R3、R4、R5电阻1K3C1、C2电解电容100/16V2C3金属化纸介电容0.47/400V1VD1、VD2整流二极管IN40072VDW1
8、、VDW2稳压二极管2CW12VDW3稳压二极管2CW211VS双向可控硅1A/400V 如3CTS1A1JFMOS场效应管IDSS5A，BVDS15V1S1、S2轻触开关2场效应管JF的IDSS5A，BVDS15V，可控硅VS选用1A/400V即可，如3CTS1A等。其它元件无特殊要求，具体数值已标在图（表）中。电阻R1、R2的数值决定了电容C1的充放电时间。在制作时，若光线变化太快时，应适当增大R1、R2的数值，反之应减小。1.1N46130V60mA max.2.1N660100V100mA max.3.1N6648,2Vz10mA :lz0,4W4.5.1N754 = 5%6,8Vz2
9、0mA :lz0,4W6.1N7568,2Vz20mA :lz0,4W7.1N8160,58.0,7Vz1mA :lz8.1N8216,2Vz7,5mA :lz0,25W9.1N8296,2Vz7,5mA :lz0,25W10.1N1184A1,1V11.1N1184RA1,1V12.1N400150V1A max.13.1N4002100V1A max.14.1N4003200V1A max.15.1N4004400V1A max.16.1N4005600V1A max.17.1N4006800V1A max.18.1N40071kV1A max.19.1N400925V100mA max.
10、20.1N414875V75mA max.21.22.23.24.25.26.1N415150V150mA max.27.1N4154 Schnell25V150mA max.28.1N45861kV1A max.29.1N4834B = 5%12Vz21mA :lz1,2W30.1N4937600V1A max.31.1N4999R200V3A max.32.1N5059200V1A max. Avalanche33.1N5062800V1A max. Avalanche34.1N5406600V3A35.1N54081kV3A36.AA11365V25mA max.37.AA11630V3
11、0mA max.38.AA117115V50mA max.39.AA118115V50mA max.40.AAY2230V50mA41.42.43.BA119FM-ACF44.BA120VHF-AFC45.BA12760V0,2A46.BA133F1kV0,3A47.BA159 Schnell1kV0,4A48.49.50.BAX55Dual,Logik-Gatter51.52.53.BB112AM-Tuning54.BAY4140V225mA max.55.BAY4260V225mA max.56.BAY4380V225mA max.57.BAY45150V250mA58.BAY46300V
12、250mA59.BAY6175V200mA60.BAY7170V115mA max.61.BY116400V450mA62.63.BY2501kV1,25A64.BY25122V3A65.BY2551300V3A66.BY277/600600/750V3A67.68.BYS2645V3A68.aBYW5669.BYX10800/1600V0,36A70.BYY191500V4A71.72.73.74.75.76.BYY31150V1A77.BYY32300V1A78.BYY33450V1A79.BYY34600V1A80.BYY35750V1A81.BYY36900V1A82.BYY371050V1A83.BYY88150V1.4A84.BYY89300V1.4A85.BYY90600V1.4A86.BYY911200V1.4A87.BYY921600V1.4A88.BZX75C2V12
